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喀哈尔·玉苏普
作品数:
5
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供职机构:
南京大学
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
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相关领域:
电子电信
电气工程
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合作作者
耿雷
南京大学电子科学与工程学院
徐骏
南京大学电子科学与工程学院
徐岭
南京大学电子科学与工程学院
林涛
南京大学电子科学与工程学院
陈坤基
南京大学
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南京大学
作者
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喀哈尔·玉苏...
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耿雷
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肖金荣
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陈坤基
传媒
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TFC‘20...
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2014
2篇
2012
2篇
2011
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ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS 异质结的制备与太阳能电池应用
三元ZnSnS薄膜的制备方法,以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底,经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积,电解液的温度为室温至45℃;电沉积过程:在阴极即工作电极上夹好带电极的衬...
徐骏
喀哈尔·玉苏普
林涛
徐岭
陈坤基
肖金荣
耿雷
ZnSnS薄膜与ZnSnS/SnS 异质结的制备与太阳能电池应用
三元ZnSnS薄膜的制备方法,以玻璃、陶瓷或硅片镀有金属膜作为电极构成带电极的衬底材料、或采用ITO衬底,经清洗后在电解液中以脉冲电位法进行电沉积,电解液的温度为室温至45℃;电沉积过程:在阴极即工作电极上夹好带电极的衬...
徐骏
喀哈尔·玉苏普
林涛
徐岭
陈坤基
肖金荣
耿雷
文献传递
脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究
在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜,研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面,薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明,在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3~1.62eV范围内变化,并且随...
喀哈尔·玉苏普
林涛
耿雷
徐岭
徐骏
关键词:
化合物半导体
肖特基接触
光电性能
文献传递
电沉积法制备硫系化合物薄膜材料及其光电性质的研究
硫系化合物半导体材料由于其独特的光电性质在未来光电器件,特别是在高效低成本薄膜太阳能电池上有着良好的应用前景,因而引起了人们的广泛关注和研究兴趣。特别是CuInxGa(1-x)Se2和Cu2ZnSnS4材料,经过多年的努...
喀哈尔·玉苏普
关键词:
半导体
电沉积法
光学特性
脉冲电位法制备SnSx薄膜及其光电性质研究
半导体硫化锡(SnS)薄膜的带隙可以在一个较为宽广的范围(1~2eV)内变化,在可见光范围内具有很高的吸收系数(>10cm),理论上,由其构成的薄膜太阳能电池的转换效率可达到25%。同时,相对于CuInGaSe薄膜,Sn...
喀哈尔·玉苏普
林涛
耿雷
徐岭
徐骏
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