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王元刚

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 14篇半导体
  • 10篇漂移
  • 10篇半导体器件
  • 8篇导电类型
  • 8篇功率器件
  • 7篇SOI
  • 6篇掩模
  • 6篇绝缘
  • 6篇绝缘介质
  • 6篇半导体功率器...
  • 6篇槽栅
  • 5篇电路
  • 5篇集成电路
  • 4篇有源
  • 4篇离子注入
  • 3篇功率集成
  • 3篇功率集成电路
  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇电荷

机构

  • 21篇电子科技大学

作者

  • 21篇王元刚
  • 20篇雷天飞
  • 20篇罗小蓉
  • 14篇张波
  • 14篇姚国亮
  • 10篇李肇基
  • 8篇陈曦
  • 8篇葛瑞
  • 6篇高唤梅
  • 4篇张伟
  • 4篇邓浩
  • 2篇蒋辉
  • 2篇肖志强
  • 2篇李泽宏
  • 2篇邓小川
  • 2篇傅达平
  • 2篇詹瞻
  • 2篇陈正才
  • 2篇胡夏融
  • 2篇雷磊

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 6篇2012
  • 8篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
槽型半导体功率器件
本发明涉及一种半导体器件，该器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上是半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构。所述...
罗小蓉姚国亮雷天飞王元刚张波
一种具有高K介质槽的半导体功率器件
一种具有高K介质槽的半导体功率器件，属于功率半导体器件技术领域。器件包括半导体衬底、半导体衬底上的半导体漂移区、半导体漂移区上的有源区和槽栅结构；所述半导体漂移区包括导电类型相同的第一、第二半导体区，所述第二半导体区的掺...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞陈曦葛瑞张波李肇基
SOI横向MOSFET器件和集成电路
本发明提供一种SOI横向MOSFET器件和集成电路，所述器件中，有源层(3)包括分别位于有源层(3)的表面并且相互分离的体区(9)和漏区(12)、以及位于体区(9)的表面并且从靠近漏区(12)的一侧起按顺序设置的平面栅沟...
罗小蓉姚国亮雷天飞王元刚张波李肇基
具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种新型具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法，通过多次外延多次注入、刻蚀延伸沟槽、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种新型超结结构和超结半导体器件的工艺制造。相对于现有技术...
罗小蓉王元刚姚国亮雷天飞葛瑞陈曦
文献传递
一种槽型纵向半导体器件的制造方法
一种槽型纵向半导体器件的制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、高温扩散、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种一种槽型纵向半导体器件的工艺制造。相对于已有的工艺，本发明...
罗小蓉王元刚姚国亮雷天飞葛瑞陈曦张波李肇基
文献传递
新型功率SOI横向器件研究
SOI横向高压MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor）作为SOI功率集成电路的核心器件之一，其低纵向耐压、自热效应以及比导通电阻与耐压之间存在“硅...
王元刚
关键词：功率集成电路结构优化
基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构
本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上...
罗小蓉张伟詹瞻邓浩高唤梅王元刚雷天飞张波李肇基
文献传递
在厚膜SOI材料中形成图形化半导体埋层的方法
本发明公开了一种在厚膜SOI材料顶层硅与介质埋层界面处形成图形化半导体埋层的方法，涉及SOI功率器件的材料制备技术领域，本发明通过a、在顶层硅背面生长阻挡层；b、在阻挡层上淀积光刻胶并刻蚀出掩模图形；c、对顶层硅进行离子...
罗小蓉张伟邓浩高唤梅肖志强陈正才王元刚雷天飞张波李肇基
文献传递
超结结构和超结半导体器件的制造方法
本发明公开了一种超结结构和超结半导体器件的制造方法，通过刻蚀沟槽、小倾角离子注入、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等工艺关键步骤形成新型半导体超结及超结器件。相对于现有技术，本发明具有以下优点：第一，避免采用...
罗小蓉姚国亮王元刚雷天飞葛瑞陈曦
基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构
本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上...
罗小蓉张伟詹瞻邓浩高唤梅王元刚雷天飞张波李肇基
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