牛富丽
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种可重构三电平功率模块
- 本发明涉及一种可重构三电平功率模块，属于功率半导体器件技术领域。该功率模块包括DBC、碳化硅芯片、硅芯片、二极管芯片、测温铂电阻及封装壳体，其中DBC包括氮化硅陶瓷层及上覆金属层、下覆金属层；该功率模块还包括功率端子、碳...
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- 集成缓冲吸收电路的功率模块
- 本发明涉及一种集成缓冲吸收电路的功率模块，属于电子器件领域。包括：封装壳体、功率模块主体以及缓冲吸收电路；功率模块主体包括DBC基板组件、端子、键合线、上桥臂MOSFET组和下桥臂MOSFET组；缓冲吸收电路包括二极管和...
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- 带有散热器的车用碳化硅模块
- 本发明涉及一种带有散热器的车用碳化硅模块，属于电子器件领域。本发明采用铜框架作为碳化硅芯片顶部互联方式，将多个导电区连接为一个半桥结构。栅极和开尔文源级连采用铝线键合的方式连接。铜框架为分离式，两颗碳化硅芯片共用一个铜框...
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- 基于匹配点插值算法的半球模型电阻抗三维图像重建被引量：1
- 2012年
- 目的:为了得到头颅和乳腺电阻抗成像的三维图像,更好地诊断脑部及乳腺肿瘤病变位置,改变以往的图像二维显示方式,对半球模型电阻抗二维重构图像结果进行三维重建。方法:对浸泡在半球形水槽中电导率为2.1 S/m的半锥形异物模型重构得到二维图像,根据电阻抗图像数据特点,对图像数据作预处理以便插值使用。使用匹配点插值算法对二维电阻抗图像进行插值,形成三维重建模型。结果:插值结果可以体现层数据间的过渡,三维重建结果体现了原模型的位置信息。结论:该算法能够实现电阻抗的三维成像,并能确定异物模型的位置,便于肿瘤疾病的诊断,满足电阻抗成像的实时监护要求。
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- 关键词：电阻抗成像图像重建
- 基于3D封装的碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块
- 本发明涉及一种基于3D封装的碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块，属于功率半导体器件技术领域。该功率模块主要包括上层DBC、上层碳化硅MOSFET芯片、上层碳化硅MOSFET芯片焊料层、PCB板、下层碳化硅MOSFET...
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- 一种压电缓冲吸收电路及MOSFET功率模块
- 本发明属于功率半导体器件技术领域，特别涉及一种压电缓冲吸收电路及MOSFET功率模块。压电缓冲吸收电路包括PZT压电陶瓷相互连通的可键合电阻，所述可键合电阻设置于所述PZT压电陶瓷表面。MOSFET功率模块，包括MOSF...
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- 基于对应点匹配插值算法的电阻抗三维图像重建
- 对电阻抗成像二维重构图像进行三维重建，在不显著增加计算时间的前提下，得到了被测模型的三维图像，有利于电阻抗成像临床实时监护的实现。由于断层图像间距大，重建之前对断层图像插值是关键。本文插值的算法采用对应点匹配插值。根据电...
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- 关键词：电阻抗成像图像重建
- 基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路
- 2023年
- 在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和工作温度对吸收电路性能的影响,限制缓冲吸收电路的应用。针对这些问题,该文提出一种基于锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)压电陶瓷的缓冲吸收电路,分析PZT的温度特性,通过建立半桥电路与PZT缓冲吸收电路的高精度交互模型,揭示PZT缓冲吸收电路与SiC器件的耦合规律,利用特征方程-根轨迹方法,定量刻画PZT缓冲吸收电路的参数设计域。对比评估工作温度对多种缓冲吸收电路性能的影响。实验结果表明,所提设计方法能很好地抑制关断电压过冲与振荡,验证设计方法的有效性。相较于传统RC缓冲吸收电路,PZT缓冲吸收电路在工作温度发生变动后,仍然具有很好的抑制效果,且抑制效果随工作温度的上升而不断增强。为SiC功率器件的暂态稳定性分析,以及功率模块和缓冲吸收电路的集成设计,提供有益的参考。
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- 关键词：温度特性
- 三维电阻抗成像可视化和弧面反投影算法研究
- 电阻抗成像技术(Electrical Impedance Tomography, EIT)是一种近年来兴起的新型功能性成像技术，它依据人体内不同组织具有不同的电导率这一原理来判别人体内组织或器官的病变，将微小的安全电流注...
- 牛富丽
- 关键词：电阻抗成像软件平台
- 文献传递
- 基于对应点匹配插值算法的电阻抗三维图像重建被引量：3
- 2013年
- 为了对电阻抗成像二维重构图像结果进行三维重建,笔者使用对应点匹配插值算法对二维电阻抗图像进行插值,形成三维重建模型。根据电阻抗成像重构数据的特点,改进了插值算法的梯度和梯度方向角计算公式,从而较好地重现层间数据,最后由原始数据和插值数据形成三维体数据。实验的模型是浸泡在圆柱体水槽中电导率为2.1S/m的圆柱体异物。将笔者所提算法与线性算法以及形状插值算法进行了对比。结果表明:笔者算法能够在确保计算精度的同时,兼顾计算效率,满足电阻抗成像的实时监护要求。
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- 关键词：电阻抗成像图像重建
