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侯印春

作品数:17 被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇晶体
  • 4篇晶体生长
  • 4篇激光
  • 3篇单晶
  • 3篇提拉法
  • 3篇坩埚
  • 3篇光纤
  • 3篇
  • 3篇MG_2SI
  • 2篇单晶光纤
  • 2篇折变
  • 2篇中铬
  • 2篇石墨坩埚
  • 2篇坩埚下降法
  • 2篇钛酸钡晶体
  • 2篇下降法
  • 2篇炉膛
  • 2篇光学
  • 2篇光折变
  • 2篇分凝系数

机构

  • 17篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇上海机械学院
  • 1篇《本刊》编辑...

作者

  • 17篇侯印春
  • 8篇朱洪滨
  • 6篇王四亭
  • 5篇颜声辉
  • 4篇潘佩聪
  • 3篇钟鹤裕
  • 2篇潘守夔
  • 2篇柴耀
  • 2篇李铮
  • 2篇施振华
  • 2篇李百中
  • 1篇卢志英
  • 1篇陈杏达
  • 1篇王凤云
  • 1篇王凤云
  • 1篇吉昂
  • 1篇邓佩珍
  • 1篇夏海平
  • 1篇秦永忠
  • 1篇李海华

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 2篇硅酸盐学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇国外激光
  • 1篇首届中国功能...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 3篇1992
  • 3篇1991
  • 5篇1990
  • 1篇1989
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数被引量:1
1991年
用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。
朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春王四亭柴耀卢志英吉昂
关键词:提拉法
日本的激光发展
1990年
一、引言日本的激光研究始于六十年代初。在起步阶段,研究常常是科学家的个人爱好,没有宏观战略思想,目的只是写论文和带学生。日本激光研究的元老应推东京大学的霜田光一教授。霜田先生1960年开始从事激光理论和激光实验研究,其后发表了一系列有关量子电子学和激光光谱等重要著作。目前活跃在日本激光界的许多知名人物均系霜田门下。除东京大学各系、东大物性研究所外,还有东北大学、东京工业大学以及理化研究所、分子研究所等单位的激光研究负责人。以东京大学为核心,形成了日本激光基础研究的体系,在世界上有一定影响。
侯印春张荣康
关键词:激光
Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体生长被引量:1
1990年
本文报导了用提拉法生长Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体的实验过程和结果,试验证实了所得样品为Mg_2SiO_4:Cr^(3+)单晶体,指出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr^(3+)单晶的有效途径。
朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春夏海平邓佩珍李海华秦永忠
关键词:硅酸镁晶体晶体生长提拉法
光折变晶体发展动态
1990年
无论就基础研究还是各种应用研究,光折变晶体均是一种非常使人感兴趣的材料。光折变晶体最常见的应用包括全息存储和光学相位共轭,这些均利用晶体中的光折变效应。正在发展的实用器件主要有光信号处理和相位共轭反射镜。但是,由于光折变晶体的商品化程度很低,从而限制了它的实际应用与发展。
侯印春潘守夔
关键词:光折变晶体晶体光学相位共轭
钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法
一种钛酸钡四方晶体的生长装置和生长方法,其特点是采用中频或高频感应加热铂坩埚和坩埚内的熔体原料,采用改变坩埚四周的保温材料和保温罩的形状,即感应加热顶部籽晶法生长钛酸钡四方晶体,加大了晶体生长的驱动力,简化了生长装置和工...
侯印春王四亭朱洪滨
文献传递
引上法生长Cr:Mg_2SiO_4晶体中铬的分布和价态被引量:1
1994年
Cr:Mg_2SiO_4晶体作为一种新的激光基质,以其独特的性能,引起了广泛的关注.在该晶体中,铬离子的分凝系数很小,因此在用提拉法生长的Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子存在轴向浓度梯度;在凸界面生长的晶体中,晶体的生长界面上出现小面,由于小面和非小面区域的反常分凝等原因,造成晶体中铬离子浓度的经向分布不均,在小面与非小面的交界处存在着较大的浓度梯度,造成晶体中宏观缺陷的出现.Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子主要表现为两种形式:Cr^(3+)和Cr^(4+).不同的生长气氛决定着晶体中两种离子的比例.在晶体中,Cr^(3+)离子取代Mg^(2+)离子,Cr^(4+)离子取代Si^(4+)离子.在氧化性气氛下退火不能使晶体中的Cr^(3+)离子氧化成Cr^(4+)离子.
朱洪滨王四亭颜声辉柴耀侯印春潘佩聪
关键词:铬离子分凝系数敏化作用提拉法
保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法
一种保护铱坩埚生长掺四价铬高温氧化物晶体的方法,核心内容是:用等离子喷涂技术在铱坩埚外壁喷涂氧化锆保护层,在中性气氛下化料并保持在氧气气氛下生长晶体,晶体生长完成后,让晶体在真空中和氧化锆保温条件下自然冷却。
颜声辉朱洪滨侯印春王四亭
文献传递
各种气氛下KRS-5单晶生长和多晶光纤的研制
1989年
在空气、流通氩气和Ar+I_2混合气体等气氛条件下生长出KRS-5单晶,检查了晶体中的散射,分析了晶体中金属杂质和氧含量。用加热挤压法研制成功KRS-5多晶光纤,对光纤的稳定性和损耗作了讨论。
侯印春权宁三王人淑王凤云钟鹤裕
关键词:光纤损耗
多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备及其生长方法
一种多坩埚下降法制备氟化镁晶体的生长设备及生长方法,所述多孔石墨坩埚包括籽晶区、晶体生长区、料仓区和坩埚盖四部分;所述生长设备还包括炉膛、下降装置和铜感应加热线圈,所述炉膛的上方和下方设有通气孔,所述炉膛内壁、铜感应线圈...
李百中李铮施振华侯印春
文献传递
新的可调谐激光激活离子Cr4+
1前言Cr离子是最近发现的一个新的可调谐激活离子。在镁橄榄石(MgSiO)晶体中可获得1.17~1.34μm的激光输出。填补了近红外波段固体可调谐激光的空白。在许多方面有着很好的应用前景。本文介绍铬离子在MgSiO晶体中...
朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春
文献传递
共2页<12>
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