吴峰
- 作品数：14 被引量：10H指数：2
- 供职机构：天津理工大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信文学更多>>
- 亚波长金属槽阵列表面电磁场增强被引量：4
- 2017年
- 针对表面增强拉曼散射的应用,采用严格耦合波分析方法研究了亚波长金属槽阵列的表面电磁场增强效应。模拟阵列周期和槽深对阵列槽口处电磁场增强的影响,明确了结构内部共振效应对电磁场增强的贡献,分析了亚波长金属槽阵列拉曼散射的平均增强效果及阵列外空间中电磁场增强的有效作用范围。研究表明,在槽内共振效应的影响下,亚波长金属槽阵列在一个周期内的拉曼散射增强因子可达106数量级,并在垂直距离阵列表面1/5波长的范围内可得到明显的电磁场增强,超出该范围增强因子将迅速衰减到1的数量级。数值结果表明阵列表面电磁场增强几乎不受贵金属类型的影响。
- 孙晓东张斯文张斯文吴峰
- 关键词：表面光学表面增强拉曼散射
- PVA栅绝缘层浓度对P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)被引量：1
- 2014年
- 采用溶液制备法制备了用PVA作为绝缘层、P3HT作为有源层的有机场效应晶体管,研究了不同浓度PVA栅绝缘层对器件性能的影响。实验结果显示,以质量分数为8%的PVA溶液制备的栅绝缘层具有最好的性能,器件的场效应迁移率为0.31 cm2·V-1·s-1,阈值电压为-6 V。进一步分析了PVA栅绝缘层浓度对器件性能提高的原因,结果表明,对于制备溶液化的有机场效应晶体管,选取合适的PVA栅绝缘层浓度非常重要。
- 白潇程晓曼樊剑锋蒋晶郑灵程吴峰
- 关键词：有机场效应晶体管栅绝缘层PVA
- 耦合分数阶双稳态振子的同步、反同步与振幅死亡
- 2013年
- 研究了耦合分数阶振子的同步、反同步和振幅死亡等问题.基于P-R振子在特定参数下的双稳态特性,利用最大条件Lyapunov指数、最大Lyapunov指数和分岔图等数值方法分析发现,通过选取初始条件和耦合强度,可以控制耦合振子呈现混沌同步、混沌反同步、全部振幅死亡同步、全部振幅死亡反同步和部分振幅死亡等丰富的动力学现象.基于蒙特卡罗方法的原理,在初始条件相空间中随机选取耦合振子的初始位置,计算不同耦合强度下耦合振子的全部振幅死亡态、部分振幅死亡态和非振幅死亡态的比例,从统计学角度表征了耦合分数阶双稳态振子的动力学特征.几种有代表性的双稳态振子的吸引域进一步证明了统计方法的计算结果.
- 王立明吴峰
- 关键词：吸引域双稳态
- 斜双镜光杠杆法测量金属丝杨氏模量被引量：1
- 2023年
- 利用双镜多次反射可有效提高光杠杆法的放大倍数,但需要额外装置确定反射次数。提出了斜双镜光杠杆法,通过一面与光杠杆的镜面斜对放置的大平面镜与光杠杆组合精准控制反射次数为2级,增加光程的同时增加了一次角度变化,将放大倍数提升为传统杠杆法的4倍。理论分析并实验验证了斜双镜法用于测量金属丝的杨氏模量,实验结果与理论分析吻合良好,证实方法和理论的有效性。并且,在不大于80 cm的有限空间内,实现了高达84.36倍的放大倍数。
- 肖林轩杨阳王晓威闫涵吴峰李晓兰
- 关键词：光杠杆杨氏模量
- 基于有限元方法的有机场效应晶体管特性模拟与实验验证
- 2016年
- 采用有限元方法,借助多物理场软件COMSOL模拟了底栅顶接触结构有机场效应晶体管电位和载流子浓度随源漏电压Vds的变化。模拟结果表明,当固定栅压V_g=-10 V时,改变V_(ds)从0^-10 V,对于电位分布,从栅极到源漏电极竖直方向有渐进的变化,而从源极到漏极的水平方向呈现由大到小明显的梯度变化。对于载流子浓度,观察到沟道处从源极向漏极逐渐减少,在靠近漏极的区域减少得尤为明显,而当源漏电压等于栅极电压时,产生夹断现象。进一步将模拟结果与实际制备的器件性能进行了对比,模拟结果与实验数据所显示的分布趋势大体相同,印证了模拟的合理性。由此表明,采用模拟方法分析有机场效应晶体管的器件特性,对于实际制备器件具有重要的指导意义。
- 王倩吴仁磊吴峰程晓曼
