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滕硕

作品数:7 被引量:52H指数:4
供职机构:中国科学院福建物质结构研究所更多>>
发文基金:福建省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇钒酸钇
  • 6篇晶体
  • 5篇钒酸钇晶体
  • 3篇双折射
  • 3篇激光
  • 3篇YVO
  • 2篇ND
  • 1篇液相
  • 1篇液相法
  • 1篇引上法
  • 1篇双折射晶体
  • 1篇提纯
  • 1篇重结晶
  • 1篇脱水
  • 1篇晶体生长
  • 1篇激光材料
  • 1篇激光晶体
  • 1篇激光器
  • 1篇光材料
  • 1篇RAP

机构

  • 7篇中国科学院福...

作者

  • 7篇诸月梅
  • 7篇滕硕
  • 5篇李敢生
  • 4篇俞振森
  • 4篇吴喜泉
  • 4篇位民
  • 3篇熊建华
  • 2篇林博
  • 2篇王建国
  • 1篇吴少凡

传媒

  • 6篇人工晶体学报
  • 1篇化学工程师

年份

  • 1篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
钒酸钇双折射晶体原料的去水合成被引量:1
1997年
钒酸钇(YVO4)是一种非常优良的双折射晶体。它不仅具有大的双折射值(0.21,在1.34μm下),而且易生长出大尺寸、高质量的晶体,同时也易加工镀膜。现今已逐渐取代方解石和金红石,在光纤通讯中作为光隔离器里的偏振楔形物以及在以可见光到红外(5μm)的光偏振器和分裂器上应用。从早期生长的YVO4晶体透射光谱中发现在2.9μm波长附近有一个很宽的吸收峰。这是水和水致杂质(OH)-吸收所致。这将给在此波段范围内的晶体应用受到了限制。因此防止YVO4原料合成及晶体生长过程中的水和水致杂质污染是十分必要的。YVO4为金属氧化物,其原料或熔体在高温含水的气氛条件下,会引起高温水解作用生成氢氧作物:MO+αH2O→MO1-α(OH)2α(1)或表示为:O2+H2O→2(OH)-(2)在晶体生长过程中,这些氢氧化物即水致杂质(OH)-会不断地混入到晶体中引起了污染。因为水是无处不有并难以控制的杂质。因此我们尤其在原料烧结和晶体生长过程中除了尽力改善防水条件,例:原料放在隔离保纯炉内烧结防止潮湿气流入炉中,原料应保存在干燥器中。生长炉内保温材料防湿及炉壁干燥等均会减少(OH)-对YVO4晶体污染但无法根除。防止(OH)-对?
李敢生位民诸月梅俞振森滕硕吴喜泉
关键词:钒酸钇晶体脱水晶体
双折射YVO_4晶体原料的合成及最佳制备工艺的探讨被引量:14
2001年
本文介绍了液相法合成用于双折射单晶生长的钒酸钇原料的工艺。着重讨论了制备条件对原料纯度的影响 ,确定了最佳合成方案。为了适应工业化生产的需要 ,探讨了原料合成的规范化(以保证保纯性 ,均匀性 ,重复性 ) ,合成出的原料已成功生长出4 2× 4 2mm的大尺寸优质钒酸钇单晶 ,且剩料可重复使用 10次左右。
诸月梅林博熊建华滕硕
关键词:钒酸钇晶体液相法
掺钕钒酸钇原料合成与熔体特性的关系被引量:3
1998年
钒酸钇原料(熔料)在高温氧气氛中钒的氧化物具有预蒸发,而在高温缺氧的气氛中高价钒离子(V5+)会分解成低价钒离子(V4+或V3+)以及在晶体生长过程中存在着掺质Nd3+的分凝效应等特性。因此,在原料合成中,除了强调原料合成规范化(保纯性、均匀性及重复性)外,还要对初始原料及添加料的组分和掺质浓度进行适度调节。其目的是在熔体剩料多次重复使用时,所生长的晶体中Nd3+浓度基本不变,而且所生长的晶体能保持单相生长。
李敢生位民诸月梅吴喜泉俞振森滕硕王建国
大尺寸优质钒酸钇(YVO_4)双折射晶体生长被引量:21
1999年
采用硝酸脱水合成的原料,异型大口径铱坩埚,近平界面生长技术以及真空增氧退火工艺,成功地生长出直径为30~35mm,长度为50mm完整透明,无散射中心,无核芯的YVO4单晶。
李敢生吴喜泉位民诸月梅俞振森滕硕王建国
关键词:钒酸钇双折射晶体晶体生长激光材料
钒酸钇(Nd^(3+)∶YVO_(4)∶YVO_(4))晶体的原料合成被引量:22
1998年
本文介绍了钒酸钇(Nd3+:YVO4;YVO4)剩料最多的固相和液相合成方法。使用该法合成的原料用提拉法生长出30×40mm~35×40mm的优质大尺寸单晶。剩料最多可以重复使用10~15次,仍能生长出优质晶体。
位民李敢生诸月梅吴喜泉俞振森滕硕
关键词:激光晶体钒酸钇晶体引上法
Nd:YVO_4晶体的原料制备及合成条件研究被引量:3
2000年
本文详细介绍了液相法掺钕钒酸钇晶体的原料合成 ,并讨论了影响原料纯度的制备条件。用本方法合成出的原料已生长出 30×
诸月梅熊建华林博滕硕
关键词:钒酸钇晶体激光器
钒酸钇晶体原料的提纯被引量:6
2000年
钒酸钇晶体的质量与原料的纯度有着直接的关系 ,提高原料纯度不但可以克服散射中心和多晶的形成 ,还可以在保证晶体质量的同时 ,提高晶体的生长速度。市场上出售的NH4VO3为分析纯 ,稀土杂质含量为ppm量级 ,非稀土杂质的含量比稀土杂质含量高几个数量级 ,其中铁的含量为 5 0ppm。所以提纯的重点应放在降低非稀土杂质的含量上。我们把Na、K、Ca、Mg、Si和Fe作为特定杂质。铁离子是荧光猝灭剂 ,含量高时对激光十分有害。因此应首先解决除铁的问题。使Fe3 +离子水解析出沉淀Fe(OH) 3 长期以来作为一种典型的除铁方法 ,可以除去大部分的铁。但对微量的铁却没有什么效果 ,因为Fe(OH) 3 具有胶体的性质 ,不仅沉淀速度慢 ,过滤困难 ,通常应用聚凝剂使Fe(OH) 3 聚沉淀或长时间加热煮沸破坏胶体 ,但由于溶液澄清 ,不易聚沉淀 ,且不能长时间加热 ,所以从溶液中分离微量铁是很困难的。共沉淀可以除去绝大部分的铁 ,但原料的损耗太大。我们采用二次重结晶的方法来提纯NH4VO3 。为了除去其中的Fe3 +第一次重结晶时加入EDTA ,因为FeEDTA-2 的稳定常数比五价钒的大 9个数量级 ,所以可以除去绝大多数的Fe3 +。第二次重结晶时加入邻二氮菲 ,主要为了降低Fe2 +的含量 ,同时除去可与邻二氮菲生成稳定络和物的Cu、Co和Ni等杂?
吴少凡李敢生诸月梅滕硕熊建华
关键词:钒酸钇晶体
共1页<1>
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