您的位置: 专家智库 > >

王树涛

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学

主题

  • 3篇导体
  • 3篇异质结
  • 3篇结合能
  • 3篇极化子
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体异质结
  • 3篇磁场
  • 2篇压力效应
  • 2篇束缚极化子
  • 1篇英文
  • 1篇杂质态
  • 1篇施主
  • 1篇势垒
  • 1篇流体静压力
  • 1篇静压力
  • 1篇GAAS/A...
  • 1篇磁场效应

机构

  • 4篇内蒙古大学

作者

  • 4篇王树涛
  • 3篇班士良
  • 1篇张敏
  • 1篇孟建英

传媒

  • 3篇内蒙古大学学...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
有限势垒量子阱中极化子结合能的压力效应被引量:3
2005年
计入流体静压力效应,同时考虑量子阱中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子模)对单电子基态能量的影响,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中自由极化子的结合能.得到了压力下三类光学声子模对极化子结合能影响随阱宽的变化关系.结果表明:极化子结合能随外加压力增加.
孟建英班士良王树涛
关键词:极化子结合能压力效应GAAS/ALXGA1-XAS
磁场下实际半导体异质结势中界面杂质态和束缚极化子及压力效应
该文引入有限高势垒和导带弯曲形成的实际异质结势,讨论磁场影响下异质结界面附近杂质态和束缚极化子及其压力效应.首先,利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响.对磁场下GaAs/Al<,x>Ga<,1...
王树涛
关键词:半导体异质结杂质态极化子磁场
文献传递
流体静压力下磁场对半导体异质结中束缚极化子的影响(英文)
2008年
对GaAs/AlxGa1-xAs半导体异质结系统,引入实际异质结势,同时考虑体纵光学(LO)声子和两支界面光学(IO)声子的影响,采用变分法讨论了外界磁场和压力对束缚极化子的影响.利用改进的Lee-Low-Pines(LLP)中间耦合方法处理电子-声子和杂质-声子的相互作用,计算了束缚极化子结合能随压力、磁场强度、杂质位置的变化关系.结果表明,结合能和声子对结合能的贡献随压力和磁场强度的增加而增大.磁场对于IO声子和LO声子对结合能贡献的影响是非线性的,而压力对二者的影响均是近线性的,且磁场和压力对LO声子的作用更为显著.
王树涛班士良张敏
关键词:磁场束缚极化子结合能
半导体异质结中施主结合能的磁场效应被引量:2
2003年
对单异质结界面系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,利用变分法讨论磁场对界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量的影响.对磁场中的AlxGa1-xAs/GaAs异质结系统的杂质态结合能作了数值计算,给出结合能随Al组合分、电子面密度和杂质位置的变化关系.结果表明:杂质态结合能随磁场强度的增大而显著增大.
王树涛班士良
关键词:异质结磁场施主结合能
共1页<1>
聚类工具0