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李晖

作品数：12 被引量：19H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 4篇CMP
  • 3篇抛光
  • 3篇面粗糙度
  • 3篇晶片
  • 3篇表面粗糙度
  • 3篇粗糙度
  • 2篇单晶
  • 2篇氮化镓
  • 2篇衍射
  • 2篇双晶衍射
  • 2篇碳化硅
  • 2篇气相外延
  • 2篇厚层
  • 2篇X射线双晶衍...
  • 1篇单晶片
  • 1篇多晶
  • 1篇性能表征
  • 1篇亚表面损伤层

机构

  • 12篇中国电子科技...

作者

  • 12篇李晖
  • 8篇高飞
  • 7篇程红娟
  • 5篇徐永宽
  • 3篇史月增
  • 3篇徐世海
  • 2篇杨丹丹
  • 2篇张嵩
  • 2篇徐所成
  • 2篇王磊
  • 2篇郝建民
  • 2篇张弛
  • 1篇刘金鑫
  • 1篇张丽
  • 1篇徐胜
  • 1篇张颖武
  • 1篇岳洋
  • 1篇张峰
  • 1篇王健

传媒

  • 4篇微纳电子技术
  • 1篇天津科技
  • 1篇半导体技术
  • 1篇红外技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硒化镉晶体生长及性能表征被引量：3
2016年
硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表明单晶生长面为(001)面,衍射峰的半高宽较小。光学性能测试表明,CdSe材料在近红外波段内具有较好的光学透过特性。
张颖武李晖程红娟
清洗工艺对AlN单晶抛光片表面有机沾污的影响被引量：1
2021年
研究了化学机械抛光(CMP)后AlN单晶片的清洗。将除蜡剂清洗法、RCA清洗法、食人鱼溶液清洗法以及丙酮和异丙醇(IPA)的混合溶液清洗法等进行组合,对抛光后的AlN单晶片表面进行超声清洗,并通过微分干涉显微镜、原子力显微镜(AFM)及光电子能谱仪(XPS)对清洗效果进行了表征,并分析了不同清洗方法对有机沾污的去除效果。实验结果表明,RCA清洗法清洗后晶片表面残留的有机沾污的含量最低,而食人鱼溶液清洗法可显著减小有机颗粒的尺寸,除蜡剂与丙酮和异丙醇的混合溶液对有机沾污的去除效果相近。优化的清洗工艺以丙酮和异丙醇的混合溶液作为初步清洗溶液,随后依次对晶片进行食人鱼溶液清洗和RCA清洗,应用此优化工艺清洗后的AlN单晶片表面颗粒较少,C—H键、C=O键和C—OH键的百分比分别为75.5%、20.4%和4.1%,表面粗糙度为0.069 2 nm。
徐世海边子夫高飞张丽程红娟王健李晖
有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响
2020年
研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响。分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面5点厚度的变化。发现采用液体蜡贴片时,加工晶片的TTV较好,蜡层的均匀性是影响晶片TTV的主要原因,蜡层厚度均匀性差会使晶片TTV变差,同时也会使晶片发生不规则的形变。并且分析了旋涂参数对液体蜡蜡层均匀性的影响。结果表明,在滴蜡时间为2.3 s、低速旋转速度为700 r/min、低速旋转时间为6 s、高速旋转速度为3000 r/min、高速旋转时间为7 s的条件下,贴片表面5个点的厚度偏差小于2μm,加工晶片的TTV小于5μm。
高飞李晖张弛
关键词：翘曲度
GaSb单晶片CMP工艺的研究被引量：3
2017年
主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过调节抛光液配比、pH值等工艺参数,研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同pH值对GaSb单晶片表面的影响。通过实验得出,最终在pH值为8且使用NaClO作为氧化剂的条件下,得到平整度较好、表面缺陷少、表面粗糙度低的高质量抛光表面的GaSb单晶片。通过微分干涉显微镜观察抛光后的单晶片表面无明显缺陷。经原子力显微镜(AFM)测试,单晶片的表面粗糙度达到了0.257 nm。
边子夫李晖徐世海刘卫丹陈阳高飞朱磊
关键词：GASBPH值
β-Ga_(2)O_(3)晶体金刚石线锯切割的表面质量研究被引量：1
2022年
