您的位置: 专家智库 > >

杜含笑

作品数:4 被引量:11H指数:2
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 2篇带隙基准
  • 2篇带隙基准源
  • 2篇外部电路
  • 2篇缓冲电路
  • 2篇基准源
  • 2篇集成电路
  • 2篇CMOS带隙
  • 2篇CMOS带隙...
  • 2篇CMOS带隙...
  • 2篇产生电路
  • 2篇大规模集成电...
  • 1篇低压差
  • 1篇电路设计
  • 1篇电源
  • 1篇直流-直流变...
  • 1篇直流变换
  • 1篇直流变换器
  • 1篇死区
  • 1篇死区时间

机构

  • 4篇西安电子科技...
  • 1篇西安邮电学院
  • 1篇西安航空技术...

作者

  • 4篇杜含笑
  • 3篇赵永瑞
  • 3篇来新泉
  • 2篇王松林
  • 2篇张华磊
  • 1篇何惠森
  • 1篇许文丹
  • 1篇田磊

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
CMOS带隙基准源
本发明公开了一种CMOS带隙基准源,主要解决现有技术电路复杂、版图面积大的问题。它由启动电路(1)、偏置电流产生电路(2)、基准电压产生电路(3)和输出缓冲电路(4)依次电连接构成;其中,启动电路(1)产生一个低电压输出...
王松林来新泉张华磊赵永瑞杜含笑
文献传递
一种精简的高速率功率MOS驱动器被引量:9
2012年
设计了一种具有新颖的死区产生方法的高压功率MOS驱动电路,利用电阻调节驱动MOS管栅极电容充放电的时延,来产生极短的死区时间,可精简电路结构,提高驱动速率,并且无需电流偏置,就能有效降低电流源噪声.基于0.4μm BCD工艺,经Cadence环境下进行仿真验证.结果表明,该驱动电路能够产生10ns以下的死区时间,且传输时延低于70ns.对采用该驱动电路的一款功率因数校正芯片进行测试,驱动输出开关信号的上升沿时间为90ns,下降沿时间为55ns.功率因数可达0.995,总谐波失真为6.5%.
何惠森来新泉许文丹赵永瑞田磊杜含笑
关键词:功率MOSFET功率因数校正BCD工艺死区时间
高性能电源管理类集成电路的关键技术研究
近年来,随着技术需求的不断变化,电子产品技术也随之飞快发展,移动充电宝、无线鼠标、无线电子手表等便携式可穿戴设备也不断地出现。作为主要电源管理类芯片,LDO线性稳压电源和DC-DC变换器等在电子产品中的应用也越来越广泛。...
杜含笑
关键词:电路设计直流-直流变换器
CMOS带隙基准源
本发明公开了一种CMOS带隙基准源,主要解决现有技术电路复杂、版图面积大的问题。它由启动电路(1)、偏置电流产生电路(2)、基准电压产生电路(3)和输出缓冲电路(4)依次电连接构成;其中,启动电路(1)产生一个低电压输出...
王松林来新泉张华磊赵永瑞杜含笑
共1页<1>
聚类工具0