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张桂兰

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇吸收谱
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿电压
  • 1篇红外吸收
  • 1篇红外吸收谱
  • 1篇高温超导
  • 1篇高温超导体
  • 1篇保护环
  • 1篇SR
  • 1篇VDMOS器...
  • 1篇超导
  • 1篇超导体
  • 1篇穿通
  • 1篇穿通型
  • 1篇PB
  • 1篇CA-CU-...

机构

  • 2篇辽宁大学

作者

  • 2篇张桂兰
  • 1篇胥荣
  • 1篇张雯

传媒

  • 2篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O超导体红外吸收谱的分析被引量：2
1999年
测试了Ｂｉ（Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕＯ超导体的红外吸收光谱，在４００～４０００ｃｍ－１波段内发现５个吸收峰．分析认为它们与ＣｕＯ键振动，Ｐｂ掺杂的Ｂｉ（Ｐｂ）ＣｕＯ键沿Ｃ轴的伸缩振动。
胥荣张桂兰赵淑玉
VDMOS器件击穿特性研究被引量：1
1996年
本文给出了具有场环和场板的穿通型ＶＤＭＯＳ结构的击穿电压的解析表达式．并通过与在ｎ／ｎ￣＋外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的ＶＤＭＯＳ器件的实验结果，进行比较，二者吻合的很好．
张雯张桂兰
关键词：击穿电压保护环VDMOS器件穿通型
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共1页<1>
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