李勇
- 作品数：35 被引量：6H指数：2
- 供职机构：平顶山学院更多>>
- 发文基金：山西潞安矿业(集团)有限责任公司科研项目河南省基础与前沿技术研究计划项目河南省高校科技创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学电子电信更多>>
- 基于硅纳米孔柱阵列的Zn掺杂CdS纳米晶光学特性研究
- 2018年
- 利用化学水浴法在硅纳米孔柱陈列(Si-NPA)上沉积了硫化镉(CdS)纳米晶,制得硫化镉/硅纳米孔柱阵列(CdS/Si-NPA)纳米异质结,并对非掺杂和锌(Zn)掺杂CdS/Si-NPA进行表征。研究结果表明:CdS/Si-NPA的结构保持了Si-NPA的规则阵列结构,通过加入一定量的氯化锌,实现了Zn对CdS的掺杂,Zn掺杂后的CdS晶粒大小由约18.1nm减小为约17.6nm,Zn的掺入导致了CdS/Si-NPA的光学带隙由约2.45eV增大到约2.49eV,Zn的掺杂能有效调控CdS带隙。
- 张晓丽刁润丽李勇
- 关键词：硅纳米孔柱阵列光致发光谱
- 基于MATLAB的延迟微分方程求解探讨被引量：2
- 2010年
- 简要的介绍了几种常见的延迟微分方程及其稳定性,即比例延迟微分方程及其稳定条件,非线性变延迟微分方程及其稳定条件.最后举例子说明MATLAB中DDE23的强大功能.
- 高磊李勇杨铁贵
- 关键词：延迟微分方程常微分方程
- 一种核反应截面测量中扣除与目标核反应相同生成物干扰方法
- 本发明涉及核数据测量技术领域，具体地说，涉及一种在核反应截面测量中扣除与目标核反应相同生成物干扰的算法。其包括采用含有多种同位素的天然样品测量核反应截面；判断产生相同生成物的其它核反应对目标核反应截面测量干扰能否忽略；对...
- 李勇周丰群宋月丽
- 热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响
- 2014年
- 以14MeV快中子引起的52 Cr(n,2n)51 Cr反应截面的测量为例,研究热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50 Cr(n,γ)51 Cr对相应的快中子52 Cr(n,2n)51 Cr反应截面测量的影响,在对样品包镉和不包镉两种情况下,分别测量了14MeV中子引起的52 Cr(n,2n)51 Cr反应截面.单能中子用T(d,n)4 He反应获得,中子通量用监督反应93Nb(n,2n)92mNb测量,而中子能量通过93 Nb(n,2n)92mNb和90Zr(n,2n)89m+gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.
- 袁书卿宋月丽田明丽李勇周丰群
- 关键词：截面活化法
- 扣除其它核反应对目标核反应截面测量影响的方法及系统
- 本发明属于核数据测量技术领域，具体涉及一种扣除其它核反应对目标核反应截面测量影响的方法及系统，该方法首先制备样品并对样品进行中子辐照；然后判断样品辐照后是否仅有一种与目标核反应子核相同的反应对目标核反应截面测量影响不可忽...
- 李勇周丰群宋月丽马小强郝亚娟万明理袁书卿
- 扣除其它核反应生成物对目标核反应截面测量影响的方法
- 本发明提供一种扣除其它核反应生成物对目标核反应截面测量影响的方法。在核反应截面测量中，如果其它核反应产物的半衰期远大于目标核反应产物的半衰期，则可用以下方法扣除其它反应产物对目标核反应截面测量的影响：对目标核反应的特征伽...
- 周丰群宋月丽李勇袁书卿
- 一种细粉碳化硅陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种细粉碳化硅陶瓷的制备方法，属于碳化硅陶瓷制备技术领域。具体的，以晶硅片切割刃料尾料细粉为细粉原料反应烧结碳化硅陶瓷，极大降低了制备成本，原料粉体通过化学法除杂，在混料机内将原料碳化硅细粉、炭黑、分散剂、减...
- 韩永军黄立军李勇
- 在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法
- 本发明属于半导体异质结器件技术领域，特别是涉及一种在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法，该方法首先以p型硅为衬底，利用直流磁控溅射技术在硅片上依次沉积Cd和Zn金属纳米层，制备出纳米结构Zn/Cd/Si...
- 李勇张芳李鹏飞姬鹏飞宋月丽周丰群田明丽
- 一种界面Cd嵌入CdS/Si异质结的制备方法
- 本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种界面Cd嵌入CdS/Si异质结的制备方法，该方法首先以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构Cd/Si...
- 周丰群姬鹏飞宋月丽李勇田明丽袁书卿
- 文献传递
- 一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法
- 本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，该方法首先以ITO导电薄膜为衬底，利用磁控溅射技术在ITO导电薄膜上沉积Si，制备纳米结构ITO/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构IT...
- 姬鹏飞李勇宋月丽周丰群袁书卿田明丽
- 文献传递
