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新型碳化微波功率MESFET结构设计及性能分析: 碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速率、高临界击穿场强、高热导率等优良特性，在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥有极为广阔的应用前景。随着无线通信技术的飞速发展，对硬件系统高功率密度、快响应速度的需求日...; 宋坤; 关键词：碳化硅隔离层频率特性; 文献传递

带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法: 一种带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的栅下缓冲层、源极帽层和漏极帽层以及源、漏和栅电极；栅下缓冲层在沟道层之上形成一个凸起的平台，栅电极形成于...; 宋坤柴常春杨银堂张现军

新型碳化硅微波功率MESFET结构设计及性能分析: 碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速率、高临界击穿场强、高热导率等优良特性，在高频、高温、大功率、抗辐射等领域拥有极为广阔的应用前景。随着无线通信技术的飞速发展，对硬件系统高功率密度、快响应速度的需求日益迫切...; 宋坤; 关键词：碳化硅材料隔离层频率特性; 文献传递

一种应用于无线局域网(WLAN)的双频带缝隙天线: 本文设计了一种应用于无线局域网(WLAN)的双频带缝隙天线。天线由50Ω微带线馈电的矩形辐射片和地板腐蚀倒L缝隙组成。通过矩形辐射片开缝,调节缝隙长度在2.5.6GHz生成了阻带,较好的实现了双频带特性。天线具有小尺寸、...; 武晓博尹应增宋坤任学施; 关键词：缝隙天线双频无线局域网; 文献传递

改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响: 2012年; 基于器件物理分析方法,结合高场迁移率、肖特基栅势垒降低、势垒隧穿等物理模型,分析了改进型异质栅结构对深亚微米栅长碳化硅肖特基栅场效应晶体管沟道电势、夹断电压以及栅下电场分布的影响.通过与传统栅结构器件特性的对比表明,异质栅结构在碳化硅肖特基栅场效应晶体管的沟道电势中引入了多阶梯分布,加强了近源端电场;另一方面,相比于双栅器件,改进型异质栅器件沟道最大电势的位置远离源端,因此载流子在沟道中加速更快,在一定程度上屏蔽了漏压引起的电势变化,更好抑制了短沟道效应.此外,研究了不同结构参数的异质栅对短沟道器件特性的影响,获得了优化的设计方案,减小了器件的亚阈值倾斜因子.为发挥碳化硅器件在大功率应用中的优势,设计了非对称异质栅结构,改善了栅电极边缘的电场分布,提高了小栅长器件的耐压.; 宋坤柴常春杨银堂贾护军陈斌马振洋; 关键词：碳化硅异质栅短沟道效应

带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法: 一种应用于微波射频电路的带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的反型隔离层、源极帽层、漏极帽层以及源、漏、栅电极。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生...; 柴常春宋坤杨银堂贾护军

带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法: 一种带栅下缓冲层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的栅下缓冲层、源极帽层和漏极帽层以及源、漏和栅电极；栅下缓冲层在沟道层之上形成一个凸起的平台，栅电极形成于...; 宋坤柴常春杨银堂张现军; 文献传递

带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法: 一种应用于微波射频电路的带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法，晶体管包括半绝缘衬底、缓冲层、沟道层与依次形成于沟道层之上的反型隔离层、源极帽层、漏极帽层以及源、漏、栅电极。其制作过程是：在半绝缘衬底上依次生...; 柴常春宋坤杨银堂贾护军; 文献传递

宽带射频接收前端电路与系统设计: 高性能宽带接收机广泛应用于军事通信和民用通信中,现代接收机系统除了具有高线性、高灵敏度、大动态范围等特点外,对射频前端电路系统的宽带化设计要求越来越高。本文紧密结合科研课题,对宽带射频接收前端电路与系统进行了深入研究,重...; 宋坤; 关键词：缺陷地结构超宽带滤波器锁相环路电调衰减器; 文献传递

栅漏间表面外延层对4H-SiC功率MESFET击穿特性的改善机理与结构优化: 2012年; 本文提出了一种带栅漏间表面p型外延层的新型MESFET结构并整合了能精确描述4H-SiC MESFET工作机理的数值模型,模型综合考虑了高场载流子饱和、雪崩碰撞离化以及电场调制等效应.利用所建模型分析了表面外延层对器件沟道表面电场分布的改善作用,并采用突变结近似法对p型外延层参数与器件输出电流(I_(ds))和击穿电压(V_B)的关系进行了研究.结果表明,通过在常规MESFET漏端处引入新的电场峰来降低栅极边缘的强电场峰并在栅漏之间的沟道表面引入p-n结内建电场进一步降低电场峰值,改善了表面电场沿电流方向的分布.通过与常规结构以及场板结构SiC MESFET的特性对比表明,本文提出的结构可以明显改善SiC MESFET的功率特性.此外,针对文中给定的器件结构,获得了优化的设计方案,选择p型外延层厚度为0.12μm,掺杂浓度为5×10_(15)cm-3,可使器件的V_B提高33%而保持I_(ds)基本不变.; 宋坤柴常春杨银堂张现军陈斌; 关键词：MESFET 微波功率器件击穿特性

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宋坤