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庞远

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇超导
  • 2篇约瑟夫森结
  • 2篇正常金属
  • 2篇射频
  • 2篇相位
  • 2篇相位差
  • 2篇介质膜
  • 1篇拓扑绝缘体
  • 1篇微加工
  • 1篇绝缘体
  • 1篇颗粒化
  • 1篇环状
  • 1篇环状结构
  • 1篇铅
  • 1篇BI
  • 1篇超导膜
  • 1篇S-N

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇庞远
  • 4篇吕力
  • 2篇沈洁
  • 2篇丁玥
  • 2篇杨光
  • 1篇刘广同
  • 1篇姬忠庆
  • 1篇樊洁
  • 1篇杨昌黎

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Bi_2Te_3拓扑绝缘体表面颗粒化铅膜诱导的超导邻近效应
2013年
拓扑绝缘体的出现为寻找拓扑超导体和Majorana费米子提供了一种可能的途径.在拓扑绝缘体Bi2Te3表面沉积极薄的不连续铅膜,试图通过邻近效应感应出大片的超导区,为下一步研究拓扑超导电性创造条件.借助四引线电输运测量实验,在0.25K的低温下看到了超流现象,表明沉积在Bi2Te3表面的厚度小于20nm的颗粒化铅膜能够诱导邻近效应,并且使大片Bi2Te3超导.
丁玥沈洁庞远刘广同樊洁姬忠庆杨昌黎吕力
关键词：拓扑绝缘体
一种超导量子干涉器件结构及其制备方法
本发明公开一种新颖的超导量子干涉器件结构，包括片状非超导介质膜以及附着在所述片状非超导介质膜上方的超导膜，所述超导膜具有环状结构，所述环状结构为超导环，其上有两个或两个以上对称分布的缺口。该结构可以通过微加工方法来制备。...
丁玥沈洁庞远吕力
文献传递
一种约瑟夫森结器件及其制备方法
本发明提供一种约瑟夫森结器件，包括：非超导介质膜和位于所述非超导介质膜之上的彼此间隔的第一超导介质膜和第二超导介质膜，还包括在所述第一超导介质膜和第二超导介质膜之间的至少一个正常金属电极，所述正常金属电极与所述非超导介质...
庞远王骏华杨光吕昭征吕力
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一种约瑟夫森结器件及其制备方法
本发明提供一种约瑟夫森结器件，包括：非超导介质膜和位于所述非超导介质膜之上的彼此间隔的第一超导介质膜和第二超导介质膜，还包括在所述第一超导介质膜和第二超导介质膜之间的至少一个正常金属电极，所述正常金属电极与所述非超导介质...
庞远王骏华杨光吕昭征吕力
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