林雪玲
- 作品数：11 被引量：22H指数：3
- 供职机构：宁夏大学物理与电子电气工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程机械工程环境科学与工程更多>>
- 氮掺杂的金刚石磁性研究被引量：4
- 2013年
- 采用第一性原理计算方法研究金刚石中由空位或者N掺杂引起的磁特性.发现-1价和-2价的碳空位能分别产生3μB和2μB的磁矩;-2价的碳空位能够引发长程有序的铁磁耦合状态,而-1价的碳空位更倾向于反铁磁耦合.掺杂N元素能有效地控制空位的荷电状态及相应的磁相互作用,这一结果为在金刚石中实现非过渡族金属掺杂的铁磁性提供了一条新的路径.
- 林雪玲潘凤春
- 关键词：第一性原理计算氮掺杂金刚石磁性
- 氧化物颗粒增强Ni-W-P/Nb_2O_5复合镀层制备及其耐腐蚀性能被引量：1
- 2015年
- 目的对NdFeB磁性材料进行表面防护处理,改善其耐腐蚀性能。方法利用化学镀方法,在NdFeB基体材料表面制备氧化物颗粒增强的晶态和非晶态Ni-W-P/Nb2O5复合镀层,对镀层的组织形貌、元素组成分布及物相进行分析,并通过化学腐蚀失重法对耐腐蚀性能进行测试。结果当镀液中的次亚磷酸钠含量为20 g/L时,形成了晶态镀层;为35 g/L时,形成了非晶态镀层。晶态和非晶态Ni-W-P/Nb2O5镀层均由胞状突起组成,其中弥散分布着共沉积的Nb2O5颗粒。镀层样品的XRD图谱中没有出现与钕铁硼相关的衍射峰。对于制备的晶态和非晶态复合镀层,镀液中Nb2O5质量浓度由5 g/L增加到15 g/L时,化学腐蚀速率明显下降;Nb2O5质量浓度由15 g/L增加到20 g/L时,化学腐蚀速率的下降变得缓慢。结论利用化学镀可以在NdFeB磁性材料表面制备致密的Nb2O5增强Ni-W-P复合镀层,且随着Nb2O5含量的增加,复合镀层的耐腐蚀性能提高。
- 马治陈焕铭潘凤春席丽莹林雪玲王琴吕琼
- 关键词：耐腐蚀性能钕铁硼共沉积
- 铟锡氧化物电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：1
- 2016年
- 透明导电氧化物薄膜具有高的可见光透明度和较低的电阻系数,已成为当前的研究热点.早期关于氧化铟材料的理论研究没有考虑In原子4d电子的交换关联库伦位能,使得计算的带隙值远低于实验值;另外关于Sn原子掺杂的氧化铟物理特性的研究比较少,不同掺杂位置对材料结构和电子结构的影响缺乏系统的研究.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理的LDA+U方法系统研究了Sn掺杂In_2O_3材料的电子结构和光学性质.研究表明Sn的引入能降低In_2O_3体系的禁带宽度,并在禁带中引入主要由Sn-5p轨道上的电子构成的杂质能级,禁带宽度的降低和杂质能级的引入可以改变In_2O_3材料对可见光的透明度,并可提高其电导率.Sn离子掺杂后体系的几何结构和电子结构发生改变是导致体系一系列性质发生改变的原因.通过Mulliken布局分析得知掺杂后的Sn-O键相比于掺杂前的In-O键的键长变短,同时前者比后者的离子键成份更强.
- 林雪玲潘凤春
- 关键词：第一性原理IN2O3光学性质
- Gd掺杂Li_4Ti_5O_(12)电化学特性的第一性原理研究被引量：1
- 2016年
- 基于第一性原理计算,研究Gd掺杂的Li_4Ti_5O_(12)锂离子电池负极材料的电化学特性.Gd原子替代16d位的原子形成p型或n型的Li_4Ti_5O_(12),引入的空穴和电子有效提高Li_4Ti_5O_(12)材料的电导率,同时Gd的引入有效增大Li_4Ti_5O_(12)晶胞的晶格常数,从而加宽了Li离子在体系内的扩散通道,有利于Li离子的嵌入和脱出.作为一种零应变材料,Gd的掺杂有效提高Li_4Ti_5O_(12)锂离子电池负极材料的大倍率电流充放电性能、电池的充放电比容量以及材料循环性能的稳定性.
