您的位置: 专家智库 > >

张立军

作品数:58 被引量:28H指数:3
供职机构:苏州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会科技发展基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术化学工程文化科学更多>>

文献类型

  • 39篇专利
  • 19篇期刊文章

领域

  • 18篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 28篇电路
  • 21篇存储器
  • 12篇SRAM
  • 11篇功耗
  • 7篇灵敏放大器
  • 6篇低功耗
  • 6篇信号
  • 6篇架构
  • 6篇反相器
  • 5篇源极
  • 5篇输出端
  • 5篇随机存储器
  • 5篇漏电
  • 5篇漏电流
  • 5篇漏极
  • 4篇电流
  • 4篇熔丝
  • 4篇输入端
  • 4篇逻辑
  • 4篇静态随机存储...

机构

  • 57篇苏州大学
  • 4篇苏州兆芯半导...
  • 3篇上海电力学院
  • 2篇武汉大学
  • 1篇苏州宽温电子...

作者

  • 58篇张立军
  • 27篇王子欧
  • 16篇季爱明
  • 14篇朱灿焰
  • 12篇张一平
  • 10篇李有忠
  • 8篇郑坚斌
  • 6篇王媛媛
  • 5篇吴澄
  • 4篇毛凌锋
  • 4篇鲁征浩
  • 3篇季爱民
  • 3篇陶砚蕴
  • 3篇汪齐方
  • 3篇吴晨
  • 3篇叶波
  • 3篇李有忠
  • 2篇汪一鸣
  • 2篇毛凌峰
  • 2篇张曼

传媒

  • 3篇微电子学与计...
  • 3篇微电子学
  • 3篇电子设计工程
  • 2篇电视技术
  • 2篇光通信技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇电镀与环保
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇苏州大学学报...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 9篇2019
  • 12篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 6篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
58 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种阻型存储器结构
本发明公开了一种阻型存储器结构,包括MOSFET管、复数个阻型存储单元和复数条对应阻型存储单元的位线;所述MOSFET管的源极连接到源极线,栅极连接到字线,漏极分别连接到各阻型存储单元的一端,各阻型存储单元的另一端连接到...
张一平王子欧张立军朱灿焰
文献传递
一种电子可编程熔丝电路
本发明公开提供了一种电子可编程熔丝电路,所述电子可编程熔丝电路中,电路单元只包括熔丝单元和第一薄氧MOS管,每一列电路单元共用一个厚氧MOS管,与现有技术相比,极大的减小了厚氧MOS管的数量,解决了现有技术中每个电路单元...
张立军汪齐方王子欧王媛媛郑坚斌
文献传递
新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计被引量:2
2011年
提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据。仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%。
李少君王子欧王媛媛张立军
关键词:漏电流低功耗可靠性
SDH/SONET低阶支路VT/TU映射芯片实现被引量:6
2009年
设计了SDH/SONET的低阶支路VT/TU映射芯片,单片实现28通道DS1/VC-11或21通道E1/VC-12到7个VTG/TUG-2的映射及逆映射,或DS1/E1/VC的组合到VTG/TUG-2的混合映射。该芯片带有支路环回和指针处理功能,支持UPSR环形网络拓扑结构。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺流片成功,电路规模约23.7万门。
叶波李天望张立军罗敏
关键词:SDH/SONET映射芯片
CMOS集成电路设计教学及实验改革被引量:2
2012年
本文分析了传统的CMOS集成电路设计课程教学和实验存在的不足,围绕集成电路设计技术发展前沿,提出将课堂讲授理论知识、验证性实验与课外参与实际项目相结合的教学模式。通过近几年的教学及实验改革,学生的IC设计理论和实践相结合的能力得到了显著提高。
张立军羊箭锋孙燃
关键词:教学改革教学模式集成电路
一种调制类型识别方法及系统
本发明公开了一种调制类型识别方法及系统。一种调制类型识别方法,包括:对MQAM信号进行预处理,得到处理后的MQAM信号和码元间隔;参考码元间隔,将同一码元间隔内的处理后的MQAM信号变换到相空间域,对该变换后的MQAM信...
朱灿焰毛凌锋汪一鸣季爱明张立军钱兰君
一种伪器件辅助灵敏放大器电路
本实用新型公开了一种伪器件辅助灵敏放大器电路,其包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,所述第一反相器的输出端连接到第二反相器的输入端,所述第二反相器的输出端连...
张一平王子欧张立军李有忠季爱明
文献传递
一种基于全数字锁相环的SRAM实速测试方案
2012年
提出了一种采用实速测试方式测试SRAM性能参数及可靠性的方案。该方案在内建自测试(BIST)电路的基础上,通过增加一个超高速ADPLL为SRAM性能的实速测试提供一个高频时钟,同时还加入延时链来产生不同相位的4个时钟。通过调整这4个时钟的相位来获得SRAM的关键性能参数,如存取时间、地址建立和保持时间等。该方案在UMC 55nm CMOS标准逻辑工艺下流片验证。测试结果显示,SRAM最大测试工作频率约为1.3GHz,测试精度为35ps。
张立军王子欧于跃郑坚斌毛凌锋
关键词:静态随机存储器全数字锁相环内建自测试
一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元及存储器
本发明公开了一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元及存储器,该存储单元包括差分对称分布的两个完全相同的SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2,所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的栅极相连,作为整...
张立军季爱明吴澄陈泽翔桑胜男马亚奇刘金陈佘一奇
文献传递
基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元及存储器
本发明公开了一种基于串联晶体管型的改进的差分架构Nor flash存储单元及存储器,包括对称分布的第一、第二两管串联型Nor flash单元,第一两管串联型Nor flash单元包括PMOS晶体管M1和浮栅晶体管M2,第...
张立军王子欧鲁征浩李有忠刘金陈陈泽翔
文献传递
共6页<123456>
聚类工具0