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朱晓焱

作品数:7 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金南京工程学院科研基金江苏省教委自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信医药卫生更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇伊辛模型
  • 2篇原子
  • 2篇无规
  • 2篇扩散
  • 2篇硅表面
  • 2篇硅原子
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子工业
  • 1篇电子结构
  • 1篇纽结
  • 1篇子结构
  • 1篇自旋
  • 1篇拓扑
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子工业
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇介电函数
  • 1篇紧束缚
  • 1篇紧束缚近似

机构

  • 6篇苏州大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇南京工程学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 7篇朱晓焱
  • 3篇宋为基
  • 2篇黄燕
  • 1篇唐春红
  • 1篇黄晓江
  • 1篇蔡孟秋

传媒

  • 5篇苏州大学学报...
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇1996
  • 2篇1995
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
用MFRG和DPIR方法讨论三峰纵场中S—5/2无规横向伊辛模型
1995年
用平均场重整化群(MFRG)和离散路径积分表示(DPIR)相结合的近似方法来研究三峰分布纵场中自旋为5/2的无规横向伊辛模型(RFTIM),得到并讨论其相图和临界性质。
朱晓焱宋为基
关键词:伊辛模型
附加硅原子在硅表面台阶及纽结处的沉积
2005年
采用经验紧束缚近似方法计算p(2×2)重构硅(100)表面单层台阶及纽结处的平衡结构并模拟单个硅原子在其上的沉积行为。根据计算绘制出SA台阶、成键SB台阶、未成键SB台阶,以及SB台阶中的纽结等结构附近的等沉积能量图,确定沉积束缚点和一些可能的扩散路径。研究分析表明附加原子难于沉积于SA台阶边壁,但容易穿越SB台阶并生长于台阶边壁或沉积在SB台阶的纽结处以形成晶体生长。这些研究结果对于今后的理论及实验进一步研究原子尺度的半导体工艺制造有较大意义的指导。
黄燕朱晓焱
关键词:纽结扩散
三峰场中S—3/2无规横向伊辛模型的DPIR和MFRG近似解
1995年
用平均场重整化群(MFRG)和离散路径积分表示(DPIR)相结合的近似方法来研究自旋为3/2的无规横向伊辛模型在三峰分布纵场中(RFTIM)的相图和临界性质。
宋为基朱晓焱
关键词:伊辛模型近似解
第一性原理研究锆酸锶电子结构和光学性质被引量:6
2007年
采用第一性原理方法研究钙态矿材料锆酸锶(SrZrO3)的电子结构和光学性质。SrZrO3的直接带隙及间接带隙的大小分别为3.53,3.80 eV,同时基于电子能带结构对SrZrO3的光导率、介电函数、反射谱、吸收谱、能量损失谱、折射系数和湮灭系数等光学性质进行分析,表明光导率在8.45,12.27 eV处存在O 2p→Zr 4d T2g及O2→44的带间跃迁。计算结果符合实验结果。
唐春红朱晓焱蔡孟秋
关键词:电子结构介电函数
硅表面双聚体空位附近原子沉积的理论研究被引量:2
2003年
采用经验紧束缚近似方法模拟重构硅(100)表面单个双聚体空位(SDV)附近的单个硅原子的沉积行为.根据绘制的SDV附近附加能量差异的三维及投影图,确定了沉积束缚点和一些鞍点,并研究其可能的扩散路径.
黄燕朱晓焱
关键词:微电子工业硅原子扩散
用MFRG和DPIR方法解三峰场中自旋为2的TIM模型
1996年
本文用平均场重整化群方法(MFRG)和离散路径积分表示(DPIR)的方法来研究自旋为2的无规横向伊辛模型在三峰分布纵场中(RFTIM)的相图和临界性质。
朱晓焱宋为基
关键词:伊辛模型
0.5ML氢化Si(100)表面结构的理论研究
2004年
采用经验紧束缚近似(empiricaltight binding)方法模拟了Si(100)表面0.5ML(monolayer)氢化结构.通过对各种可能的0.5ML氢化Si(100)表面模型的能量的计算,得到了能量结构最为稳定的表面拓扑构造,并确定了其键长、键角、不对称性等参数,还证实了实验上在Si(100)-p(2×2)基底上亦可形成c(4×4)-H稳定结构的结论.
黄晓江朱晓焱黄燕
关键词:紧束缚近似键角键长拓扑ML
共1页<1>
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