- 林雪玲陈治鹏潘凤春陈焕铭
- 关键词：第一性原理计算GD掺杂LI4TI5O12电化学特性
- 共沉积晶态Ni-P-W-Nb_2O_5复合镀层的性能研究被引量：1
- 2016年
- 利用晶态镀液在钕铁硼磁性材料基体表面共沉积Ni-P-W-Nb2O5复合镀层,对镀层的电化学性能、共沉积镀层与基体的结合性能及镀层的显微硬度进行测试。结果表明：当晶态镀液中Nb2O5颗粒的质量浓度为5-15 kg/m3时,共沉积Ni-P-W-Nb2O5复合镀层的电化学性能及其与基体间的结合强度随镀液中Nb2O5颗粒浓度的增加而增加;当镀液中Nb2O5颗粒的质量浓度由15 kg/m3增加到20 kg/m3时,镀层的电化学性能及其与基体间的结合强度有所下降。显微硬度测试结果表明,共沉积Ni-P-W-Nb2O5复合镀层的硬度随着镀液中Nb2O5颗粒浓度的增加呈单调增加趋势。
- 马治陈焕铭潘凤春吕琼王琴林雪玲席丽莹
- 关键词：共沉积镀层性能
- N掺杂金红石TiO_2光学性质的第一性原理研究被引量：3
- 2016年
- 运用第一性原理的LDA+U(U_(Ti-3d)=7eV,U_(O-2p)=4eV)方法研究了N掺杂金红石TiO_2的电子结构和光学吸收性质。研究表明N元素的掺杂可以降低TiO_2的禁带宽度并在带隙中引入杂质能级。杂质能级主要由O-2p轨道和N-2p轨道之间的耦合形成。杂质能级的引入以及带隙宽度的降低可以增加TiO_2对可见光的响应,并提高Ti O2的光催化活性。费米能级附近的态密度由O-2p轨道和N-2p轨道之间的耦合形成π键构成,电子占据π键态和空的σ键态能级差大约为0.4 eV,可使N掺杂Ti O2的光学吸收边落在在红外区域,即发生了所谓的光学吸收边的红移现象。
- 林雪玲潘凤春陈焕铭
- 关键词：第一性原理TIO2N掺杂光学性质
- 非掺杂锐钛矿相TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 2017年
- 运用第一性原理的LDA+U(U_(Ti)=5.8 eV)方法研究了Ti空位(V_(Ti))和O空位(VO)对非掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构和光学吸收性质的影响.研究表明V_(Ti)可以有效提升TiO_2体系对可见光的响应,而VO则不能.在双V_(Ti)体系,由于杂质能级数目的增多可降低TiO_2体系的有效禁带宽度,进一步提升了TiO_2在可见光区的吸收强度.在V_(Ti)和VO共存的TiO_2体系,由VO引入的两个电子占据了费米能级处的杂质能级会使体系的价带顶上移,同时由VO引入的杂质能级位于禁带之间可以作为价电子由价带向导带之间跃迁的桥梁,因此此种结构对可见光的响应是最好的,有效的提高了TiO_2半导体的光电转换效率和光催化能力.
- 潘凤春林雪玲张栋
- 关键词：第一性原理TIO2非掺杂光学性质
- 3C-SiC电子结构和铁磁性的第一性原理研究被引量：3
- 2014年
- 基于第一性原理计算的方法,研究了3C-SiC中缺陷的磁学性质。结果表明,-1价和-2价的硅空位可分别引入3μB和2μB的磁矩,而中性的硅空位却不能引入自发的自旋极化。由于缺陷波函数的扩展性,-2价的硅空位间在距离0.861 6 nm时仍然是长程铁磁耦合的,但-1价的硅空位间是反铁磁耦合,因而该种缺陷对磁性没有贡献。
- 林雪玲潘凤春
- 关键词：SIC磁性第一性原理
- 阳离子空位磁矩起因探讨
- 2015年
- 运用群论和分子轨道理论的方法,系统地研究了非掺杂磁性半导体中阳离子空位产生磁矩的原因,并用海森堡模型阐明了磁矩之间的交换耦合机理.研究发现:阳离子空位磁矩的大小与占据缺陷能级轨道的未配对电子数有关,而缺陷能级的分布与空位的晶场对称性密切相关;通过体系的反铁磁状态和铁磁状态下的能量差估算交换耦合系数J_0,交换耦合系数J_0的正负可以用来预测磁矩之间的耦合是否为铁磁耦合:J_0>0,则表明磁矩之间的耦合为铁磁耦合,反之为反铁磁耦合.最后指出空位的几何构型发生畸变(John-Teller效应)的原因:缺陷能级轨道简并度的降低与占据缺陷能级轨道的电子的数目有直接的关系.
- 潘凤春林雪玲陈焕铭
- 关键词：磁矩电子结构对称性
- 非掺杂锐钛矿相TiO_2铁磁性的第一性原理研究被引量：3
- 2017年
- 运用第一性原理的方法研究了锐钛矿相TiO_2中O空位(V_o)和Ti空位(V_(Ti))的电子结构和磁学性质.计算结果表明,单独的V_o并不会诱发局域磁矩,V_(Ti)可以产生大小为4μB(1μ=9.274×10^(-21)emu,CGS)的局域磁矩,主要分布在其周围的0原子上.这两种缺陷产生局域磁矩的原因在文中做了详细的介绍.此外,由两个V_(Ti)诱发的局域磁矩之间的磁耦合相互作用为铁磁耦合,其交换耦合系数J_0为88.7 meV,意味着V_(Ti)间的铁磁耦合可以持续到室温.虽然V_o并不会产生局域磁矩,但是引入V_o可以进一步提升两个V_(Ti)之间的耦合强度,这可以对非掺杂锐钛矿结构的TiO_2体系中铁磁性的来源作出解释:V_(Ti)产生了局域磁矩,而V_o增强了V_(Ti)间长程的铁磁耦合相互作用.此外,还提出了局域磁矩之间耦合的第二类直接交换作用模型.
- 潘凤春徐佳楠杨花林雪玲陈焕铭
- 关键词：第一性原理TIO2非掺杂铁磁性
