曹春芳
- 作品数：51 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
- 2006年
- 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因。
- 吴惠桢曹萌劳燕锋刘成谢正生曹春芳
- 关键词：半导体刻蚀应变多量子阱
- 测量激光器内量子效率和内损耗的方法
- 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈...
- 汪洋龚谦柳庆博曹春芳成若海严进一李耀耀
- 文献传递
- 离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响被引量：3
- 2008年
- 采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光(EL)器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,工艺参数为离子注入剂量5×1014cm-2和450℃退火1min.结果显示随着电流限制孔径的缩小,器件的电阻呈线性增大;电流限制孔径的形成显著增强1.3μm面发射器件结构的电致发光强度,孔径为15μm的样品是没有限制孔径样品的4倍(注入电流3mA),并就电流限制孔对EL器件结构电致发光的影响进行了物理解释.
- 刘成曹春芳劳燕锋曹萌吴惠桢
- 关键词：离子注入
- 应变对PbSe材料晶格振动的影响
- 本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学...
- 曹春芳吴惠桢徐天宁斯剑霄陈静沈文忠
- 关键词：拉曼光谱光学声子晶格失配
- 文献传递
- GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法
- 本发明提供一种GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法，其特征在于利用Ga原子束流的变化使GaAs生长过程中交替出现富Ga和富As的表面，并记录表面再构变化的时间，最终通过求解表面富余原子总量的表达式，得...
- 龚谦王朋曹春芳丁彤彤
- 文献传递
- 1.3μm垂直腔面发射激光器中的电流限制孔径工艺研究
- 实验上研究了通过选择性湿法腐蚀方法制作1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电流限制孔径。对InP、InAlAs两种材料的侧向腐蚀试验表明,InAlAs的均匀性要优于InP,且考虑到长时间腐蚀中可能出现的塌陷问题,...
- 曹春芳劳燕锋吴惠桢曹萌刘成谢正生
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 文献传递
- 测量激光器内量子效率和内损耗的方法
- 本发明提供一种通过外部光反馈装置改变有效反射率来测量激光器内量子效率和内损耗的方法，包括以下步骤：S1：在激光器光路上设置一外部光反馈装置；S2：将激光器的腔面与外部光反馈装置的镜面等效为一个等效腔面；通过改变外部光反馈...
- 汪洋龚谦柳庆博曹春芳成若海严进一李耀耀
- 文献传递
- InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究被引量：8
- 2019年
- 报道了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光光谱研究,并在法布里-珀罗(FP)腔激光器中发现了单模工作特性,且该单模工作特性可以在较大的工作电流范围内(36~68mA)存在,在一定的电流(14mA)范围内保持单模可调谐。在20℃,当器件注入电流为62 mA时,激光器单模工作情况下的最大边模抑制比(SMSR)为29.8dB,在其他电流条件下该器件的边模抑制比也都大于20dB。激光器在单模工作时,器件最大输出功率(单面)达到12.5mW。对于具有相同结构和材料的FP腔激光器来说,在不同条宽或腔长的器件中都观察到上述单模工作特性。这一特性在一些单频激光的应用系统中具有较大的应用价值。
- 汤瑜曹春芳赵旭熠杨锦李金友龚谦王海龙
- 关键词：激光器量子阱激光器法布里-珀罗腔单模边模抑制比
- 一种边发射半导体激光器腔面的再生方法
- 本发明涉及一种边发射半导体激光器腔面的再生方法，包括：(1)采用高选择比腐蚀剂对失效的边发射半导体激光器进行选择性腐蚀，在激光器两端损坏的谐振腔腔面处形成悬臂结构；(2)采用压针对上述悬臂结构外侧靠近激光器腔面处施加外力...
- 王亚楠李耀耀王庶民曹春芳
- 文献传递
- 一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法
- 本发明涉及一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法，其特征在于所述的复合衬底以锑化物为中间层、上、下表面分别形成压应变AlSb/Si和张应变GaAs/GaSb的界面失配位错阵列IMF，使应变在两个界面处得到释放，解决了GaAs与...
- 王朋龚谦曹春芳丁彤彤
- 文献传递
