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李丽萍

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:昆明理工大学材料科学与工程学院光电子新材料研究所更多>>
发文基金:云南省教育厅科学研究基金更多>>
相关领域:电子电信冶金工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇冶金工程

主题

  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光沉积
  • 3篇脉冲激光沉积...
  • 2篇PLD
  • 2篇COO
  • 1篇电性能
  • 1篇电性能测试
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇钙钛矿
  • 1篇钙钛矿结构
  • 1篇钙钛矿氧化物
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇SR
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇昆明理工大学
  • 1篇昆明物理研究...

作者

  • 3篇李丽萍
  • 2篇普朝光
  • 2篇张鹏翔
  • 1篇王建禄
  • 1篇蔡毅
  • 1篇彭巨擘
  • 1篇白新志

传媒

  • 1篇云南冶金
  • 1篇昆明理工大学...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2004
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
倾斜衬底上沉积的钙钛矿结构氧化物薄膜的电阻各向异性被引量:1
2004年
用脉冲激光沉积法(PLD)分别在平的和倾角为10°、15°、20°的LaAlO3倾斜衬底上制备了La0 5Sr0 5CoO3薄膜和La0 67Ca0 33MnO3薄膜。用四探针法测量薄膜表面的电阻,发现平衬底上生长的薄膜没有电阻各向异性,而倾斜衬底上生长的薄膜存在电阻各向异性现象,并且倾角越大,电阻各向异性越明显。这是由于倾斜衬底上薄膜的自组织结构造成的。
李丽萍普朝光白新志张鹏翔
不同衬底上La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜生长及导电性质的研究被引量:1
2006年
用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Si(100),SiO2/Si(100),LaA lO3衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaA lO3衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生长,薄膜的电阻率最低.这是由于LaA lO3的晶格常数与La0.5Sr0.5CoO3最为接近.在SiO2/Si(100)衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的电阻较Si(100)衬底上薄膜小,XRD表明SiO2/Si(100)衬底更易于薄膜的择优生长.
彭巨擘王建禄李丽萍普朝光蔡毅张鹏翔
关键词:钙钛矿氧化物
镧锶钴氧薄膜的脉冲激光沉积法制备及电性能测试
铁电薄膜集成器件是当代信息科学技术的重要前沿之一,而钙钛矿结构的铁电薄膜与导电薄膜的异质结构是集成铁电器件的核心.为了使铁电薄膜能更好地应用于集成器件,选用合适的方法制备制备合适的电极是非常重要的,电极层的性能直接决定了...
李丽萍
关键词:脉冲激光沉积
文献传递
共1页<1>
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