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低接触电阻率Ni／Ag／Ti／Au反射镜电极的研究被引量：1: 2015年; 研究了Ag的厚度、退火时间、沉积温度对于Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率及与p-Ga N欧姆接触性能的影响.利用分光光度计测量反射率,采用圆形传输线模型计算比接触电阻率.结果表明:随着Ag厚度的增加,Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率逐渐增大;在氧气氛围中,随着退火时间从1 min增至10 min,300°C退火时,比接触电阻率持续下降,而对于400—600°C退火,比接触电阻率先减小后增大;在300和400°C氧气中进行1—10 min的退火后,Ni/Ag/Ti/Au的反射率变化较小,退火温度高于400°C时,随着退火时间的增加,反射率急剧下降;在400°C氧气中3 min退火后,比接触电阻率可以达到3.6×10 3Ω·cm2.此外,适当提高沉积温度可以增加Ni/Ag/Ti/Au的反射率并降低比接触电阻率,沉积温度为120°C条件下的Ni/Ag/Ti/Au电极在450 nm处反射率达到90.1%,比接触电阻率为6.4×10 3Ω·cm2.综合考虑电学和光学性能,在沉积温度为120°C下蒸镀Ni/Ag/Ti/Au(1/200/100/100 nm)并在400°C氧气中进行3 min退火可以得到较优化的电极.利用此电极制作的垂直结构发光二极管在350 m A电流下的工作电压为2.95 V,输出光功率为387.1 m W,电光转换效率达到37.5%.; 魏政鸿云峰丁文黄亚平王宏李强张烨郭茂峰刘硕吴红斌; 关键词：P-GAN 欧姆接触反射率

晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响被引量：1: 2015年; Ga N基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响.通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底,Cu W衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290°C,320°C,350°C和380°C),并且使用不同的激光能量密度(875,945和1015 m J·cm-2)进行激光剥离,制备了不同应力状态的Ga N基LED器件.对不同条件下Ga N LED进行弯曲度、Raman散射谱测试.实验结果表明,垂直结构LED中的残余应力的状态是键合衬底和键合金属共同作用的结果,而键合温度影响着垂直结构LED中的残余应力的大小.激光剥离过程中,一定能量密度下激光剥离工艺一般不会对芯片中的残余应力造成影响,但是如果该工艺对Ga N层造成了微裂缝,则会在一定程度上起到释放残余应力的作用.使用Si衬底键合后,外延蓝宝石衬底翘曲变大,对应制备的Ga N基垂直结构LED中的残余应力为张应力,并且随着键合温度的上升而变大;而Al2O3和Cu W衬底制备的LED中的残余应力为压应力,但使用Al2O3衬底键合制备的LED中压应力随键合温度上升而一定程度变大,Cu W衬底制备的LED中压应力随键合温度上升而下降.; 王宏云峰刘硕黄亚平王越张维涵魏政鸿丁文李虞锋张烨郭茂峰; 关键词：残余应力激光剥离

Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率被引量：2: 2014年; 研究了不同Ni厚度的Ni/Ag/Ti/Au电极在不同退火温度和退火气氛下与p-GaN之间的欧姆接触性能以及电极的光反射率的变化.采用矩形传输线模型对各电极的比接触电阻率进行测算,利用分光光度计对电极在不同波长下的反射率进行测量.结果表明,Ni金属层的厚度越小,电极的光反射率越高,而Ni层厚度对比接触电阻率的影响较小;当退火温度高于400℃后,电极的光反射率降低,在氧气氛围中退火后光反射率比在氮气中退火后下降更加明显.但在氧气氛围中退火有利于减小比接触电阻率.综合考虑接触电阻和光反射率,电极Ni(1 nm)/Ag/Ti/Au在400℃氧气中快速退火后得到了较好的结果,其比接触电阻率为5.5×10-3Ω·cm2,在450 nm处反射率为85%.利用此电极制作了垂直结构发光二极管(LED)器件,LED在350 mA注入电流下,工作电压为3.2 V,发光功率为270 mW,电光转换效率达到24%.; 黄亚平云峰丁文王越王宏赵宇坤张烨郭茂峰侯洵刘硕; 关键词：P-GAN 欧姆接触反射率快速退火

光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究被引量：3: 2015年; 研究了在垂直结构发光二极管(VLED)器件中,光致电化学法(PEC)刻蚀N极性n-Ga N的速率受不同刻蚀条件(刻蚀浓度、刻蚀时间和光照强度)的影响.并选择N极性n-Ga N表面含有较理想六角金字塔结构(侧壁角为31°)的样品制成器件,研究PEC刻蚀对VLED的欧姆接触和光电性能的影响.结果表明,与未粗化样品相比,PEC刻蚀后的样品接触电阻率明显降低,形成更好的欧姆接触;其电学特性有较好的改善,光输出功率有明显提高,在20 m A电流下光输出功率增强了86.1%.对不同金字塔侧壁角度的光提取效率用时域有限差分法(FDTD)模拟,结果显示光提取效率在侧壁角度为20°—40°有显著提高,在23.6°(Ga N-空气界面的全反射角)时达到最大.; 弓志娜云峰丁文张烨郭茂峰刘硕黄亚平刘浩王帅冯仑刚王江腾; 关键词：刻蚀 N-GAN 出光效率

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张烨