- 关键词：有机场效应晶体管有限元方法电位载流子
- 多晶MAPbBr_(3)薄膜中束缚载流子热发射复合过程
- 2023年
- 有机-无机卤化铅钙钛矿(organic inorganic lead halide perovskite,OLHP)半导体材料内部的陷阱是影响OLHP的光电性能的重要因素。为了理解多晶的甲胺溴基钙钛矿((Methylammonium)PbBr_(3),MAPbBr_(3))薄膜中陷阱对光生载流子复合的影响,本文采用了时间分辨微波光电导(time resolved microwave conductivity,TRMC)技术探究了多晶MAPbBr_(3)薄膜的光生载流子复合动力学过程。实验测量结果表明多晶MAPbBr_(3)薄膜的载流子复合过程包括自由载流子复合与束缚载流子的热发射复合两部分。其中,与束缚载流子热发射复合相关的能级远离连续带,且对应的能级深度约为0.6 eV,分布宽度约为89.2 meV。本文同时利用变激发波长TRMC对比实验,分析浅束缚光生电子与导带光生电子复合过程的差异。相比于导带上的电子,实验结果表明浅束缚电子跃迁到深束缚能级的概率更大。
- 陶婷婷舒京婷冯博浩薛原吴峰党伟
- 耦合方式与初始条件结构对分数阶双稳态振子环形网络同步的影响
- 2014年
- 在由分数阶双稳态振子通过最近邻耦合构成的环形网络中研究了振子的同步与耦合方式以及初始条件结构的关系.通过选择初始条件结构、耦合方式和强度,可以控制网络呈现振幅死亡同步态、振幅死亡非同步态、混沌同步态和混沌非同步态等多种动力学行为.参数平面区域ε3-ε2内的最大条件Lyapunov指数和最大Lyapunov指数的等高线进一步表明,y与z方向的耦合竞争对网络的动力学行为的影响结果敏感地依赖于网络的初始条件结构.
- 王立明吴峰
- 关键词：双稳态
- 旋涂速度对制备P3HT有机场效应晶体管性能的影响(英文)
- 2015年
- 采用溶液化的方法制备了以PMMA为绝缘层、P3HT为有源层的有机场效应晶体管。研究了P3HT有源层和PMMA绝缘层的旋涂速度对器件性能的影响。实验结果表明,当P3HT和PMMA的旋涂速度均为2 000 r/min时,器件的性能最佳。峰值场效应迁移率为6.84×10-2cm2·V-1·s-1。结果表明,选择适当的旋涂速度是一种有效提高溶液化制备有机场效应晶体管性能的方法。
- 蒋晶郑灵程王倩吴峰程晓曼
- 关键词：有机场效应晶体管PMMA
- 衬底加热和电极修饰对提高有机场效应晶体管性能的影响
- 2015年
- 通过衬底加热和氧化钼(Mo O3)修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结果表明:当衬底温度为60℃、Mo O3修饰层为10 nm时,器件性能获得了显著增强,场效应迁移率由原来的3.39×10-3cm2/(V·s)提高到2.25×10-1cm2/(V·s),阈值电压由12 V降低到3 V。器件性能的改善归因于:衬底加热可以优化有源层形貌,改善载流子传输;而Mo O3修饰层显著降低了电极与有源层之间的接触势垒,提高了载流子的注入。因此,衬底加热与电极修饰对于制备高性能有机场效应晶体管是不可或缺的优化手段。
- 郑灵程蒋晶王倩吴峰程晓曼
- 关键词：有机场效应晶体管电极修饰
- 亚波长金属梯形槽阵列光陷效应研究被引量：3
- 2019年
- 采用严格耦合波分析方法系统研究了平面波照明的亚波长梯形金属槽阵列的光学异常吸收现象。模拟了结构参数的改变对亚波长金属梯形槽阵列吸收效率的影响,并引入Fabry-Perot半解析模型对计算结果进行分析。研究结果表明,亚波长金属梯形槽阵列的吸收增强现象主要来自槽内模式的Fabry-Perot共振效应及阵列结构间表面等离激元的能量传导耦合作用。当槽深满足Fabry-Perot共振条件,且阵列周期满足表面等离激元激发条件时,金属梯形槽吸收率峰值接近1。与矩形槽相比,选择适当的梯形槽斜边倾角可以在保证吸收率的同时,放宽槽深的加工容忍度,有助于降低器件加工难度,提升器件设计可行性。
- 曹英浩张斯文孙晓东吴峰
- 关键词：表面光学表面等离激元
