林健
- 作品数：9 被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 磷化铟单晶片三步抛光技术研究被引量：6
- 2012年
- 在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表面粗糙度的控制。在粗抛阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的抛光液、有效氯含量高的氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较高的作用模式下达到平衡,使磷化铟单晶片表面快速达到镜面水平。在中抛阶段,采取平面结构抛光布、硅胶直径较小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较低的作用模式下达到平衡,实现对磷化铟单晶片局部平整度的控制。在精抛阶段,采取绒毛结构抛光布、硅胶直径更小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,实现对磷化铟单晶片表面粗糙度的控制。
- 杨洪星王云彪刘春香赵权林健
- 关键词：表面粗糙度
- 外延生长用磷化铟单晶片清洗技术被引量：3
- 2016年
- 根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜（AFM）、表面分析仪和X射线光电子能谱（XPS）对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶片表面雾值变化进行研究。结果表明,清洗后的磷化铟晶片表面粗糙度达到0.12 nm,优于国外磷化铟晶片（0.15~0.17 nm）。XPS测试结果显示晶片表面形成了富铟层,富铟层降低了磷化铟晶片表面化学活性,起到了表面稳定作用,提高了外延生长质量。
- 武永超林健刘春香王云彪赵权
- 关键词：表面粗糙度
- InP晶体多线切割工艺研究被引量：4
- 2012年
- 磷化铟(InP)是重要的化合物半导体材料,在微波、毫米波器件以及抗辐照太阳电池等领域有着广泛的应用。由于InP材料的硬度较小,并且易于解理,因此InP材料的切割具有较大的技术难度。对InP晶体的多线切割工艺进行了研究,并重点分析了多线切割工艺中工艺参数设置(如切割速度、切割线张力等)对InP切割片几何参数的影响。实验结果表明,InP不但可以采用多线切割技术进行切割,而且通过调整切割工艺参数,如适当提高切割速度、增加切割线张力等可以获取几何参数精度较高的InP切割片。
- 李保军林健马玉通
- 空间太阳能电池用超薄锗单晶片的清洗技术
- 2011年
- 由于锗在常温时即不与浓碱发生反应,也不与单一的强酸反应[1],因此其清洗机理与硅、砷化镓等材料相差较大[2,3]。在大量实验的基础上,阐述了锗单晶抛光片的清洗机理。通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗技术,利用该技术清洗的超薄锗单晶抛光片完全满足了空间高效太阳电池的使用要求。
- 林健赵权刘春香杨洪星
- LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制被引量：8
- 2007年
- 在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能。在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制。
- 周春锋林健郭鑫吴元庆张亮赖占平
- 关键词：砷化镓碳硼
- VB-GaAs单晶生长技术被引量：3
- 2007年
- 半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管。对于激光二极管而言,特别需要低位错材料。简要阐述了垂直布里奇曼(VB)法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaAs单晶的生长技术。本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长,拉制的50 mm掺硅GaAs单晶的平均位错密度为500 cm-2,最大为1000 cm-2。
- 林健牛沈军兰天平
- 关键词：砷化镓单晶位错密度
- 空间太阳电池用超薄Ge单晶片的CMP技术被引量：1
- 2010年
- 以Ge单晶抛光片为衬底的空间太阳电池在我国的应用已越来越多。目前,抛光后Ge单晶片的几何参数,尤其是表面状态常不能满足使用要求。介绍了超薄Ge衬底片抛光的工艺技术,开展了抛光压力、抛光盘转速与抛光去除速率的关系实验,对影响Ge单晶抛光片几何参数和表面质量的原因进行了分析和实验研究。工艺优化后抛光的产品完全满足了空间高效太阳电池的衬底的使用要求。
- 林健赵权刘春香杨洪星
- 关键词：抛光
- VB-GaAs单晶中掺Si浓度的控制
- 2010年
- 低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的。本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式。按此公式,在VB-GaAs单晶中得到了理想的掺Si浓度。
- 林健兰天平牛沈军
- 关键词：掺杂剂
- 多线切割工艺中晶片翘曲度的控制被引量：7
- 2009年
- 翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。采用逐点扫描法对多线切割制备的晶片翘曲度分布进行了测量。通过对切割线张力、砂浆使用次数、切割速度等影响翘曲度的主要因素进行实验分析,阐述了产生的原因,并得出了翘曲度的分布规律。针对影响翘曲度的主要因素,根据其分布规律调整相应的切割工艺条件,可较好地控制晶片的翘曲度。虽是针对Si单晶加工中出现的实验情况进行分析,但该结论完全可用于Ge、GaAs等其他晶体的加工中。
- 林健
- 关键词：翘曲度晶片砂浆
