王洪来
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南开大学泰达学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 一种100mA低压差线性稳压器的设计
- 本文设计了一种新颖的对温度高阶补偿的带隙基准和一种对温度一次补偿的电流基准，并使用一种新的补偿方法设计了一种100mA的LDO。仿真结果表明这种补偿方法很好的克服了使用源随器进行补偿所带来的问题，且具有很低的温度系数和和...
- 王洪来
- 关键词：频率补偿瞬态特性低压差线性稳压器低温度系数
- 文献传递
- 低压差线性稳压器的设计及其在通信电源管理芯片的应用
- 近年来，随着半导体行业的迅速发展，大规模集成电路的集成度越来越高，便携式电子产品的功能也越来越强大，以最常见的移动通信设备手机来说，已经集无线通信、MP3播放、视频播放、数码相机和PDA等功能于一体。但是功能的增加相应的...
- 王洪来
- 关键词：低压差线性稳压器芯片设计频率补偿蒙特卡罗分析
- 低静态电流低压降CMOS线性稳压器被引量：6
- 2005年
- 设计了一种100 mA低静态电流、低压降CMOS线性稳压器。通过使用与一般线性稳压器相类似的频率补偿方法,这种低压差线性稳压器获得了低静态电流,很好的电源调整率和负载调整率,以及很高的PSRR值。在0.5μm工艺下的仿真结果表明,其消耗的静态电流只有5μA,电源调整率和负载调整率分别为0.02 mV/V和0.002 mV/mA;在100 Hz时,其PSRR值为-90 dB,负载电容只有100 pF,可以很容易地集成到电路中。
- 王洪来戴宇杰张小兴吕英杰
- 关键词：低压降线性稳压器静态电流CMOS
- 用一种新的补偿方法实现低压差线性稳压器
- 2009年
- 使用一种新的频率补偿方法设计了一种100mA低压降CMOS线性稳压器(LDO).所设计的LDO仅使用了一个PMOS管进行补偿,无需使用电路内部其他的补偿电容和补偿电路就能保持稳定.使用0.18μm工艺仿真结果表明,设计的LDO使用4.7μF的负载电容,具有高的PSRR和很好的瞬态反应特性,在负载电流从0mA跳变到100mA以及从100mA跳变到0mA的时候,输出的变化小于8mV,反应时间小于1μs,且在1 kHz的时候PSRR为-72.3dB.
- 王洪来张小兴戴宇杰吕英杰黄维海
- 关键词：LDO频率补偿CMOS
- 基于LDMOS电容的振荡器设计
- 2009年
- 基于0.5μm CMOS工艺,考虑面积、功耗和工作状态中电容容值等因素,采用LDMOS电容来实现高精度频率的振荡器.一般的CMOS电容特性是非单调变化的,而LDMOS电容只工作在积累区和耗尽区,电容特性可近似理想电容.仿真和测试结果表明,在电源电压1.5～5V大范围变动的情况下,振荡频率稳定性高,达到设计预期效果.在给电容充电用的静态电流只有40nA的低电流条件下,振荡器模块中电容的版图面积只有65μm×65μm,而且LDMOS工艺和CMOS工艺兼容,可以在不增加工艺复杂度的前提下,用较小的版图面积产生高精度时钟信号.
- 黄维海戴宇杰张小兴吕英杰王洪来
- 关键词：LDMOS电容振荡器CMOS工艺
