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王浩

作品数:62 被引量:85H指数:6
供职机构:湖北大学物理与电子科学学院更多>>
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相关领域:一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

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领域

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主题

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  • 8篇复合膜
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机构

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作者

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  • 10篇沈谅平
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  • 3篇高云
  • 3篇刘荣
  • 3篇董明

传媒

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年份

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  • 1篇2008
  • 7篇2007
  • 5篇2006
  • 8篇2005
  • 2篇2004
62 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnO纳米阵列基钙钛矿太阳能电池的光电性能分析被引量:1
2016年
近年来钙钛矿材料CH3NH3Pb X3(X=Cl,I,Br)因其在可见光范围的吸光系数大、成本低廉、能量转换效率高等优势而得到快速发展.本文采用低温化学水浴沉积制备出有序的Zn O纳米阵列,进一步在Zn O纳米阵列上旋涂不同体系的Ti O2,制备出Zn O/Ti O2复合阵列结构作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层,通过改变Ti O2掺入体系探究电极的微结构变化和电池光电性能.研究表明,Zn O纳米阵列经过Ti O2浆料处理的复合体系组装的电池具有最优的光电性能,进一步考察Ti O2浆料浓度对电池性能的影响表明,当Ti O2浓度为0.1 mol/L时得到最佳性能,其组装电池的开路电压(Voc)达到0.93 V,短路电流(Jsc)为15.30 m A cm-2,填充因子(FF)为43%,效率(η)为6.07%.效率的提升主要是因为钙钛矿能深入Zn O阵列的间隙,同时在阵列的上部形成了均匀致密的覆盖层,有效提高了电池的光俘获,同时抑制了载流子的复合.在Zn O/Ti O2浆料复合阵列结构优化浆料浓度的基础上,进一步对纳米阵列采用Ti Cl4溶液进行处理,电池的光电性能得到大幅提升:Voc=0.99 V,Jsc=19.09 m A cm-2,FF=58%,效率η达到11%.性能提升的原因主要是Ti Cl4溶液对复合纳米阵列的处理,引入了小Ti O2纳米颗粒到Zn O/Ti O2浆料复合阵列结构中,有效地填补了阵列中的间隙,后续旋涂钙钛矿材料,阵列上部的钙钛矿覆盖层和间隙中的钙钛矿纳米晶,其光照后产生的载流子都可以与电子传输层有很好的接触,从而快速地经由Zn O阵列传导至导电衬底,此外小纳米颗粒的引入,也增大了电极的表面积,提高了对钙钛矿物质的吸附,增大了光俘获,因而电池的整体性能都得到提高.
李兆松许扬刘甜冯冰洁刘荣张军段金霞王浩
关键词:氧化锌纳米棒钙钛矿
大面积氧化钛纳米管阵列的剥离、转移及其在染料敏化太阳能电池上的应用
染料敏化太阳能电池(DSSC)由于具有理论光电转换效率高、成本低、制备工艺简便等特点被认为是能够取代传统硅太阳能电池的新一代太阳电池。通过阳极氧化方法获得了具有不同管长的高度有序一维纳米管阵列,进步采用化学处理结合超声震...
李思倩李全同张军王浩
关键词:太阳能电池染料敏化化学处理
文献传递
工艺因素对Bi_2O_3、MnO_2掺杂[(Pb,Ca)La](Fe,Nb)O_3陶瓷体系微波介质性能的影响被引量:1
2005年
研究了烧结工艺对Bi2O3及MnO2掺杂[(Pb0.5Ca0.5)0.92 La0.08](Fe0.5 Nb0.5)O3陶瓷体系显微结构及介电性能的影响.研究表明Bi2O3及MnO2的加入可降低体系的烧结温度100~140℃,同时提高体密度.XRD图谱、SEM及微波介电性能证明950℃是最佳的煅烧温度.烧结温度对晶粒形貌有显著影响,随烧结温度的增加晶粒尺寸不断增加,但超过一定值后不断减小的气孔率又会增加.当掺杂物的质量比(Bi2O3/MnO2)K=1,掺杂物质量百分含量W=1%,烧结条件为1050℃,保温4h,体系微波介电性能可达:εr=91.1,Qf=4870GHz,τf=1.85×10-5/℃.
胡明哲周东祥黄静姜胜林王浩章天金顾豪爽
关键词:掺杂显微结构微波介电性能
热蒸发法ZnO纳米棒阵列的研究被引量:1
2007年
