曹镛
- 作品数：742 被引量：583H指数：13
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>
- 一种有机光电材料及其制备方法、应用
- 本发明公开了一种有机光电材料，为非共轭环状，左右两边是给体单元，中间是受体单元，两者之间有一定的扭转角，具有大的能隙，且易于具有较小的△EST，从而易于实现热激发延迟荧光(TADF)，可以充分用作蓝光热激发延迟荧光材料，...
- 黄飞胡英元曹镛
- 文献传递
- 第VI族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究
- 2008年
- 采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET)。对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为p型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1s-1。这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义。
- 覃东欢刘红梅陶洪兰林峰陈军武曹镛
- 关键词：纳米线场效应晶体管
- 含5,10-二酮-4,9-二氮杂芘共轭聚合物及制备
- 本发明公布了一种含5，10-二酮-4，9-二氮杂芘的共轭聚合物及其制备与应用，属于光电子材料与器件的新聚合物领域。本发明通过选择多种共轭芳香单体与含5，10-二酮-4，9-二氮杂芘单体进行Suzuki偶联或者Stille...
- 苏仕健刘明曹镛
- 文献传递
- 二溴取代的硅杂环戊二烯的制备方法
- 本发明涉及一种可应用于制备含硅杂环戊二烯的聚合物的卤素取代的硅杂环戊二烯及其制备方法，卤素取代的硅杂环戊二烯是由2，5-二锌硅杂环戊二烯与二卤化合物反应而成。本发明适用于制备多种化学结构的目标产物。本发明提供的目标产物可...
- 陈军武曹镛欧阳晓颖
- 文献传递
- 一种稠环喹喔啉酰亚胺基非富勒烯受体材料及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种稠环喹喔啉酰亚胺基非富勒烯受体材料及其制备方法与应用。所述稠环喹喔啉酰亚胺基非富勒烯受体材料包括稠环喹喔啉酰亚胺基中心核与缺电子端基，稠环喹喔啉酰亚胺基中心核为氮桥梯形稠环结构，吸电子端基连接在中心核的两...
- 应磊朱春光黄飞曹镛
- 文献传递
- 一类基于菲并咪唑单元的电致发光聚合物及其制备方法与应用
- 本发明公开了一类基于菲并咪唑单元的电致发光聚合物及其制备方法与应用。所述的基于菲并咪唑单元的电致发光聚合物的结构如下所示，其侧链含有菲并咪唑单元。该电致发光单元(1)具有局域杂化电荷转移态性能，可以通过反隙间窜跃来有效利...
- 郭婷唐海婷胡黎文应磊彭俊彪曹镛
- 文献传递
- 基于氮杂环基团的中性阴极缓冲层分子型材料及其制备方法、应用
- 本发明公开了基于氮杂环基团的中性阴极缓冲层分子型材料以含有烷基链的芳香环为核，再在两端引入可与电极相互作用的氮杂环基团，以修饰阴极。本发明的基于氮杂环基团的中性阴极缓冲层分子型材料具有较好的溶液加工性能、良好的薄膜形貌稳...
- 朱旭辉谭婉怡李敏张建刘刚彭俊彪曹镛
- 苯端基十二硅烷齐聚物薄膜的液晶自组装性被引量：1
- 2002年
- 通过毛细现象制备苯端基十二硅烷齐聚物 (PhMS1 2 )薄膜 ,发现该薄膜在室温下具有分子链垂直于衬底的层状结构排列方式。极化偏光显微镜照片显示PhMS1 2薄膜具有均匀畴区 ,平均线度达到几百微米。极化吸收光谱证明畴区内这种有序的分子排列导致分子面取向具有相同趋势 ,差热分析证明PhMS1 2在 1 2 6～ 1 3 3℃之间呈现液晶性 ,进一步分析表明这种高温状态呈现的液晶性使分子产生有序排列 ,这种有序排列能够从液晶态保持到晶态。
- 彭俊彪朱召胜高维先曹镛Okumoto HMinami NYatabe TIchino Y
- 关键词：液晶性多层结构
- 一种基于二芳杂环并茚芴单元的共轭聚合物及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种基于二芳杂环并茚芴单元的共轭聚合物及其制备方法与应用。本发明的基于二芳杂环并茚芴单元的共轭聚合物，由于具有较大的共轭长度，所以有较高的荧光量子产率，有利于提高材料的器件效率；同时，该聚合物溶解性比较好，适...
- 应磊赵森郭婷杨伟彭俊彪曹镛
- 文献传递
- 一类发光聚合物及其无金属催化剂聚合方法与应用
- 一类发光聚合物及其无金属催化剂聚合方法与应用。本发明中菲并咪唑与π‑桥单元、弱供电子单元构建电子给受体型发光单元，这类发光单元中给体单元和受体单元具有较大的扭转角，实现强度适中的电荷转移，进而形成杂化局域电荷转移激发态，...
- 应磊彭沣曹镛
- 文献传递
