武煜宇
- 作品数：7 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 碳化硅表面锌的吸附及其热氧化的同步辐射光电子能谱研究
- 2006年
- 利用同步辐射光电子能谱(Synchrotronradiationphotoelectronspectroscopy,SRPES)和X射线光电子能谱(X-rayphotoelectronspectroscopy,XPS)技术,研究了金属Zn在6H-SiC表面的吸附和热氧化以及ZnO/SiC的界面形成过程。研究结果表明,在SiC表面沉积金属Zn的初始阶段,Zn可以夺取SiC衬底表面残留的氧并与之成键。随着Zn覆盖度的增加,表面具有金属特性。在2.0×10-4Pa的氧气氛中180℃温度退火下,覆盖的Zn会被部分氧化形成ZnO,还有部分Zn因其在真空中的低蒸发温度而逸出表面。在同样的氧气氛中600℃温度退火后,覆盖的金属Zn全部被氧化而生成ZnO。在氧气氛中退火时,衬底也会轻度氧化,从而导致在ZnO/SiC界面处存在一层很薄的Si的氧化层。根据得到的光电子能谱的实验结果,计算出ZnO/SiC异质结的价带偏移为1.1eV。
- 徐彭寿孙柏邹崇文武煜宇潘海斌徐法强
- 关键词：锌热氧化光电子能谱
- ZnO(000)表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究被引量：3
- 2007年
- 利用同步辐射角分辨光电子能谱(angle-resolved photoeletron spectroscopy,ARPES)并结合全势缀加平面波(full potential linearized augmented plane waves,FPLAPW)理论计算方法研究了ZnO(000)表面的价带电子结构及能带色散.通过垂直出射的ARPES得到ZnO体态沿ΓA方向的能带结构并确定了两个表面态,实验结果与理论计算结果较为一致.利用非垂直出射的ARPES得到这两个表面态沿ΓKM方向的二维能带色散.
- 徐彭寿武煜宇邹崇文孙柏袁洪涛杜小龙
- 关键词：角分辨光电子能谱
- Mn／6H-SIC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究
- 2008年
- 本文利用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)对金属Mn在6H-SiC(0001)表面的生长模式和Mn/6H-SiC(0001)界面进行了研究。实验结果表明,常温下金属Mn在6H-SiC(0001)表面上表现为二维层状生长模式。随着金属Mn沉积膜厚的增加,样品表面金属性明显增强。沉积过程中,金属Mn并未与SiC衬底发生反应,界面间由于能带弯曲导致费米能级向下移动,并计算出肖特基势垒高度(SBH)大约为1.79eV。当沉积膜厚达到2nm后,样品于250℃退火导致金属Mn向衬底扩散,但未与衬底发生反应。样品于500℃退火后界面间形成Mn的硅化物。
- 武煜宇刘金锋孙柏刘忠良徐彭寿陈秀芳徐现刚
- 关键词：光电子能谱欧姆接触
- ZnO中H导致的缺陷态的局域振动模式研究被引量：3
- 2006年
- 利用全势缀加平面波加局域轨道(APW+lo)的方法,对ZnO中H导致的几种缺陷态进行了研究,从计算的缺陷形成能来看,缺陷态最可能占据BC∥局域结构位置.但通过缺陷态的局域振动模式(LVMs)的理论计算与红外吸收(IR)实验结果的比较,我们认为:ZnO中H导致的缺陷态可以占据BC∥和ABo∥两种局域结构位置.
- 武煜宇邹崇文徐彭寿
- 关键词：ZNO
- 6H-SiC(0001)-63^(1/3)×63^(1/3)R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
- 2009年
- 利用同步辐射角分辨光电子能谱(SRARPES)对6H-SiC(0001)-63^(1/3)×63^(1/3)R30°重构表面的电子结构和表面态进行了研究.通过鉴别价带谱中来自于体态的信息,可以推断出重构表面的费米能级位于体态价带顶之上(2.1±0.1)eV处.实验测出的体能带结构与理论计算的结果较为符合.在重构表面上发现三个表面态,分别位于结合能-0.48eV(S0),-1.62eV(S1)和-4.93eV(S2)处.沿着表面布里渊区的高对称线ΓKM方向,测量了相关表面态的能带色散,只有表面态S0(-0.48eV)表现出了所希望的63×63R30°重构周期性.根据实验现象,可以认为,表面态S0应归结于重构表面的C—C悬键,而表面态S1则由重构表面未钝化的C悬键所导致.
- 武煜宇陈石高新宇Andrew Thye Shen Wee徐彭寿
- 关键词：角分辨光电子能谱电子结构表面态
- 宽带隙半导体SiC、ZnO的同步辐射光电子能谱研究
- 以SiC和ZnO等为代表的第三代宽禁带半导体材料由于具有禁带宽度大、化学稳定性好、导热性能强等优点,在下一代高温、高频、大功率的微电子和光电子器件的发展中拥有良好前景。而同步辐射光电子能谱作为一种探测物质电子结构的有效手...
- 武煜宇
- 关键词：宽带隙半导体光电子能谱导热性能
- 文献传递
- 衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响被引量：6
- 2007年
- 利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低.
- 刘金锋刘忠良武煜宇徐彭寿汤洪高
- 关键词：碳化硅薄膜硅衬底衬底温度
