蔡根旺
- 作品数：25 被引量：53H指数：4
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- 射频磁控溅射法制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数研究
- 2023年
- 采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS_(2)薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS_(2)薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS_(2)薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得到了制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差,在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250℃时,样品的XRD衍射峰较多,结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS_(2)的结晶效果起着至关重要的作用,其次是氩气流量。当溅射温度为250℃,氩气流量为6 mL/min,溅射时间为30 min,溅射功率为300 W或400 W时,MoS_(2)膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚,但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变,通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。
- 张俊峰孙再征孔腾飞蔡根旺李亚平胡莎樊志琴
- 关键词：射频磁控溅射正交试验法工艺参数
- 双主教学模式下电动力学课程教学改革研究被引量：3
- 2009年
- 本文分析了当前电动力学课程教学中存在的问题及原因,阐明了"双主"教学模式的学习理论。在电动力学教学中,引入双主教学模式,坚持传统式教学与双主式教学相结合,初步教学模式的改革尝试取得好的反响和成绩。
- 蔡根旺张腊梅张合斌
- 关键词：教学模式双主教学课程改革
- 用于永磁体测量系统的亥姆霍兹线圈的原理及设计被引量：5
- 2007年
- 就亥姆霍兹线圈测磁原理作了较为详尽的论述,并且介绍了线圈的尺寸选择原则,最后对磁偶极子模型进行了修正,尽可能地降低了线圈设计的理论误差,对设计较为精确的亥姆霍兹永磁体测量系统有一定的参考意义。
- 蔡根旺谷立新贾启卡樊志琴
- 关键词：亥姆霍兹线圈永磁体
- 利用手机CMOS图像传感器测弹簧弹性系数
- 2024年
- 测量弹簧劲度系数一般有两种方法:拉伸法和简谐振动法.在传统拉伸法测量中,大多通过增减砝码来间接测量,在传统简谐振动法测量实验中,大多采用光电门对弹簧振子周期进行计时.本文主要利用智能手机CMOS图像传感器来测量简谐振动的振子位置随时间变化图像,从图像中提取周期和阻尼信息,进而得出弹簧的弹性系数.改进后,实验数据测量的标准偏差和相对误差较小,分别为0.003 7 N/m和0.26%.本实验能够详细地观察到弱阻尼简谐振动的物理图像,测量出空气和水中的弱阻尼系数.
- 韩晓雯蔡根旺
- 关键词：CMOS图像传感器弹簧振子阻尼周期
- 上海深紫外自由电子激光波荡器的端部磁结构设计被引量：7
- 2005年
- 针对固定间隙的上海深紫外自由电子激光(SDUV-FEL)混合型波荡器的端部,用Rad ia程序进行了模拟计算。在端部不加任何电磁线圈补偿的情况下,通过减小端部磁铁、磁极的体积和变动端部磁极位置的方法对波荡器磁场进行了优化,优化以后波荡器横向磁场的边缘场强度降到5×10-4T(距离端部磁块边缘10 mm处),边缘场波形没有了明显突起,优化后的横向磁场的一次积分曲线和二次积分曲线都有很大改善,端口处的一次积分值、二次积分值接近于零。
- 蔡根旺贾启卡
- 关键词：端部设计自由电子激光
- 波荡器磁场误差对其自发辐射的影响模拟研究被引量：3
- 2005年
- 波荡器由多个单磁块组成,磁块不可避免的剩磁离散性和尺寸离散性是引起波荡器磁场误差的根本原因。波荡器磁场误差将影响波荡器自发辐射谱的质量。本文给出一种新的单磁块磁场、波荡器磁场及自发辐射的模拟方法,从单磁块磁场模拟入手,使用正态分布随机数发生器产生多组不同剩磁或者不同尺寸的单磁块,再由这种方式产生的单磁块组成波荡器,然后计算自发辐射,从而研究波荡器磁场误差对自发辐射的影响。
- 陈念张鹏飞李格徐宏亮李煜辉张善才蔡根旺何多慧
- 关键词：波荡器磁场误差
- 混合型波荡器端部的优化设计和单块测磁系统研制
- 本文的主要工作分两部分：一部分是关于混合型波荡器的端部优化设计;另一部分就是为了满足挑选大量永磁块的需要，建立一个快速的单磁块测量系统。
论文的第二部分主要建立了一个亥姆霍兹单磁块测量系统，经过反复的试验和校准，在测...
- 蔡根旺
- 关键词：亥姆霍兹线圈端部设计
- 文献传递
- 一种金属线膨胀系数的测量装置和系统
- 本发明公开了一种金属线膨胀系数的测量装置和系统，该测量装置包括：均热结构，由石英管、加热带、隔热层构成，其中，加热带缠绕在石英管外侧，金属棒以放入石英管中的方式进行加热并且悬空地支撑在石英管中；第一光栅位移传感器，由光栅...
- 杨武石晓燕尚通通王煜淼翟志东郭金良李晓军蔡根旺魏永凯
- 文献传递
- 碳纳米管膜场发射三极管的制备及特性研究被引量：8
- 2008年
- 对多壁碳纳米管薄膜作为阴极的真空三极结构发光管器件进行了初步研制。研究了器件结构及场发射特性。研究证明碳纳米管薄膜是一种性能优良的冷阴极材料。采用CNTs薄膜为阴极的真空发光管器件可以在10-6～10-7Pa的真空度下稳定工作,并在较低的阳极工作电压下获得较大的电流。在阳极电压为5.8kV,栅压为750V时,在3cm2发射面积上,可获得1.1mA的电流值。器件的发射电流较稳定,且亮度达到1.8×103cd/m2,十分适用于户外大屏幕显示。
- 樊志琴蔡根旺王世建李瑞张君德程仁志张兵临
- 关键词：碳纳米管场发射三极管
- 氢在微晶硅薄膜低温沉积及退火过程中的影响被引量：4
- 2009年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在玻璃衬底上不同的氢稀释比下低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱研究显示当H2稀释比从95%升高到99%,所得硅膜晶粒大小从2.98nm增加8.79nm,晶化率从24%增加到91%;暗电导测试结果从1.32×10-6scm-1增加到7.24×10-3scm-1;沉积速率却大大降低。沉积出的薄膜在进行高温炉退火后,扫描电镜(SEM)显示样品表面孔洞变大增多,推测是氢逸出所致。
- 李瑞樊志琴张丽伟蔡根旺杨培霞
- 关键词：微晶硅薄膜PECVD退火
