田雪松
- 作品数：13 被引量：49H指数：3
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学兵器科学与技术更多>>
- ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究
- VO2作为相变材料在激光防护领域有着广阔的应用前景,为了提高透过率,本文采用在红外波段透过率为70％的ZnSe做基片,用磁控溅射法制备了VO2薄膜.对不同条件下制备的VO2薄膜用X射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合...
- 田雪松刘金成李连江王骐
- 关键词：激光防护二氧化钒相变退火磁控溅射
- 文献传递
- ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究
- VO2作为相变材料在激光防护领域有着广阔的应用前景,为了提高透过率,采用在红外波段透过率为70%的ZnSe做基片,用磁控溅射法制备了VO2薄膜。对不同条件下制备的VO2薄膜用X射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合来得...
- 田雪松刘金成李连江王骐
- 关键词：激光防护二氧化钒相变退火磁控溅射
- 文献传递
- 用于抗激光致盲的氧化钒薄膜制备及光学相变特性研究
- 目前，激光战术战略武器装备得到了快速的发展，对于3~5μm、8~12μm波段制导用中长波红外探测器的抗激光致盲技术的研究也变得越来越重要。氧化钒薄膜具有最接近室温的相变温度，相变前后透过率发生很大变化，适于应用在激光防护...
- 田雪松
- 关键词：氧化钒薄膜激光防护
- VO<,2>用于红外激光防护技术的研究
- 该文研究了VO<,2>的相变特性.首先分析了其相变机理,然后我们选择一定的参数制备了VO<,2>薄膜.VO<,2>研究的难点在于怎样制备纯度高的VO<,2>薄膜以及改变它的相变温度.为了提高纯度我们对制备好的VO<,2>...
- 田雪松
- 关键词：激光防护
- 文献传递
- ZnSe基片上氧化钒薄膜的制备及热非线性吸收特性
- ZnSe晶体在红外波段10.6μm附近透射率为70﹪,可作二氧化钒薄膜的基片应用于激光防护领域.VO2薄膜用磁控溅射法制备,针对薄膜与ZnSe结合不好的特点,先对基片进行特殊的清洗.制备时基片温度为450℃,氧氩流量比在...
- 田雪松刘金城李连江王骐
- 关键词：二氧化钒激光防护磁控溅射
- ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究
- 2006年
- VO_2作为相变材料在激光防护领域有着广阔的应用前景,为了提高透过率,采用在红外波段透过率为70%的 ZnSe 做基片,用磁控溅射法制备了 VO_2薄膜.对不同条件下制备的 VO_2薄膜用 X 射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合来得到 VO,V_2O_3,VO_2和 V_2O_5在薄膜中所占的比例。为提高4价钒的含量对薄膜进行了退火处理,根据薄膜中的钒氧的比例,采用了充氧加热退火,退火时间4h,退火温度450℃,退火真空度2.5×10^(-2)Pa,氧气流量6.5 sccm。4价钒含量提高到了接近60%,分析了退火对氧化钒薄膜中4价钒含量的影响。
- 田雪松刘金成李连江王骐
- 关键词：激光防护二氧化钒相变退火磁控溅射
- 一种石墨烯/聚合物涂层界面改性碳/碳复合材料的方法
- 一种石墨烯/聚合物涂层界面改性碳/碳复合材料的方法，它涉及一种改性碳/碳复合材料的方法。本发明目的是要解决现有的界面改性方法制备的改性碳/碳复合材料存在不耐高温的缺陷。方法：一、首先将石墨氧化得到氧化石墨粉体；二、制备氧...
- 姜再兴李晶波张大伟黄玉东刘丽田雪松周波李萌布赫张冬洁马梓阳
- 文献传递
- 磁控溅射法制备二氧化钒薄膜最佳参量的研究被引量：19
- 2003年
- 用X射线电子能谱仪 (XPS)对不同条件下用磁控溅射法制备的VO2 薄膜进行测试 ,得到VO2 薄膜内部组成成份的信息 .研究了获得高含量VO2 薄膜的最佳制备参量 .同时还观察到V2 O3、VO2 、V2 O5以接近含量共存的现象 ,这与以前研究所给出的薄膜几乎只由V2 O3、VO2 、V2 O5中的两种组成的结论有所不同 .
- 刘金城鲁建业田雪松掌蕴东袁萍贾晓玲王骐
- 关键词：二氧化钒薄膜功能材料激光武器
- 一种纸增强树脂基复合材料的制备方法
- 一种纸增强树脂基复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明要解决现有技术中存在的复合材料增强体价格高昂、环保性差的问题。本发明的制备方法为：一、将预处理好的纸张采用静态浸渍法或动态浸渍法，浸渍于树脂溶液中处...
- 姜再兴管世安董巍布赫张冬洁李晶波张大伟刘长瑜黄玉东刘丽田雪松周波
- 文献传递
- ZnSe基片上氧化钒薄膜的制备及热非线性吸收特性
- ZnSe 晶体在红外波段10．6 μm 附近透射率为70%,可作二氧化钒薄膜的基片应用于激光防护领域。VO 薄膜用磁控溅射法制备,针对薄膜与 ZnSe 结合不好的特点,先对基片进行特殊的清洗。制备时基片温度为 450℃,...
- 田雪松刘金城李连江王骐
- 关键词：二氧化钒激光防护磁控溅射ZNSE
- 文献传递
