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朱勤生: 作品数：40 被引量：8H指数：1; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法: 本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上...; 郭严宋华平郑高林魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国

分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究被引量：1: 1996年; 利用二次离子质谱（SIMS）和电化学剖面C－V方法研究了生长温度对GaAs中理想Siδ掺杂结构的偏离和掺杂原子电激活效率的影响。实验发现，外延生长Siδ掺杂GaAs时，随着生长温度的升高，Si掺杂分布SIMS峰非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Si原子的扩散。另外，Si施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。; 钟战天吴冰清曹作萍朱文珍张广泽张广泽陈新王佑祥陈新邢益荣; 关键词：分子束外延 Δ掺杂砷化镓

不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响被引量：1: 2007年; 在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较大提高,这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用.在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的ZnO薄膜,其(1012)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0.10.; 张攀峰魏鸿源范海波丛光伟杨少延朱勤生刘祥林; 关键词：ZNO 蓝宝石 XRD SEM

一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨...; 王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国; 文献传递

新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究: 2003年; 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长,从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。; 曲宝壮朱勤生陈振陆大成韩培德刘祥林王晓晖孙学浩李昱峰陆沅黎大兵王占国; 关键词：量子点 MOCVD 共振隧穿 INGAN/GAN

一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法: 本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温G...; 赵桂娟李志伟桑玲刘贵鹏刘长波谷承艳魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国; 文献传递

外电场下不对称阶梯型量子阱的等离激元特性: 2016年; 我们研究了Al Ga As/Ga As不对称阶梯形量子阱中准二维电子气的集体激发色散关系随电场的变化特性。发现正向电场会使子带间等离激元模变短甚至消失,反向电场会使子带间等离激元模变变长。该子带间集体激发模波矢的有效大小取决于最低两能级的波函数交叠程度。这些特性可能有利于研究基于电场效应的阶梯形量子阱结构的器件。; 宋亚峰朱勤生孔雄雄焦壮壮; 关键词：等离激元电场

不同浓度F掺杂MoS_2性质的第一性原理计算研究被引量：1: 2017年; MoS_2二维材料由于其本身就具有直接带隙且带隙不为零,具有优于石墨烯的能带结构,是良好的半导体材料,在电学、磁学、及未来电子器件等方面都有良好的性质和应用前景。利用第一性原理方法,通过替位掺杂的方式,研究了不同浓度F掺杂单层MoS_2的能带结构和各种态密度图,并与本征单层MoS_2及文献中的掺Cl、掺O结果做了对比,分析了各自的电子结构、导电性和磁性。结果发现:掺F后单层MoS_2由直接带隙变成间接带隙,单层MoS_2的禁带宽度从本征的1.718e V减小到1.301 e V,且随着F掺杂浓度的增加,带隙更加变窄,体系的导电性更加增强。带隙的调节程度大于文献中掺Cl的效果而小于掺O的效果。磁性方面,本征的MoS_2无磁性,发现掺F后出现了一定磁性,且随着F掺杂浓度的增加其磁性增加。这些结果有利于对MoS_2优化改性和调控从而在微电子器件和半导体自旋电子学方面的应用。; 宋亚峰师李寰宇陈显平杨超普檀春健朱勤生李辉杰; 关键词：第一性原理掺杂电子结构

制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法: 本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法，其中包括如下步骤：(1)选择一机械支撑衬底，该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用；(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层；(3)用分子束外延在去耦合的中间...; 张志成杨少延黎大兵陈涌海朱勤生王占国; 文献传递

一种制作白光发光二极管的方法: 本发明一种制作白光发光二极管的方法，该方法包括如下制备步骤：(1)选择衬底材料，在该衬底上外延生长氮化镓基材料作为下一步的衬底；(2)对氮化镓基材料表面进行钝化；(3)在上述衬底上生长一层氮化镓基量子点作为诱导层；(4)...; 陈振韩培德陆大成刘祥林王晓晖朱勤生王占国; 文献传递