您的位置： 专家智库 > >

吴仲华

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇晶体管
  • 1篇GAAS/I...
  • 1篇GHZ
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇12

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇王玉林
  • 1篇陈效建
  • 1篇吴仲华
  • 1篇徐中仓

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1997
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管被引量：1
1997年
报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。
王玉林吴仲华徐中仓陈效建
关键词：异质结场效应晶体管
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0