本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶切割片表面质量的影响,并采用SEM和SJ-210粗糙度测试仪探究了工艺参数对金刚石线锯切割后的晶片表面质量的影响。实验结果表明,增大锯丝速度或减小材料进给速度都能降低亚表面损伤层深度及表面粗糙度,有效改善晶片表面质量。
李晖高鹏程程红娟王英民高飞张弛王磊
关键词：金刚石线锯亚表面损伤层表面粗糙度
碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究
2023年
分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量,通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强,从而使晶片Si面更加光滑。此外,通过显微截面法测试了SiC晶片两面的损伤层深度。结果表明,Si面损伤层深度约为7.89μm,明显低于C面的13.8μm,显微镜下观察到截面边缘更加平整。该方法进一步证明了多线切割时晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面的磨削效果更强,从而造成SiC晶片两面表面形貌和质量存在差异。
樊元东李晖王英民高鹏程王磊高飞
关键词：表面粗糙度
PVT法生长ZnTe晶体的技术被引量：3
2013年
采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体。实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构。实验过程中,通过调整原料区与生长区温差和压强等工艺条件进行一系列籽晶扩大实验。发现适当缩小温差、增加生长压强有益于籽晶横向扩展。当温差缩小到35℃,压强增加到230 mbar(1 mbar=102 Pa),生长出了直径45 mm、厚度8 mm的ZnTe单晶。观察发现,晶体表面存在明显的孪晶线,孪晶线产生原因为生长前籽晶边缘有破损,导致生长过程突变。取其较大的单晶进行XRD测试,结果显示该ZnTe单晶具有良好的〈111〉晶向和结晶质量。
李晖徐永宽程红娟史月增郝建民
关键词：单晶多晶籽晶
SiC晶片双面和单面抛光相结合的化学机械抛光被引量：2
2020年
以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法。先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特点,对比分析了采用此方法与传统单面抛光加工晶片的几何参数。采用表面缺陷测试仪和原子力显微镜检测加工晶片的表面形貌。结果表明,双面抛光5 h后,碳面无划痕,表面粗糙度达到0.151 nm,硅面则存在较多浅划痕,表面出现了一些类似台阶的结构;采用单面抛光工艺对硅面抛光1 h后即可获得具有规则排列原子台阶构型、无划痕的表面;与传统的单面抛光工艺相比,此方法加工晶片的几何参数优异,其中总厚度变化(TTV)值小于1.5μm,局部厚度变化(LTV)值小于0.6μm,翘曲度一致性好。
高飞李晖程红娟
HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响被引量：1
2012年
采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析。生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中V/Ⅲ影响成核岛演变的规律。
杨丹丹徐永宽程红娟张嵩李晖徐所成史月增刘金鑫岳洋张峰郝建民
关键词：氢化物气相外延氮化镓X射线双晶衍射
CdS晶片化学机械抛光的表面粗糙度研究被引量：1
2018年
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液组分对硫化镉(CdS)晶片表面粗糙度的影响。通过分析磨粒浓度、氧化剂种类及浓度、pH值对CdS晶片表面粗糙度的影响后,得到了用于Cd S晶片Cd面CMP的抛光液配比,即磨粒SiO_2浓度为20%,氧化剂NaClO的浓度为2.5%,pH值为10.64。在优化其他工艺条件下,采用该抛光液对CdS晶片Cd面进行抛光,可以获得高质量的抛光表面,经原子力显微镜(AFM)测试,在10mm×10mm的区域内,Cd面表面粗糙度Ra仅为0.171 nm。该抛光液也适用于S面的抛光,S面表面粗糙度Ra可达到0.568 nm,从而达到双面共用的效果。
李晖徐世海高飞徐永宽
关键词：CMP抛光液表面粗糙度
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