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刘欣芳

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 3篇短接
  • 3篇栅极
  • 3篇金属
  • 3篇金属栅
  • 3篇金属栅极
  • 3篇晶体管
  • 3篇晶体管结构
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇译码电路
  • 2篇射频
  • 2篇射频芯片
  • 2篇衰减器
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电路
  • 2篇网络电路
  • 2篇芯片
  • 2篇滤波电路
  • 2篇接收机

机构

  • 7篇华为技术有限...

作者

  • 7篇刘欣芳
  • 2篇陈永权
  • 2篇顾洵
  • 2篇汪猛
  • 2篇江玮
  • 2篇池毓宋
  • 2篇王红玉
  • 2篇王晨
  • 2篇胡新荣
  • 2篇杨帆
  • 2篇周建军
  • 2篇何卓彪
  • 2篇易岷

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 1篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法
本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底(101)，金属栅极(104)，源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105)，该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极...
刘欣芳许淼刘燕翔
等效射频带陷滤波电路、射频芯片及接收机
本发明实施例公开了一种等效射频带陷滤波电路、射频芯片及接收机，其中等效射频带陷滤波电路包括：本振电路，用于提供本振频率信号；混频电路，混频电路输入端用于与射频电路的主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提...
周建军何卓彪杨帆池毓宋汪猛王红玉刘欣芳易岷胡新荣
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一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法
本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底(101)，金属栅极(104)，源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105)，该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极...
刘欣芳许淼刘燕翔
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等效射频带陷滤波电路、射频芯片及接收机
本发明实施例公开了一种等效射频带陷滤波电路、射频芯片及接收机，其中等效射频带陷滤波电路包括：本振电路，用于提供本振频率信号；混频电路，混频电路输入端用于与射频电路的主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提...
周建军何卓彪杨帆池毓宋汪猛王红玉刘欣芳易岷胡新荣
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一种缓冲器和数字步进衰减器
本发明公开了一种缓冲器和数字步进衰减器，属于电子设备技术领域。所述缓冲器包括：控制电路、第一偏置电路、第二偏置电路、反偏电路、输入电路、输出电路和隔离电路。本发明还公开了一种数字步进衰减器DSA，包括：数字译码电路、电阻...
顾洵江玮刘欣芳王晨陈永权
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一种缓冲器和数字步进衰减器
本发明公开了一种缓冲器和数字步进衰减器，属于电子设备技术领域。所述缓冲器包括：控制电路、第一偏置电路、第二偏置电路、反偏电路、输入电路、输出电路和隔离电路。本发明还公开了一种数字步进衰减器DSA，包括：数字译码电路、电阻...
顾洵江玮刘欣芳王晨陈永权
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一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法
本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底(101)，金属栅极(104)，源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105)，该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极...
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