舒翠翠
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- Ba、In填充CoSb_3的电子结构和传输性能研究
- 2011年
- 填充方钴矿作为一种很有潜力的新型热电材料近年来受到广泛的关注。采用第一性原理并结合波尔兹曼传输理论计算了CoSb3和Ba、In填充方钴矿化合物Ba0.5Co4Sb12、In0.5Co4Sb12和Ba0.25In0.25Co4Sb12的电子结构和电传输性能,电子结构结果显示,Ba、In填充导致CoSb3晶格微调,并改变其导带底部特征。电传输结果表明,与CoSb3相比Ba、In填充方钴矿的电导率和功率因子都有明显提高,其中Ba原子的填充使得电导率有很大提高,而In原子填充能够有效地提高材料的Seebeck系数。与Ba、In单填充相比,Ba、In双填充具有相对较好的热电性能。
- 舒翠翠周安刘立胜翟鹏程
- 关键词：电子结构传输性能第一性原理
- 方钴矿热电材料的电子结构和传输性能研究
- CoSb3基热电材料是一种很有前景的中温热电材料,具有较高的电导率和Seebeck系数,但因热导率太高其热电性能ZT值只有0.1左右,降低CoSb3热电材料的热导率是显著提高其热电性能的有效途径。目前降低CoSb3热导率...
- 舒翠翠
- 关键词：方钴矿热电材料电子结构传输性能晶格常数
