您的位置： 专家智库 > >

卢凤铭

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇迁移率模型
  • 1篇反型层
  • 1篇SI/SI1...

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇李斌
  • 1篇卢凤铭
  • 1篇袁博
  • 1篇刘红侠
  • 1篇李劲

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型被引量：4
2011年
为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于半导体-绝缘体界面的电场强度之间的依赖关系,而且也能解释不同的锗组分对两种散射机理的抑制情况从而引起电子迁移率增强的机理.该模型数学表达式简单,可以模拟任意锗组分下的迁移率.通过数值分析验证得出,该模型与已报道的实验数据结果相符合.同时该模型能够被嵌入到ISE模拟器中,获得与原模拟器内置模型相一致的结果.
李斌刘红侠袁博李劲卢凤铭
关键词：电子迁移率反型层
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0