康凯 作品数:9 被引量:31 H指数:4 供职机构: 大连交通大学机械工程学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 中国博士后科学基金 辽宁省教育厅科学基金 更多>> 相关领域: 电气工程 更多>>
柱状铁芯结构纵磁触头三维磁场仿真分析 被引量:1 2016年 建立了形状为圆柱状形铁芯结构的杯状纵磁真空灭弧室触头三维模型,采用有限元分析方法对不同个数柱状铁芯下的磁场进行了仿真分析,计算得到了触头间隙中心平面处电流峰值时纵向磁场、电流过零时剩余磁场以及磁场滞后时间,并与无铁芯结构的杯状纵磁触头进行了对比.从仿真结果可得到以下结论:电流峰值时有铁芯结构比无铁芯结构的磁场大,有铁芯结构的磁场强度随铁芯个数增加依次增强;电流过零时带有12个铁芯的触头结构剩余磁场最小、磁场滞后时间也最小;电流峰值和电流过零时12个铁芯的触头结构磁场特性都是最佳的. 郭英杰 杨海军 康凯 董华军关键词:真空灭弧室 触头 三维磁场 仿真 40.5kV真空灭弧室电场优化及磁场分析 真空断路器已被广泛应用于电力系统,与传统SF6断路器相比,真空断路器是一种环境友好型和安全可靠的新型断路器。真空灭弧室作为真空断路器的核心部件,其绝缘性及承载最大电流的能力直接影响真空断路器的质量。当前,高电压、大电流、... 康凯关键词:真空灭弧室 电场计算 有效面积 优化设计 文献传递 溅射离子枪 本发明公开了一种溅射离子枪,具有:气流方向调节装置、氩离子产生装置和聚焦透镜;氩离子产生装置的内部具有加载电压可调的电子加速栅网和与该电子加速栅网参考点位相关联的灯丝;电子加速栅网为一侧壁为金属网的圆管;电子加速栅网的前... 臧侃 董华军 郭方准 孔一涵 康凯文献传递 两种不同铁芯结构纵磁真空灭弧室触头三维磁场对比分析 被引量:4 2015年 本文建立了两种不同铁芯结构的纵向磁场真空灭弧室触头三维模型,一种铁芯为带有断口的环状结构,另一种是由12个柱状铁芯圆周方向排列的结构,采用有限元分析方法对两种结构的三维模型进行仿真计算,分析对比两种铁芯结构对电流峰值时刻纵向磁场和电流过零时剩余磁场以及磁场滞后时间的影响,计算的过程中考虑到了涡流的影响。从仿真结果中可以得到以下结论:1.电流峰值时环状铁芯结构产生的纵向磁场大于柱状铁芯结构,但柱状铁芯结构产生的纵向磁场比环状铁芯结构的均匀;2.电流过零时两种铁芯结构的剩余磁场分布相似,但环状铁芯结构的剩余纵向磁场大于柱状铁芯结构;3.柱状铁芯结构的磁场滞后时间要小于环状铁芯结构,电流过零时剩余磁场强的区域对应的磁场滞后时间也大。 杨海军 郭英杰 康凯 董华军关键词:真空灭弧室 触头结构 三维磁场 仿真 基于PIV技术真空开关电弧流场实验研究 被引量:7 2014年 为了对真空开关电弧燃烧过程及热形态变化规律研究,本文采用粒子成像测速(PIV)技术对短间隙真空开关电弧进行了实验研究,观察分析了电弧流场的信息,有明显的漩涡区。实验结果表明,运用PIV技术能较好地获取真空开关电弧燃烧二维速度场分布;随着电弧电流不断增大,真空间隙中金属蒸气压力不断增大,电弧加速向四周扩散运动,当电弧电流增大到一定值时,在电弧四周产生明显的涡流区域;电弧电流峰值过后,涡流区域不断减小,当电弧电流减小到一定值时,电弧不再向外扩散,而是向弧柱中心做集聚运动。 董华军 康凯 臧侃 郭方准 邹积岩关键词:真空开关电弧 流场 涡流 基于ANSYS的40.5kV真空灭弧室电场分析 被引量:1 2015年 建立了电压等级为40.5 k V真空灭弧室的二维模型,利用有限元软件ANSYS计算并分析了该40.5 k V真空灭弧室在不同主屏蔽罩半径下的电场和电位分布,对比了不同主屏蔽罩半径下触头沿面的电场强度分布以及波纹管屏蔽罩与主屏蔽罩弯角之间的电场分布。结果表明:1主屏蔽罩半径越大,其电场强度越小,当半径大到一定程度时,电场强度不再随主屏蔽罩半径的变化而变化;2当主屏蔽罩半径为57 mm时,该40.5 k V真空灭弧室内部场强分布最为均匀。 方煜瑛 康凯 杨海军 董华军关键词:真空灭弧室 电场计算 一种智能试卷分数统计系统 本实用新型公开了一种智能试卷分数统计系统,具有:安装有图像分析软件的计算机、与该计算机连接的图像采集单元和试卷处理单元;所述试卷处理单元具有盛放待处理试卷的试卷托架I、位于该试卷托架I后的走纸机构和接收由该走纸机构送出的... 董华军 孔一涵 康凯 牛晨旭 曹明明 王道顺 谭晓东文献传递 两种40.5kV真空灭弧室电场和电势分布的对比研究 被引量:5 2015年 建立了相同型号,不同结构的两种40.5 k V真空灭弧室的轴对称模型。计算并分析了两种真空灭弧室的主屏蔽罩对换前和对换后的电场分布和电势分布,对比了不同主屏蔽罩结构下的触头表面的有效面积,并分析了主屏蔽罩内表面的电场分布曲线。结果表明:型号相同的两个真空灭弧室内部电场分布及电势分布主要受到主屏蔽罩结构的影响,选择合适的主屏蔽罩结构可有效降低最大电场强度并改电场和电势分布。 董华军 康凯 郭英杰 段文宇 郭方准关键词:真空灭弧室 ANSYS 电场计算 电势分布 一种具有横纵磁场的新型真空灭弧室触头三维磁场仿真 被引量:15 2015年 对一种由螺旋槽横磁触头和杯状纵磁触头并联组成的新型真空灭弧室触头结构进行了磁场仿真,该触头内部的横磁触头和环形触头片材料为CuCr50,外部的纵磁触头的杯座材料为不锈钢。建立了三维触头结构模型,采用有限元分析方法对电流处于峰值时和电流过零时动、静触头表面和触头间隙中心处的静态磁场和瞬态磁场进行仿真,瞬态磁场计算过程中考虑到了涡流的影响。结果表明,该结构触头产生的纵向磁场在动、静触头表面及触头间隙中心处分布较均匀且磁通密度满足要求,有效磁通密度区域占触头表面积较大,电流过零后剩余磁场少,磁场滞后时间小,且导体电阻小。 董华军 杨海军 郭英杰 向川 康凯 郭方准关键词:真空灭弧室 触头结构 三维磁场 仿真