采用热蒸发的方法在ZnO薄膜缓冲层上成功制备了高密度的ZnO纳米棒阵列,其中ZnO薄膜缓冲层是通过PLD(Pulsed Laser Deposition)的方法制得。与已有的报道不同,该方法未使用任何金属催化剂。X射线衍射仪(XRD)以及场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)的结果表明,实验得到的ZnO纳米棒阵列整齐垂直排列在衬底上.此外,在常温下测量得到的光致发光(PL)谱和透射电子显微镜显示该ZnO纳米棒阵列结晶较好,无明显的缺陷,研究结果表明纳米棒阵列的形成主要归因于ZnO纳米棒和薄膜之间完美的晶格匹配。
张志鹏王浩莫琦王毅汪汉斌杨辅军朱建华
关键词:热蒸发ZNO纳米棒阵列
阳极氧化制备新颖的TiO_2多孔纳米结构膜及其形成机理与应用被引量:2
2017年
采用两步阳极氧化法在钛箔片上制备了TiO_2多孔薄膜,随着阳极氧化的进行,Ti片表面依次出现上下双层纳米多孔结构、内外双层(芯壳)纳米管阵列结构和单层纳米管阵列结构等典型形貌,结合不同时间段的阳极氧化膜的表面形貌、晶体结构、X射线光电子能谱、电流密度随时间变化曲线等,分析了随着氧化进行钛片表面多孔TiO_2纳米膜典型形貌可能的形成机理.上下双层结构纳米多孔膜可能是因为纳米孔孔径强烈依赖于电流密度,而起始阶段的电流密度大小指数下降导致出现上层大孔下层小孔的双层结构;内外双层结构纳米多孔膜的形态可能来自于氧化钛纳米多孔膜从内至外由成分和可溶性不同的氧化钛构成导致;随着氧化进行,内层可溶性大的氧化钛结构逐渐溶解,形成的常见的TiO_2纳米管阵列结构.将阳极氧化得到的稳定的TiO_2纳米管薄膜作为光阳极组装成染料敏化太阳能电池,研究了其光电性能.基于未经修饰处理的TiO_2纳米管阵列光阳极,其组装电池的能量转换效率(η)可达5.88%,将TiO_2纳米管阵列光阳极进一步采用常用的TiCl_4溶胶处理后,其效率提高到8.47%,在能源转化方面展现了较好的应用前景.
阳方玉丁浩杜伟谢剑李思倩余蕾张军王浩
关键词:二氧化钛阳极氧化染料敏化太阳能电池
水基ZnO纳米流体电导和热导性能研究被引量:4
2013年
利用水热法生成了形状规则、粒径均匀的球形ZnO纳米颗粒,并超声分散于水中,制备得到稳定的水基ZnO纳米流体.实验测量水基ZnO纳米流体在体积分数和温度变化时的电导率,并测试室温下水基ZnO纳米流体在不同体积分数下的热导率.实验结果表明,ZnO纳米颗粒的添加较大地提高了基液(纯水)的热导率和电导率,水基ZnO纳米流体的电导率随纳米颗粒体积分数增加呈非线性增加关系,而电导率随温度变化呈现出拟线性关系;纳米流体的热导率与纳米颗粒体积分数增加呈近似线性增加关系.本文在经典Maxwell热导模型和布朗动力学理论的基础上,同时考虑了吸附层、团聚体和布朗运动等因素对热导率的影响,提出了热导率修正模型.将修正模型预测值与实验值对比,结果表明修正模型可以较为准确地计算出纳米流体的热导率.
李屹同沈谅平王浩汪汉斌
关键词:水热法电导率热导率
Ag对CoPt/Ag纳米复合膜的结构与磁性的影响被引量:3
2005年
采用直流磁控溅射的方法制备了一系列(CoPt/Ag)n多层膜,然后在不同温度下进行了退火处理,并对其结构和磁性做了初步的表征,研究了Ag的含量以及薄膜中每一单元厚度与总厚度对退火后薄膜的结构以及磁性能的影响.结果表明,膜厚较薄时(大约20nm)有利于薄膜沿(001)取向生长,Ag的加入不但能够抑制CoPt晶粒的过分长大还可以诱导薄膜的(001)取向,使退火后的薄膜在垂直于膜面方向上的矫顽力大大增强.对于特定组分为Co40Pt43Ag17的薄膜,经600℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.6×105A/m,饱和磁化强度为0.65T,并且磁滞回线具有很好的矩形度,剩磁比(s)为0.95.
薛双喜王浩杨辅军王君安曹歆汪汉斌高云黄忠兵冯洁W.Y.CheungS.P.Wong赵子强
关键词:纳米复合膜AG直流磁控溅射饱和磁化强度磁滞回线
超级电容器动态等效模型研究被引量:1
2017年
以超级电容器数学模型为研究对象,考虑超级电容器的充放电特性,对其等效模型进行研究,提出一种基于超级电容器充放电特性的动态等效电路模型。在该模型中,超级电容器的等效串并联内阻随电容器两端电压和电流动态变化。通过对比超级电容器进行充放电实验数据,结果表明该模型预测的充放电电压与实验值吻合。
夏峰利沈谅平周方媛王浩
关键词:超级电容器数学模型等效电路
ZnO纳米改性变压器油的相对介电常数模型被引量:8
2013年
为了了解添加纳米颗粒对变压器油相对介电常数的影响情况,采用ZnO半导体纳米颗粒制备改性变压器油,在此基础上研究了纳米改性变压器油相对介电常数随纳米颗粒体积分数和环境温度的变化规律,并提出了基于克劳修斯-莫索提方程的纳米颗粒极化模型来解释纳米改性变压器油相对介电常数的变化机理。实验结果表明,添加ZnO纳米颗粒将小幅度地增大变压器油的相对介电常数,且相对介电常数随纳米颗粒体积分数线性增长,随环境温度线性降低,并且纳米颗粒极化模型的计算值与实验测量数据吻合较好。对所提模型的进一步分析表明,纳米改性变压器油的相对介电常数主要由普通变压器油决定,相比于普通变压器油,纳米改性变压器油相对介电常数的增大主要是由纳米颗粒内部极化造成的。
缪金董明任明吴雪舟沈谅平王浩
关键词:氧化锌纳米颗粒变压器油相对介电常数
脉冲激光沉积制备的HfO2薄膜的结构与电学性能
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在 Si(100) 基底上制备了有效氧化层厚度为8.6nm,介电常数为 29.3的 HfO薄膜.借助 X 射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)分析了样品的...
王毅王浩张志鹏莫琦冯洁朱建华杨辅军汪汉斌
关键词:脉冲激光沉积HFO2薄膜电学特性
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