水口将辉
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：日本东北大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- Co掺杂非晶C薄膜的低温磁输运特性及磁性能研究(英文)
- 2012年
- 采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at%)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温。研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能。通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻(MR)。温度为2K、磁场为90×79.6kA.m-1时,Co含量为6.4at%的Co-C薄膜的负磁电阻值最大,达到27.6%。随着Co含量从6.4at%增加至16.4at%,MR值从27.6%逐渐减小至2.2%。电阻率??随温度T的变化曲线显示了线性的ln?-T-1/2关系,说明样品中电子传导遵循隧穿输运机制。
- 唐瑞鹤刘伟张政军于荣海刘晓芳杨白水口将辉高梨弘毅
- 关键词：磁控共溅射磁输运磁性能
- Co含量对Co-C纳米复合薄膜磁性能和磁电阻的影响
- 2011年
- 采用磁控共溅射法制备了Co含量介于6.4at%~16.4at%的Co-C纳米复合薄膜。形貌观察表明,Co纳米颗粒均匀分散在C基体中,相邻Co颗粒被C基体较好地分离,样品呈现典型的颗粒薄膜结构。Co颗粒平均尺寸随Co含量增加而增大。薄膜在低温下磁性较强,在室温下磁性较弱;磁化强度随Co含量增加显著提高。当温度为4.2K、磁场为90×79.6kA·m-1时,在Co含量为6.4at%、8.3at%和9.6at%的Co-C薄膜中分别观察到9.1%、4.3%和1.9%的负磁电阻,为碳基磁性颗粒薄膜获得优异磁输运性能提供可能。受微结构变化影响,样品磁电阻值随Co含量的增加而下降。
- 唐瑞鹤吴章奔姜鹤杨志刚张弛水口将辉梨弘毅杨白于荣海
- 关键词：CO含量磁性能磁电阻
- Co含量对Co-C纳米复合薄膜磁性能和磁电阻的影响
- 磁控共溅射法制备了Co含量介于6．4at％~16．4at％的Co-C纳米复合薄膜。形貌观察表明，Co纳米颗粒均匀分散在C基体中，相邻Co颗粒被C基体较好地分离，样品呈现典型的颗粒薄膜结构。Co颗粒平均尺寸随Co含量增加而...
- 唐瑞鹤吴章奔姜鹤杨志刚张弛水口将辉高梨弘毅杨白于荣海
- 关键词：纳米复合薄膜磁性能磁电阻
