林若兵
- 作品数：6 被引量：16H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AlGaN//GaN HEMT空气桥技术研究
- 随着AlGaN//GaN HEMT朝着高频、大功率的方向不断发展,采用空气桥实现独立源端或漏端的互连,具有低寄生电容、方便制备、高可靠性等优点,越来越体现出其重要性。本文首先从空气桥的相关理论入手,分析得出一种便于制备、...
- 林若兵
- 关键词：电镀技术
- 文献传递
- 化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法
- 本发明公开了一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法。主要解决现有技术制作空气桥拱形高度低，宽度窄，器件可靠性差的问题。其工艺过程是：在基片上分别涂前烘温度不同的剥离胶和光刻胶，并光刻出桥区及电极的区域，形成牺牲...
- 郝跃林若兵冯倩王冲
- 文献传递
- 场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理被引量：9
- 2008年
- 在不同的漏偏压下,研究了钝化和不同场板尺寸AlGaN/GaNHEMT对电流崩塌的抑制能力.实验结果表明,钝化器件对电流崩塌的抑制能力随着漏偏压的升高而显著下降;在高漏偏压下,场板的尺寸对器件抑制崩塌的能力有较大影响,而合适尺寸的场板结构在各个漏偏压下都能够很好的抑制电流崩塌.深入分析发现,场板结构不仅能够抑制虚栅的充电过程,而且提供了放电途径,有利于虚栅的放电,从而抑制电流崩塌.在此基础上,通过建立场板介质对虚栅放电的模型,解释了高漏偏压下场板的尺寸对器件抑制崩塌的能力有较大影响的原因.
- 魏巍林若兵冯倩郝跃
- 关键词：GANHEMT场板电流崩塌
- 微波和高温器件的一种空气桥互连方法被引量：6
- 2008年
- 空气桥是单片微波集成电路MMICs的一种高速互连技术,其目的是减少微波大功率器件单位面积的寄生电容,提高器件的频率特性.文中提出了一种灵活性很强,应用于微波和高温器件的空气桥定型方法.该方法利用不同性质的光刻进行多层甩胶、低温烘烤牺牲层,制出弧度很好的桥区拱形牺牲层,经低温烘烤的牺牲层的高度比烘烤前的高出60%.利用该方法可以制出高性能和高可靠性的空气桥互连结构.
- 林若兵魏巍冯倩王冲郝跃
- 关键词：空气桥牺牲层技术
- 化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法
- 本发明公开了一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法。主要解决现有技术制作空气桥拱形高度低，宽度窄，器件可靠性差的问题。其工艺过程是：在基片上分别涂前烘温度不同的剥离胶和光刻胶，并光刻出桥区及电极的区域，形成牺牲...
- 郝跃林若兵冯倩王冲
- 文献传递
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究被引量：1
- 2008年
- 在不同应力条件下,研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火前后的电流崩塌、栅泄漏电流以及击穿电压的变化.结果表明,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管通过肖特基高温退火以后,器件的特性得到很大的改善.利用电镜扫描(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,Ni和AlGaN层之间介质的去除,并且AlGaN材料表面附近的陷阱减少,使得肖特基有效势垒提高,从而提高器件的电学特性.
- 林若兵王欣娟冯倩王冲张进城郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管肖特基接触
