王承栋
- 作品数：13 被引量：10H指数：2
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- 高响应度InGaAs PIN探测器的设计与优化
- 本论文针对1-1.6μm近红外波段InP/InGaAs PIN高响应度光电探测器阵列,首先分析了表征光电探测器性能的各种参数,然后从提高探测器的响应度并兼顾器件的其它特性出发,经过设计器件结构、优化器件参数和工艺条件等过...
- 王承栋
- 关键词：光电探测器性能表征暗电流I-V特性
- 文献传递
- InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究被引量：3
- 2006年
- 简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAsPIN探测器的透射率。计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同的淀积工艺对响应度的影响和探测器在不同应用时膜厚的设计方法。
- 杨集冯士维王承栋张跃宗李瑛孙静莹
- 关键词：探测器增透膜淀积
- InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究被引量：4
- 2007年
- 对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射。为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数学处理,可以提取出已封装器件的结构参数和材料参数,而且这些参数与实验曲线符合得很好。利用该方法可以简单方便地提取出已封装器件的实际结构参数和材料参数。
- 冯士维王承栋杨集张弓长卢毅成
- 关键词：探测器光响应度
- 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法
- 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相...
- 冯士维张跃宗孙静莹张弓长王承栋
- 文献传递
- 高温下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的可靠性研究
- 2007年
- 研究了高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15 nm/220 nm/40 nm/50 nm)四层复合金属层与n-GaN(N_d= 3.7×10^(17)cm^(-3),N_d=3.0×10^(18)cm^(-3))的欧姆接触特性,试验结果标明,当测量温度低于300℃时,存储时间为0～24h,其接触电阻率基本不变,表现出良好的温度可靠性;分别经过300、500℃各24h高温存储后,其欧姆接触发生了较为明显的退化,且不可恢复.接触电阻率均随测量温度的增加而增大,掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高缓慢增加;重掺杂样品的n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触具有更高的高温可靠性。
- 张跃宗冯士维张弓长王承栋吕长志
- 关键词：欧姆接触接触电阻率可靠性
- 高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
- 2007年
- 分析了影响探测器响应度的各因素，在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计，以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示，器件的光谱响应范围为1000-1600nm，在1500nm激光的辐照下，5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。
- 王承栋杨集冯士维张跃宗庄四祥张弓长
- 关键词：探测器光响应度
- n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究
- 主要对 n-GaN/Ti/Al/Ni/Au 欧姆接触在高温下（500℃）的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化。同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内（24h）...
- 张跃宗冯士维张弓长王承栋
- 关键词：欧姆接触接触电阻率
- 文献传递
- 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法
- 一种测量半导体器件欧姆接触退化失效的芯片及测量方法，属于半导体器件失效评估领域，它由在衬底上与前者结成一体的由半导体材料构成的平台，固接在平台表面的一排电极，在平台表面平行于电极固接有一排与电极一一对应的辅助电极构成，相...
- 冯士维张跃宗孙静莹张弓长王承栋
- 文献传递
- 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
- 2008年
- 研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55μm处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1μm处。另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考。
- 庄四祥冯士维王承栋白云霞苏蓉孟海杰
- 关键词：探测器光响应度INGAAS/INP结深
- 高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制
- 分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了 InGaAs/InP PIN 探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和 p-InP 区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用 MOCVD 技术和闭管扩散等工...
- 王承栋杨集冯士维张跃宗庄四祥张弓长
- 关键词：探测器光响应度
- 文献传递
