吴海雷
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 立方相SiC MEMS器件研究进展被引量：2
- 2010年
- 主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视。随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化。
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- 关键词：MEMS器件基本结构可靠性
- 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法
- 本发明公开了一种碳化硅PIN微结构材料，包括：N型碳化硅衬底；位于该N型碳化硅衬底上的N<Sup>-</Sup>变浓度缓冲层；位于该N<Sup>-</Sup>变浓度缓冲层上的本征层；以及位于该本征层上的P<Sup>+</...
- 孙国胜刘兴昉王雷赵万顺杨挺吴海雷闫果果曾一平李晋闽
- 4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究被引量：1
- 2011年
- 利用自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在5.08 cm(2英寸)4°偏轴4H-SiC衬底上生长4H-SiC同质外延膜。讨论了4H-SiC同质外延层中的两种扩展缺陷——彗星缺陷和胡萝卜缺陷,研究了这两种缺陷的起源与消除方法。研究发现采用化学机械抛光(CMP)方法可以有效去除扩展缺陷,提高外延膜的质量。另外,提高衬底质量和优化生长条件也可以消除这两种扩展缺陷。
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- 关键词：碳化硅
- 碳化硅PIN微结构的制作方法
- 一种碳化硅PiN微结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一n型碳化硅衬底；步骤2：对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀；步骤3：在n型碳化硅衬底上生长n<Sup>-</Sup>型变浓度缓冲层；步骤4：在n<Sup>-</...
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- 文献传递
- 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法
- 本发明公开了一种碳化硅PIN微结构材料，包括：N型碳化硅衬底；位于该N型碳化硅衬底上的N<Sup>-</Sup>变浓度缓冲层；位于该N<Sup>-</Sup>变浓度缓冲层上的本征层；以及位于该本征层上的P<Sup>+</...
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- 文献传递
- 偏4°碳化硅衬底厚膜同质外延生长研究
- 使用国产低压化学气相沉积设备(LPCVD)在小偏角(朝<11-20>方向偏4°)碳化硅衬底上进行了厚膜同质外延生长研究。通过优化外延工艺,我们获得了高质量、低缺陷密度的同质厚膜外延生长工艺窗口,经Raman散射对外延样品...
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- 关键词：碳化硅功率器件
- 文献传递
