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曹鹤

作品数：61 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 4篇电子电信

主题

  • 18篇研磨
  • 18篇CMP
  • 13篇网格
  • 12篇冗余
  • 12篇版图
  • 10篇电路
  • 10篇研磨液
  • 10篇金属
  • 10篇集成电路
  • 9篇芯片
  • 9篇化学机械研磨
  • 8篇仿真
  • 8篇表面形貌
  • 6篇平坦性
  • 6篇去除率
  • 5篇电路版图
  • 5篇研磨工艺
  • 5篇磨工
  • 5篇集成电路版图
  • 4篇等效

机构

  • 61篇中国科学院微...

作者

  • 61篇曹鹤
  • 58篇陈岚
  • 25篇张贺
  • 22篇徐勤志
  • 21篇孙艳
  • 19篇刘建云
  • 3篇李志强
  • 3篇杨飞
  • 3篇方晶晶
  • 2篇刘宏伟
  • 2篇王海永
  • 2篇马天宇
  • 2篇石显锋
  • 1篇尹明会
  • 1篇王晨
  • 1篇朱义强
  • 1篇张卫华
  • 1篇周欢欢

年份

  • 8篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 7篇2021
  • 12篇2020
  • 4篇2019
  • 9篇2018
  • 8篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 61 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
28nm及特色先导工艺集成电路设计产业化关键技术与应用
陈岚尹明会秦毅王海永张贺徐勤志张卫华彩虹朱义强周欢欢王晨刘建云孙艳曹鹤刘宏伟
该项目属于集成电路设计技术领域。 1.研究目的： 集成电路工艺已经进入28nm及以下工艺节点，集成电路产品已经不能仅仅依靠产品的市场定位和市场推广来获得成功，必须要有先进纳米集成电路设计产业化关键技术的保障和支撑；同样，...
关键词：
关键词：集成电路设计纳米芯片
一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统
本申请提供一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统，通过考虑钨金属与研磨液之间的化学反应，以及钨金属和研磨垫间的机械去除反应，建立W CMP化学反应动力学模型和流体动力学模型，然后求解力平衡方程，最终建立一种W CMP多物...
徐勤志陈岚曹鹤刘建云
文献传递
一种冗余金属的填充方法及系统
本发明实施例公开了一种冗余金属的填充方法及系统，在版图中确定出封闭多边形的待填充区域之后，以待填充区域的各条边为界，将基本填充单元相接排布待填充区域中，完成待填充区域的填充，而后，进行网格密度分析，将网格密度过大的网格进...
曹鹤陈岚孙艳
文献传递
CMP缺陷预测方法和系统
本发明提供了一种CMP缺陷预测方法和系统，该方法包括：提供芯片待研磨物理层的物理版图数据及其网格化的图形特征参数，确定产生CMP缺陷时第一多边形之间的间距阈值，第一多边形为非填充区域的图形；根据物理版图和间距阈值d，在物...
曹鹤陈岚张贺
文献传递
一种冗余金属填充方法的方法及系统
本发明提供了一种冗余金属填充方法的方法及系统，该方法包括：对待填充版图进行版图密度分析，确认各网格的待填充密度；根据各网格的待填充密度设定用于填充各网格的冗余金属边长和间距；根据设定的冗余金属边长和间距对各网格进行索引阵...
曹鹤陈岚孙艳张贺
文献传递
一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法
本发明提供了一种CMP压力分布计算方法及研磨去除率的获取方法，该CMP压力分布计算方法，包括，将芯片版图划分为若干个窗格，并选取任一窗格为当前窗格；判断所述当前窗格的接触模式；根据所述当前窗格的接触模式和弹性力学模型计算...
方晶晶陈岚曹鹤
文献传递
一种化学机械研磨缺陷检测方法
本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计技术领域，具体涉及一种化学机械研磨的缺陷检测方法，该方法包括：提取CMP工艺前的材料结构信息；确定CMP相关工艺参数；建立符合CMP去除机理的CMP预测模型；进行CMP缺陷检测版图设计...
曹鹤陈岚张贺
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一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统
本发明提供了一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统，该方法包括步骤：确定化学机械平坦化CMP工艺产生工艺缺陷的条件；根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定待填充区域；将所述待填充区域分解为简单几何图形；根据各简单几何...
曹鹤陈岚张贺
一种冗余金属的填充方法及其系统
本发明提供一种冗余金属的填充方法，包括步骤：提供具有金属层的集成电路版图；确定可填充区域；将可填充区域划分为矩形区域，矩形区域的边框由金属层的边界限定；根据临界间距尺寸，确定矩形区域是否需要填充；将需要填充的矩形区域进行...
曹鹤陈岚孙艳
文献传递
一种计算CMP研磨去除率的方法及装置
本发明公开了一种计算CMP研磨去除率的方法及装置。该方法包括：依据晶圆表面与研磨液之间的化学反应机理，建立晶圆表面CMP化学反应方程式；基于CMP化学反应方程，建立晶圆表面化学反应的动力学去除模型；依据动力学去除模型，计...
徐勤志陈岚刘建云曹鹤
文献传递
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