沈浩瀛
- 作品数：21 被引量：49H指数：5
- 供职机构：东南大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 制造纳米电子器件的技术途径被引量：10
- 2000年
- 目的 为发展纳米电子器件及纳米电子学技术寻找有效途径 .方法 对目前制造纳米电子器件的主要途径 ,例如基于三束的光刻加工技术、分子组装与纳米微粒排列技术、扫描力探针加工技术等进行了概略的介绍 ,讨论了各种方法所存在的优势与限制 .结果 对基于分子组装与纳米光刻的纳料制造技术给予很大的重视 .
- 顾宁黄岚张宇廖建辉夏强王伟傅德刚沈浩瀛陈堂生郝西萍彭力赵丽新
- 关键词：纳米光刻分子组装纳米微粒
- 纳米间隙电极的制备及其在纳米器件研究中的应用
- 本文所涉及研究的目标是借助普通光刻结合光刻胶工艺、结合分子组装工艺等的选择性化学沉积法来获得电极间距可小于100nm的电极,同时研究这种电极结构应用于诸如单电子器件、DNA器件等纳米器件的研制.单电子器件是纳米器件发展中...
- 彭力赵丽新沈浩瀛陈堂胜郝西萍
- 关键词：单电子器件
- 文献传递网络资源链接
- 单电子器件被引量：3
- 1994年
- 单电子器件作为新一代器件──量子效应器件中的重要一类，其研究工作已愈来愈被人们重视。本文对这一工作进行了较全面的回顾，同时也讨论了库仑抑制等基本效应，这是此类器件的设计基础。分析了制备单电子器件的关键技术，并简要介绍了器件的潜在应用前景及目前的研制动态。
- 顾宁鲁武陆祖宏沈浩瀛
- 关键词：单电子器件
- 聚甲基丙烯酸甲酯LB膜用作高分辨率电子束抗蚀层的研究
- 1994年
- 应用LB技术制备了厚度为20—100nm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)超薄高分辨率电子束抗蚀层。应用改装的日立S-450扫描电子显微镜(SEM),研究了PMMALB膜的曝光特性和刻蚀条件。结果得到线宽0.15μm的铝掩模光栅图形,表明此种超薄膜具有良好的分辨率和足够的抗蚀性。
- 鲁武顾宁韦钰沈浩瀛张岚
- 关键词：LB膜电子束刻蚀抗蚀剂PMMA
- 以天然花粉为核心骨架的轻质金属微球的制备方法
- 以天然花粉为核心骨架的轻质金属微球的制备方法是一种以非金属物质为核心骨架的轻质金属微球的制备方法,制备的方法如下:①将花粉作表面活性处理,使原呈强亲油性的表面转变为亲水性;②用氯化亚锡胶体对上述花粉进行敏化处理,然后放入...
- 沈浩瀛顾宁徐丽娜周凯常
- 文献传递
- 用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo模拟被引量：8
- 2002年
- 用分子自组装技术制备出纳米金单电子器件 ,并测量了其伏安特性 ,根据单电子系统的半经典理论 ,用MonteCarlo法对其结果进行了模拟 .结果表明 ,模拟出的伏安曲线与实测的伏安曲线有较好的一致性 ,反映了模拟方法用于单电子器件研究的合理性 ,此外发现 ,虽然单电子器件两电极间含有众多的纳米粒子 ,但在低压区 。
- 王伟黄岚张宇李昌敏张海黔顾宁沈浩瀛陈堂生郝丽萍彭力赵丽新
- 关键词：单电子器件MONTECARLO模拟分子自组装
- 利用SEM进行高分辨率电子束曝光
- 1993年
- 由于大规模集成电路集成度与微波半导体器件使用频率的提高,使得这类器件在制造时,要求刻蚀出亚微米的线条。一般的远紫外光学曝光技术已很难满足这一要求,因而高分辨率的电子束曝光技术及软X射线曝光技术得到了广泛的重视和研究。当前国际上已研制出刻蚀精度高达0.02μm的线条,并可制备高分辨率掩模版及直接在芯片上刻蚀的高分辨率电子束曝光机。运用直线电子加速器产生软X射线的曝光方法也可以制备这类器件。
- 沈浩瀛陶景欣鲁武顾宁
- 关键词：半导体器件集成电路电子束曝光
- PMMA薄膜的AFM纳米压痕实验研究被引量：1
- 2000年
- 研究了采用商用的 ＡＦＭ对ＰＭＭＡ进行纳米压痕试验，测定 ＰＭＭＡ的力曲线与压痕深度，探讨压痕形成机理和工艺参数的影响，为ＰＭＭＡ的实际应用提供了力学基础。
- 王静赵冰顾宁沈浩瀛朱纪军朱健
- 关键词：PMMA显微硬度
- CuTCNQ的阴极荧光像
- 1993年
- CuTCNQ(铜四氰基奎诺二甲烷)是一类新型光电子材料,具有制备简便,结构多样,可塑性好等优点,已引起了世界各国高度重视,开展了对此材料复杂结构分析和物理性质的研究。 扫描电子显微镜(SEM)阴极荧光(CL)像观察的机理是通过入射电子在半导体内的散射过程中,激发内层电子及碰撞电离在导带和价带中产生大量电子-空穴对,电子、空穴复合时产生复合辐射就是半导体发出的阴极荧光。半导体的能带、掺杂量的不同及某些缺陷都将影响阴极荧光的波长和强度。因此,通过对半导体阴极荧光像及其光谱的研究可对特定材料的物理特性进行测定和研究。 我们用S-450型扫描电镜附带的阴极荧光探测装置对CuTCNQ进行观察。此装置由一可见光范甲的光电倍增管及一前置放大器组成。图1为CuTCNQ的可见光范围的阴极荧光像;图2为相同位置的二次电子形貌像。阴极荧光像的观察,对今后CuTCNQ的CL光谱并进而对其物理特性的研究无疑提供了又一途径。
- 沈浩瀛顾宁鲁武
- 关键词：光电子材料
- Cu/TiO_2超细复合粉末材料的制备与表征被引量：6
- 2002年
- 基于自催化氧化-还原反应,通过金属铜在纳米二氧化钛粉末表面上的化学沉积,制备了Cu/TiO_2超细复合粉末材料。用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、EDAX能谱分析和俄歇电子能谱分析(AES)综合表征了产物的形貌及结构情况,用四探针法测定了产物的压片电阻率。
- 徐丽娜岳增全沈浩瀛周凯常顾宁张海黔刘举正
- 关键词：二氧化钛化学沉积陶瓷
