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熊莹

作品数:10 被引量:10H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 8篇电路
  • 8篇神经元电路
  • 5篇脉冲耦合
  • 4篇树突
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 2篇电路实现
  • 2篇电压
  • 2篇电压信号
  • 2篇端节
  • 2篇信息整合
  • 2篇神经网
  • 2篇神经网络
  • 2篇特征参量
  • 2篇图像
  • 2篇频率可调
  • 2篇耦合神经网络
  • 2篇网络
  • 2篇脉冲频率
  • 2篇脉冲耦合神经...

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇杨富华
  • 10篇熊莹
  • 10篇韩伟华
  • 8篇张严波
  • 5篇赵凯
  • 4篇杨香
  • 2篇王颖
  • 1篇颜伟
  • 1篇张仁平
  • 1篇杜彦东

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种脉冲编码CMOS神经元电路的设计与实现被引量:3
2011年
从生物神经元的电化学特性出发,基于积分发放(I&F)电路理论模型,提出了一种新型的结构紧凑的脉冲编码CMOS神经元电路,模仿神经元细胞体输出连续脉冲串。该模型的优点在于大大简化了模型结构,其运行结果很好地拟合了神经元的生理特性,且在工艺参数不可调节的情况下,可通过输入信号灵活控制电路结构,改变输入耦合权重,从而实现对输入信号的脉冲编码。HSPICE仿真结果表明,该电路可以通过输出脉冲串频率实现对多端输入的二进制方波信号的权重识别,在自适应耦合调整的信息传递,图像识别神经网络构建和信号调制方面具有很大的应用前景。
熊莹韩伟华张严波杨富华
关键词:脉冲编码神经元HSPICE频率可调
一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法
本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法,该方法包括:利用树突电路实现权值的空间分布控制;利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系;以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的...
韩伟华熊莹张严波赵凯杨富华
文献传递
基于脉冲耦合神经网络模型的CMOS神经元电路
本文从生物神经元电化学特性出发,结合积分发放(IF)电路模型和脉冲耦合神经网络(PCNN)理论模型框架,提出了一种新型的脉冲耦合CMOS神经元电路,模仿神经元细胞体输出连续脉冲串。该神经元电路用并联的电容和CMOS晶体管...
熊莹韩伟华赵凯张严波杨香杨富华
关键词:脉冲耦合频率可调金属氧化物半导体电化学特性
文献传递
具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路
本发明公开了一种具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路,该电路包括整合激发神经元电路和权重自适应电路,其中,整合激发神经元电路接收外部像素点的灰度值信号和神经元之间内部的互连信号,权重自适应电路调整两神经元之间的相...
熊莹韩伟华杨富华
文献传递
基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电...
韩伟华熊莹赵凯杨香张严波王颖杨富华
增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展被引量:4
2011年
随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
杜彦东韩伟华颜伟张严波熊莹张仁平杨富华
关键词:氮化镓高电子迁移率晶体管增强型
Si纳米线场效应晶体管研究进展被引量:3
2009年
从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用。针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法。分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料作为沟道以及减小源-漏接触电阻等措施。最后对SiNWFET所面临的挑战和前景作了展望。
张严波熊莹杨香韩伟华杨富华
关键词:纳米线场效应晶体管短沟道效应
一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法
本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法,该方法包括:利用树突电路实现权值的空间分布控制;利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系;以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的...
韩伟华熊莹张严波赵凯杨富华
具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路
本发明公开了一种具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路,该电路包括整合激发神经元电路和权重自适应电路,其中,整合激发神经元电路接收外部像素点的灰度值信号和神经元之间内部的互连信号,权重自适应电路调整两神经元之间的相...
熊莹韩伟华杨富华
基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路
本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路,该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串,该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电...
韩伟华熊莹赵凯杨香张严波王颖杨富华
文献传递
共1页<1>
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