巩飞龙
- 作品数:28 被引量:11H指数:3
- 供职机构:郑州轻工业学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金河南省科技攻关计划郑州市科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域:化学工程理学电气工程一般工业技术更多>>
- 一种氧化锌超级晶体材料的制备方法
- 本发明公开了一种氧化锌超级晶体材料的制备方法,以硝酸锌为原料,以正丁醇与水的混合物为溶剂,放入高压反应釜中,在50~120℃条件下反应1~20小时,直接获得氧化锌超级晶体材料。本发明的特点在于产品无需煅烧,可以直接得到高...
- 李峰巩飞龙肖元化张爱勤张永辉韩莉锋赵继红
- 文献传递
- 空心球状硫化钼的合成
- 空心球状化合物由于较高的比表面积,低密度及特殊的多级孔结构受到研究者的广泛关注并在在许多领域,如:药物,化妆品,墨水,颜料或试剂缓释方面引起广泛的研究1-4.空心结构最常见的方法是在胶体模板上涂一层材料(或前驱物),然后...
- 彭丽芳孔华杰巩飞龙
- 关键词:囊泡
- 一种三维多孔ZnO纳米片球气敏材料和气敏元件的制备方法
- 本发明公开了一种三维多孔ZnO纳米片球气敏材料和气敏元件的制备方法,利用水热法合成三维多孔ZnO纳米片球材料,然后将该纳米片球材料在300~600℃的条件下煅烧2h,得到纳米片球;将该片球在研钵中研磨后在400~700℃...
- 李峰巩飞龙肖元化张爱勤张永辉韩莉锋赵继红
- 文献传递
- 一种ZnAl-LDO@Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>光催化材料的制备方法
- 本发明公开了一种ZnAl-LDONb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>光催化材料的制备方法以Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>·nH<Sub>2</Sub>O微球为核,采用原位生长的方...
- 黄改玲张永辉蒋玲陈俊利巩飞龙孙迎迎王东周婧
- 文献传递
- 一种固相反应一步制备还原氧化石墨烯/钯复合纳米电催化剂的方法
- 本发明提供了一种固相反应一步制备还原氧化石墨烯/钯复合纳米电催化剂的方法。本方法的技术方案是以金属钯盐、氧化石墨烯和固体还原剂为原料,通过研磨或球磨发生固相化学反应,一步法制备还原氧化石墨烯/钯复合纳米电催化剂。根据反应...
- 张爱勤肖元化陈俊利李峰巩飞龙
- 文献传递
- 盆景状ZnO的制备及气敏性能研究
- 2016年
- 通过水热法首次制备出盆景状三维材料,XRD和热分析测试结果表明制备的材料由碱式碳酸锌(Zn_4CO_3(OH)_6·H_2O)和ZnO组成,产物经过高温煅烧后得到结晶性良好且侧面和底部孔状结构的ZnO材料.利用FESEM对材料的形貌进行了系统的表征,发现盆景状ZnO由纳米片自组装对称生长而成,且每一层生长都会得到规则的六边形结构.将材料制备成气敏元件并研究其气敏性能.结果表明,构筑的气敏元件在340℃时对乙醇气体具有最高的灵敏度,同时具有良好的响应-恢复特性和稳定性.该材料可以应用于改善基于乙醇传感器的设计与制作.
- 张永辉刘春彦刘焕桢巩飞龙李峰
- 关键词:ZNO水热法纳米片气体传感器
- 二硫化钼材料合成的研究进展被引量:3
- 2019年
- 二硫化钼因具有催化效率高、稳定性好、层结构易于剥离拆分等优点,成为继石墨烯研究热潮后的又一代表性二维材料。材料的结构影响其性能,因此利用简单的方法制备结构独特和形貌均一的二硫化钼材料成为近年来材料学领域研究的热点之一。二硫化钼材料的制备方法包括物理法和化学法,重点介绍了利用化学法制备各种形貌二硫化钼材料。
- 彭丽芳巩飞龙徐志强刘梦梦李峰
- 关键词:二硫化钼
- 活性炭载硫材料的超临界二氧化碳制备及在锂硫电池中的应用
- 2017年
- 锂硫(Li-S)电池因其理论比容量和能量密度分别高达1675mAh/g和2600wh/Kg而备受关注,但硫与放电最终产物Li2S的电子绝缘性以及“穿梭效应”使其实际应用存在较大困难。为寻求上述问题的潜在解决方案,本工作发展了一种新颖的Li-S电池正极材料制备技术,即通过超临界CO2(SCCO2)辅助沉积,将硫负载到商业活性碳(QR1500)。SCCO2近似气体的低粘度、低表面张力与高扩散性和类似液体的密度与溶剂化能力,使得硫均匀分散在活性炭孔道结构并与碳接触充分。以所得材料为正极的锂硫电池,展现出良好的循环性能。0.5C倍率下循环第一圈比容量达到810mAh/g,循环150圈后容量保持在55%,而用常规熔融渗透法制备的碳硫复合材料,其首次充放电比容量为139mAh/g。
- 赵俊俊朱允孔丽萍王呈呈巩飞龙叶向荣
- 关键词:超临界二氧化碳硫活性炭正极材料锂硫电池
- MoS2的N,P的掺杂及石墨烯包覆后材料的钠离子电池性能的研究
- MoS2具有类似于石墨烯的层状结构,而且Mo S2的晶型结构有三种形式分别为:1T型、2H型、3R型,2H-MoS2比较稳定,1T-MoS2和3R-MoS2为亚稳态,1T相型表现为金属性,2H相型表现为半导体性[1]。不...
- 巩飞龙徐志强
- 关键词:包覆石墨烯MOS2
- 文献传递
- 一种Pd纳米粒子修饰多孔ZnO纳米片气敏材料及气敏元件的制备方法
- 本发明公开了一种Pd纳米粒子修饰多孔ZnO纳米片气敏材料的制备方法,将多孔单晶ZnO纳米片和Pd纳米粒子混合研磨,Pd纳米粒子的质量占多孔单晶ZnO纳米片和Pd纳米粒子总质量的0.3~0.8%,然后在550-650℃的条...
- 李峰肖元化巩飞龙卢灵珍张爱勤韩莉锋曹永博赵继红
- 文献传递