彭晓峰
- 作品数：15 被引量：67H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家攀登计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>
- 光学碳化硅薄膜及硅碳氮薄膜的制备与研究
- 该文利用射频溅射方法制备出了性能优良的无定形薄膜,并探讨了几种热处理工艺对其性能的改善;同时研究了与之相关的硅碳氮薄膜;在此基础上进一步研究了薄膜表面形貌的改善及其机理.首先,系统地研究了射频反应溅射工艺如溅射功率(溅射...
- 彭晓峰
- 关键词：碳化硅射频溅射表面形貌
- 文献传递
- 热处理对碳化硅薄膜结构和性能的影响
- 以高纯碳化硅块体为溅射靶、单面抛光的Si(100)片和单晶NaCl为基片,采用射频溅射方法来制备无定形碳化硅薄膜.通过对沉积在NaCl基底上碳化硅粉体的DTA热分析来确定薄膜热处理温度温度,然后将薄膜在真空状态下进行热处...
- 彭晓峰乐军章俞之宋力昕胡行方
- 关键词：碳化硅薄膜膜结构显微硬度热物性射频溅射
- 文献传递
- 反应溅射Si-C-N薄膜的结构分析被引量：17
- 2000年
- 本文用射频反应磁控溅射制备了SiCN薄膜 ,对薄膜的化学成分、结构进行了研究。结果表明 ,反应气体N2 、Si、C三者之间形成了Si-C、Si-N和C -N键 ,构成了复杂的网络结构。成分分析表明薄膜的化学计量式近似为SiCN。对比分析了反应溅射制备SiCN、CNx、SiNy和SiCz
- 肖兴成江伟辉彭晓峰宋力昕胡行方
- 关键词：XPSFTIR
- 硅碳氮薄膜的纳米硬度研究
- 采用射频反应溅射工艺分别在含氮气氛中溅射SiC靶和在含碳气氛中溅射SiN靶制备了两种无定形硅碳氮薄膜.通过NanoIndenter XP型显微硬度分析仪来测量薄膜的硬度.分析了薄膜硬度与其组成结构的关系,结果表明Si-C...
- 彭晓峰宋力昕乐军胡行方
- 文献传递
- 溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响被引量：7
- 2000年
- 本文利用射频磁控溅射工艺制备了ＳｉＣＮ薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、Ｎ分压对薄膜沉积和光学性能的影响．研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构，膜中三元素Ｓｉ、Ｃ和Ｎ两两之间形成了共价键．Ｎ分压的提高降低了薄膜的沉积速率．Ｎ流量的提高使光学带隙增大．溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高，但使得光学带隙减小．
- 肖兴成宋力昕江伟辉彭晓峰胡行方
- 关键词：磁控溅射FTIR光学带隙半导体
- 分步热压纳米γ-Al<,2>O<,3>粉体
- 传统热压工艺和分步热压工艺研究了纳米γ-Al<,2>O<,3>粉体的烧结行为。研究结果表明：分步热压在烧结过程中能控制γ→α相变形核长大过程的影响，并能促进致密化；添加少量MgO能进一步改善这一工...
- 彭晓峰黄校先
- 关键词：氧化铝
- 高性能细晶粒氧化铝陶瓷材料的制备与研究被引量：31
- 1998年
- 本文对商用γ－Al2O3粉体预处理后，采用热压工艺，制备了高性能细晶粒纯氧化铝陶瓷材料，1450℃／30min热压获得晶粒尺寸为0．5μm、抗弯强度为500±45MPa;1550℃／30min获得断裂韧性为5．7±0．5MPam1／2的氧化铝材料．并对氧化镁添加剂的作用进行了研究：在1420℃／30min制备了相对密度为99.3％，抗弯强度为584±51MPa的氧化铝材料；并发现了氧化镁在氧化铝中的不同作用机理．
- 彭晓峰黄校先张玉峰
- 关键词：细晶粒氧化铝陶瓷陶瓷材料
- 高性能细晶氧化铝陶瓷的制备
- 用γ－Ａｌ〈，２〉Ｏ〈，３〉粉体和热压工艺制备了高性能细晶纯氧化铝陶瓷研究了制备工艺对其力学性能和显微结构的影响。结果表明：１５００℃／３０ｍｉｎ热压烧结材料的相对密度达９９．１℅；在保温保压时间不变的情况下，材料的抗弯...
- 彭晓峰黄校先
- 关键词：氧化铝陶瓷断裂韧性抗弯强度超微结构
- 碳化硅晶须补强氧化铝复合材料的制备及其力学性能被引量：12
- 1998年
- 本论文利用商用γ-Al2O3粉体和上海硅酸盐所制备的碳化硅晶须，通过热压工艺来制备碳化硅晶须补强氧化铝复合材料．当晶须含量为30vol％时，室温下复合材料的抗弯强度为812±38MPa，断裂韧性为8．8±0．1MPa·m1／2；在1200℃、Ar气氛下，分别为560±61MPa和6．1±0．4MPam1／2．在氮气氛下，由于晶须的损伤易导致材料的力学性能下降．添加剂可降低复合材料的烧结温度，但不利于其力学性能．显微结构观察发现，不同温度下，AS复合材料的增韧机理有变化．
- 彭晓峰黄校先张玉峰
- 关键词：晶须补强力学性能碳化硅氧化铝复合陶瓷
- α-SiC∶H薄膜的热行为研究被引量：4
- 2003年
- 采用射频反应溅射工艺沉积了αSiC∶H薄膜。利用微分扫描量热器 (DSC)和差热分析仪 (DTA)两种热分析方法确定了αSiC∶H薄膜的脱H过程和相转变温度 ,35 3.2℃脱Si—H和 60 2 .6℃脱C—H ,并在 10 80℃相变结晶。在氮气流保护下的光热炉内进行热处理 ,Fourier红外光谱 (FTIR)和反射谱的研究表明 :40 0℃热处理后薄膜内的H含量急剧下降。高温热处理中的脱H过程有利于游离硅和游离碳的反应形成额外的Si—C键 ,促进薄膜致密 ,并能提高其在紫外部分的反射率 ,降低红外区域的反射率。热处理温度超过 5 0 0℃ ,容易导致薄膜脱落。
- 彭晓峰孟佳陈杰锋宋力昕胡行方
- 关键词：碳化硅氢热分析光学性能
