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李春雷

作品数:22 被引量:25H指数:4
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程化学工程一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 6篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇天文地球
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 15篇电池
  • 12篇太阳能
  • 12篇太阳能电池
  • 12篇溅射
  • 11篇磁控
  • 11篇磁控溅射
  • 8篇预制
  • 6篇铜铟镓硒
  • 4篇CIGSE
  • 4篇IPV6地址
  • 3篇太阳电池
  • 3篇
  • 3篇
  • 3篇CIGS
  • 2篇单播
  • 2篇电子设备
  • 2篇电阻率
  • 2篇选项
  • 2篇用户
  • 2篇用户身份

机构

  • 22篇清华大学

作者

  • 22篇李春雷
  • 17篇庄大明
  • 17篇张弓
  • 9篇宋军
  • 6篇刘江
  • 5篇元金石
  • 4篇吴茜
  • 4篇李贺武
  • 3篇韩东麟
  • 3篇向华
  • 2篇张宁
  • 2篇段宇波
  • 2篇栾和新
  • 1篇李秋芳

传媒

  • 4篇真空科学与技...
  • 3篇太阳能学报
  • 2篇中国表面工程
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2014
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
两步法制备的CuInGaSe_2薄膜中Ga的富集现象
2011年
采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分。研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象。富集现象弱化了Ga元素对禁带宽度的提高作用,并且由于薄膜背电极侧Ga含量过高导致背电极处缺陷浓度增加,从而降低了CIGSe薄膜的质量。结合Zhang等对CuInSe2和CuGaSe2中缺陷对生成能的理论计算,本文认为较高的2VCu-GaCu缺陷对形成能造成了Ga元素的背电极富集现象。
李春雷庄大明张弓刘江宋军
关键词:太阳能电池铜铟镓硒两步法
溅射参数对CuInGa预制膜成分和结构的影响
作为CIGSe太阳能电池重要组成部分的CIGSe吸收层可以采用预制膜+硒化两步法制备。本文采用磁控溅射方法制备了成分均匀、具有一定成分比例的CuIn、CuGa、CuInGa预制膜。X射线荧光分析(XRF)结果显示随着溅射...
李春雷庄大明张弓宋军
关键词:CIGSE磁控溅射太阳能电池
文献传递
载气对CIGS薄膜结构和表面形貌的影响被引量:9
2008年
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。分别以N2和Ar为载气,采用硒蒸汽硒化法制备了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2和Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,采用Ar和N2为载气时,在各个流量下所制备的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。采用Ar为载气时,当Ar流量为0.10 m3/h时,所获得的CIGS薄膜的孔隙最少,随着Ar流量的增大,薄膜孔隙增多,变得疏松。采用N2为载气时,当N2流量为0.10 m3/h、0.20 m3/h、0.30 m3/h时,所获得的CIGS薄膜孔隙较多,当N2增大到0.40 m3/h时,薄膜变得致密,所获得的CIGS的CuI、n、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围。
韩东麟张弓庄大明元金石李春雷
关键词:太阳能电池CIGS磁控溅射
中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究
利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得...
刘江庄大明张弓李春雷段宇波
关键词:ZAO薄膜磁控溅射电阻率透过率
文献传递
预制膜硒化法制备的CIGSe薄膜成分分布研究
本文采用磁控溅射的方法制备Glass\CuIn\CuGa结构的CIG预制膜,采用固态硒源硒化法制备CIGSe薄膜。利用AES分析方法对比研究了CIG预制膜和CIGSe薄膜中Cu、In、Ga三种元素深度方向分布的不同,并采...
李春雷庄大明张弓刘江宋军
关键词:铜铟镓硒太阳能电池
文献传递
梯度带隙CIGSeS太阳能电池吸收层的制备及性能研究
李春雷
关键词:太阳能电池硫化
硒化法制备铜铟铝硒薄膜及其性能研究(英文)被引量:1
2007年
采用中频交流磁控溅射方法制备了CIA前驱膜,并采用固态硒化法进行处理,获得了CIAS吸收层薄膜。采用SEM和XRD观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌。结果表明,通过调节CIA前驱膜的Al含量可制备得到Cu/(In+Al)原子比接近1,且Al/(In+Al)比例可调的CIAS薄膜。CIAS薄膜由Cu(In1-xAlx)Se2固溶体相组成,Al主要是以替代In的固溶形式存在。
向华庄大明张弓李春雷
关键词:太阳能电池磁控溅射
铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法
本发明公开了属于光电功能材料领域的一种铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法。是按照CuIn<Sub>1-x</Sub>Ga<Sub>x</Sub>Se<Sub>2</Sub>或CuIn<Sub>1-x</S...
庄大明张弓张宁元金石李春雷宋军
文献传递
溅射功率对CIAS电池吸收层前驱膜成分和结构的影响被引量:4
2007年
采用中频交流磁控溅射方法制备了CuIn、CuAl和CIA合金膜。并用SEM及XRD观察和分析了各种薄膜的表面形貌、成分和组织结构,着重分析了靶功率密度对薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明,通过调节靶功率密度,能精确控制薄膜中CuI、n、Al比例。制备得到了Cu/(In+Al)原子比接近1,且Al/(In+Al)比例可调的成分分布均匀的CIA薄膜。CIA前驱膜是以CuIn和In为基础相,Al原子主要是以替代In原子的固溶体形式存在。当溅射CuIn合金靶和CuAl复合靶的功率密度分别为0.20和0.15 W/cm2时,可制备得到由Cu11In9和CuIn两相组成的理想的CIA前驱膜。
向华庄大明张弓李春雷
关键词:太阳电池磁控溅射
双层预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量:1
2008年
采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜,制备了CuInGa(CIG)双层预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变,对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,改变溅射制备CuGa层的工作气压,所获得的CIG双层预制膜均由Cu11In9、CuIn和CuGa组成。在溅射制备CuGa层的工作气压为1.0 Pa的条件下所获得的CIG双层预制膜经过硒化后,获得的CIGS薄膜致密。采用不同结构的双层预制膜,在不同的硒化时间下制备的CIGS薄膜,均具有黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。
韩东麟张弓庄大明元金石李春雷
关键词:太阳能电池磁控溅射
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