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朱德亮

作品数：127 被引量：76H指数：5
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目广东省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 36篇期刊文章
  • 30篇会议论文

领域

  • 34篇理学
  • 24篇电子电信
  • 9篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 21篇纳米
  • 18篇脉冲激光
  • 18篇脉冲激光沉积
  • 17篇衬底
  • 14篇ZNO
  • 13篇探测器
  • 13篇光电
  • 11篇ZNO薄膜
  • 10篇溅射
  • 10篇光学
  • 10篇半导体
  • 9篇SUB
  • 9篇掺杂
  • 9篇磁控
  • 9篇磁控溅射
  • 8篇氮化镓
  • 8篇发光
  • 7篇电池
  • 7篇欧姆接触
  • 7篇晶体管

机构

  • 125篇深圳大学
  • 4篇深圳市特种功...
  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 1篇华南师范大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇株洲硬质合金...
  • 1篇俄罗斯科学院

作者

  • 125篇朱德亮
  • 101篇曹培江
  • 98篇吕有明
  • 84篇柳文军
  • 75篇贾芳
  • 56篇马晓翠
  • 54篇韩舜
  • 50篇刘新科
  • 45篇曾玉祥
  • 16篇黎晓华
  • 13篇俞文杰
  • 9篇贺威
  • 9篇李奎龙
  • 7篇陈吉星
  • 6篇李清华
  • 6篇徐平
  • 6篇陈乐
  • 6篇何祝兵
  • 4篇盛国浩
  • 4篇叶家聪

传媒

  • 14篇发光学报
  • 9篇第五届届全国...
  • 5篇广东化工
  • 5篇深圳大学学报...
  • 4篇半导体技术
  • 3篇第四届全国氧...
  • 2篇材料导报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇第十五届全国...
  • 2篇第12届全国...
  • 2篇第十五届全国...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇集成技术
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 6篇2024
  • 5篇2023
  • 11篇2022
  • 2篇2021
  • 9篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 8篇2017
  • 11篇2016
  • 3篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2013
  • 4篇2012
  • 13篇2011
  • 7篇2010
  • 6篇2009
  • 13篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
共 127 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnO基薄膜制备及光电磁特性的研究
本研究组采用脉冲激光沉积(PLD)、磁控溅射等方法，在石英(SiO2)、单晶硅和有机柔性衬底上制备了掺杂不同元素的ZnO基薄膜功能材料。采用X射线衍射仪(XRD)、俄歇能谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)、...
吕有明曹培江朱德亮贾芳柳文军曾玉祥马晓翠
关键词：脉冲激光沉积磁控溅射氧化锌
文献传递
红色荧光粉及其制备方法与应用
本申请涉及稀土发光技术领域，提供了一种红色荧光粉，红色荧光粉的化学通式为Ba<Sub>3</Sub>Y<Sub>(4‑4x‑4y)</Sub>Eu<Sub>4x</Sub>Gd<Sub>4y</Sub>O<Sub>9</...
吕有明荣曦明朱栋曹培江刘新科方明朱德亮
文献传递
重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性被引量：4
2011年
以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO∶Al(AZO)薄膜。通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究。结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO纤锌矿结构;重掺杂下的AZO显示了简并半导体的性质,电学呈现出了类金属特性;在可见光区域透过率>80%,吸收边和紫外发光峰出现了明显的蓝移现象,被归结为重掺杂下引起的Burstein-Moss效应导致光学带隙展宽。
吕有明曹培江贾芳柳文军朱德亮马晓翠林传强刘稳
关键词：AZO薄膜光电特性
染料敏化太阳能电池及其ZnO复合光阳极制备方法
本发明公开了一种染料敏化太阳能电池ZnO复合光阳极的制备方法，即先在导电基底上生长出ZnO纳米线阵列，然后在纳米线之间的空隙中原位生长填充ZnO纳米颗粒。该制备方法提高了ZnO复合光阳极的比表面积，从而显著提高光电极的光...
柳文军韩舜唐丽贾芳曹培江朱德亮马晓翠吕有明
文献传递
脉冲激光沉积法制备MgzZn1-zO薄膜及其性能测定
@@ZnO是一种直接带隙的半导体材料，通过Mg的掺杂可调节其禁带宽度(从3．3 eV至7,8 eV)，从而使得MgxZn1-xO成为紫外探测器的重要候选材料。本文采用Mg0.2Zn0.8O陶瓷钯，通过脉冲激光沉积(PLD...
朱德亮陈吉星曹培江贾芳柳文军马晓翠吕有明
文献传递网络资源链接
一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法
本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法。该方法采用ICP进行氧气等离子优化氮化镓导电通道，在沉积绝缘介电层之前先进行氧气等离子体处理，然后进行原位退火，在栅极区产生一种晶体GaON...
刘新科林峰利键陈勇王磊黎晓华贺威俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥朱德亮
文献传递
ZnO纳米线/棒阵列在染料敏化太阳能电池中的应用研究
罗兵柳文军曹培江贾芳朱德亮马晓翠吕有明
氢掺杂对AZO薄膜电学性能的影响
磁控溅射方法室温下制备的AZO透明导电薄膜结晶性差，薄膜内存在诸多缺陷，严重影响其光电性能。实验发现[1-3]在ZnO基薄膜制备过程掺入一定的氢可有效改善薄膜电学性能。本论文采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备出性能良...
石素君朱德亮吕有明曹培江柳文军贾芳马晓翠
一种制备低电阻率衬底的方法
本发明提供了一种制备低电阻率衬底的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底、第一物质和第二物质，其中，第二物质中具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素；对第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质；第二物质溶解于超临界态第一物...
刘新科黄烨莹秦宏志张冠张黎晓华贺威朱德亮
ZnO基透明导电薄膜的研究进展
近年来透明导电氧化物薄膜(TCO)由于具有近金属的电导率、可见光范围高透射率、红外高反射率等特性,被广泛应用于太阳能电池、显示器、气敏元件、抗静电涂层中。与传统的In2O3：Sn (ITO)薄膜相比,ZnO基TCO薄膜具...
吕有明曹培江朱德亮柳文军贾芳韩舜马晓翠
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