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喀哈尔·玉苏普

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电沉积
  • 3篇光电
  • 2篇电沉积法
  • 2篇电沉积法制备
  • 2篇电池
  • 2篇电池应用
  • 2篇电极
  • 2篇脉冲电沉积
  • 2篇金属膜
  • 2篇工作电极
  • 2篇光电性
  • 2篇半导体
  • 2篇SNS
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇脉冲
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇光电性能

机构

  • 5篇南京大学

作者

  • 5篇喀哈尔·玉苏...
  • 4篇林涛
  • 4篇徐岭
  • 4篇徐骏
  • 4篇耿雷
  • 2篇肖金荣
  • 2篇陈坤基

传媒

  • 1篇TFC‘20...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS 异质结的制备与太阳能电池应用
三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬...
徐骏喀哈尔·玉苏普林涛徐岭陈坤基肖金荣耿雷
ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS 异质结的制备与太阳能电池应用
三元ZnSnS薄膜的制备方法，以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底，经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积，电解液的温度为室温至45℃；电沉积过程：在阴极即工作电极上夹好带电极的衬...
徐骏喀哈尔·玉苏普林涛徐岭陈坤基肖金荣耿雷
文献传递
脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究
在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜，研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面，薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明，在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3～1.62eV范围内变化，并且随...
喀哈尔·玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
关键词：化合物半导体肖特基接触光电性能
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电沉积法制备硫系化合物薄膜材料及其光电性质的研究
硫系化合物半导体材料由于其独特的光电性质在未来光电器件，特别是在高效低成本薄膜太阳能电池上有着良好的应用前景，因而引起了人们的广泛关注和研究兴趣。特别是CuInxGa(1-x)Se2和Cu2ZnSnS4材料，经过多年的努...
喀哈尔·玉苏普
关键词：半导体电沉积法光学特性
脉冲电位法制备SnSx薄膜及其光电性质研究
半导体硫化锡(SnS)薄膜的带隙可以在一个较为宽广的范围(1～2eV)内变化,在可见光范围内具有很高的吸收系数(>10cm),理论上,由其构成的薄膜太阳能电池的转换效率可达到25%。同时,相对于CuInGaSe薄膜,Sn...
喀哈尔·玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
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