姜宏伟
- 作品数：75 被引量：135H指数：7
- 供职机构：首都师范大学物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委科技发展计划北京市教委科技基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- Ni<,80>Fe<,20>Cu磁性金属多层膜的微结构及其对巨磁阻的影响
- 孙海平张泽王文东姜宏伟赖武彦
- 关键词：多层膜微结构巨磁阻效应
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- Ta缓冲层对超薄NiCo薄膜微结构和磁电特性的影响
- 采用磁控溅射方法制备了NiCo和Ta/NiCo薄膜样品,研究了Ta缓冲层对不同厚度NiCo薄膜微结构和磁电特性的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,当NiCo厚度>15nm时,有Ta缓冲层的NiCo薄膜出现了较明显的面心...
- 王国松张珊珊甄营董巧燕姜宏伟
- 关键词：各向异性磁电阻织构磁控溅射
- 文献传递
- 形状和尺寸可控的FePt纳米颗粒的合成
- 通过控制聚合过程中表面活化剂油酸和油胺的摩尔比合成尺寸和形状可控的FePt纳米颗粒的方法，在改进的Fe(CO)5的分解和Pt(acac)2的还原聚合过程中,n(油胺):n(油酸)=2:2产生了均一球状4nm的FePt纳米...
- 郑永菊刘丽丽贺淑莉姜宏伟郑鹉
- 关键词：FEPT纳米颗粒化学合成尺寸可控
- 文献传递
- FeCo/Au多层膜的磁性研究
- 室温下,利用磁控溅射在玻璃基片上制备了FeCo/Au多层膜系列样品。X射线衍射(XRD)表明,衬底Au具有很好的(111)取向。扫描电子显微镜(SEM)测得Fe、Co原子比例为0.28∶0.72。用振动样品磁强计(VSM...
- 谭青松郑鹉王海姜宏伟
- 关键词：磁性多层膜
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- 带有InGaAs覆盖层的InAs量子点红外探测器材料的发光与光电响应被引量：6
- 2009年
- 利用分子束外延技术(MBE),在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品,并制备了量子点红外探测器件。利用原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)光谱研究了量子点的表面结构、形貌和光学性质。渐变InGaAs层的插入有效地释放了InAs量子点所受的应力,抑制了量子点中In组分的偏析,提高了外延层的生长质量,降低了势垒高度,使InAs量子点荧光波长红移。伏安特性曲线和光电流(PC)谱结果表明,生长条件的优化提高了器件的红外响应,具有组分渐变的InGaAs层的探测器响应波长发生明显红移。
- 吴殿仲王文新杨成良蒋中伟高汉超田海涛陈弘姜宏伟
- 关键词：INAS量子点光致发光分子束外延红外探测器
- Cu扩散对超坡塻合金软磁性能的影响
- 用直流磁控溅射法制备了超坡莫合金NiFeSiMoMn（20nm～200nm）单层膜、NiFeSiMoMn（20nm）/Cu（50nm）双层膜,发现NiFeSiMoMn和NiFeSiMoMn/Cu中后者的软磁性能好于前者,...
- 季勇周丽萍郑鹉王艾玲姜宏伟
- 文献传递
- 缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁致电阻的影响
- 2008年
- 用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火.结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品.X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因.此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质.
- 姜宏伟季红周丽萍王艾玲郑鹉
- 关键词：磁性薄膜缓冲层织构晶粒尺寸
- 巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性被引量：1
- 1997年
- 用磁控溅射镀膜方法，制成了巨磁电阻自族间多层膜Ta／NiFe／Cu／NiFe／FeMn／Ta.它具有优良的特性.其室温磁电阻比率MR＞2％，自由层矫顽力Hc1＜160A／m，自由层零磁场漂Hf＜800A／m和钉扎层交换场Hex≈20×103A／m.作为新型磁功能材料，它满足高灵敏磁性传感器和硬盘读出头的要求.对多层膜制备的方法也作了系统研究，并讨论了缓冲层和钉扎层的制备工艺和微结构对磁性能的影响.
- 孟宪梅柴春林朱逢吾林岚姜宏伟赖武彦
- 关键词：巨磁电阻自旋阀多层膜
- 纳米磁性材料的界面行为及控制
- 朱逢吾赖武彦于广华张媛李国红杨涛姜宏伟柴春林
- 该项目研究了巨磁电阻材料（包括自旋阀多层膜和CuCo颗粒系）和FeZrB基纳米软磁材料。首次报道了磁性多层膜中产生界面缺陷的新机制——界面反应和层间偏聚，界面缺陷对交换耦合有重要影响；提出并实现了抑制界面反应和层间偏聚的...
- 关键词：
- 关键词：纳米磁性材料磁学性能
- 界面插Mn对CoFe／CrPt双层膜交换耦合的影响
- 用共溅射的方法制备CoFe／CrPt(x)、 CoFe／Mn／CrPt(x)薄膜。通过改变反铁磁层的厚度,研究影响交换偏置的因素。结果表明:界面结构、反铁磁层厚度都对交换偏置产生重要作用。在CoFe／CrPt双层膜中,反...
- 陈红燕陈庆永李岩姜宏伟
- 关键词：交换偏置
- 文献传递
