何振杰
- 作品数：10 被引量：39H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划浙江省分析测试基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结
- 本发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.1，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.1。由于铟锡氧化物是宽禁带半导体材料，且对可见光透明，因此本发明的铟锡氧化物pn结在光电子领域有重要的...
- 季振国何振杰
- 文献传递
- 一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜
- 本发明公开的p型导电的氧化锡薄膜为掺铟氧化锡薄膜，薄膜中铟/锡原子比为0.01～0.30，薄膜的晶体结构为金红石结构。本发明采用在氧化锡中掺铟，使得氧化锡薄膜成p型导电，由此可以获得氧化锡同质pn结，有利于制作基于氧化锡...
- 季振国何振杰
- 文献传递
- 一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结
- 本发明的用于半导体器件的铟锡氧化物pn结，其p型铟锡氧化物中的铟/锡原子比为0.01－0.3，n型铟锡氧化物中锡/铟原子比为0.01－0.3。由于铟锡氧化物是宽禁带半导体材料，且对可见光透明，因此本发明的铟锡氧化物pn结...
- 季振国何振杰
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- p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征被引量：20
- 2004年
- 采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 。
- 季振国何振杰宋永梁
- 关键词：SNO2薄膜吸收谱提拉法禁带宽度热处理温度
- 一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜
- 本发明公开的p型导电的氧化锡薄膜为掺铟氧化锡薄膜，薄膜中铟/锡原子比为0.01～0.30，薄膜的晶体结构为金红石结构。本发明采用在氧化锡中掺铟，使得氧化锡薄膜成p型导电，由此可以获得氧化锡同质pn结，有利于制作基于氧化锡...
- 季振国何振杰
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- 一种检测室内气体污染的气体传感器阵列
- 本发明的检测室内气体污染的气体传感器阵列是由数个铟锡比不同的铟锡氧化物薄膜气体传感器构成，其中铟/锡原子比的范围为0-1.0。由于本发明利用不同铟锡比的铟锡氧化物薄膜构成了一个传感器阵列，每个传感器对气体的响应各不相同，...
- 季振国孙兰侠何振杰
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- 可鉴别室内有害气体的铟锡氧化物薄膜气敏特性研究被引量：16
- 2004年
- 采用无机试剂SnCl2 ·2H2 O及InCl3·4H2 O为原料 ,用溶胶 -凝胶提拉法制备了铟锡比不同的氧化铟锡薄膜构成的气敏传感器阵列 ,并对薄膜的电学性能及气敏性能进行了表征。结果表明 ,不同铟锡比组成的氧化铟锡薄膜不但载流子浓度不同 ,而且导电类型也不同 ,即阵列中每个传感器薄膜的载流子浓度和导电类型是不同的。当气体分子与阵列中的传感器表面接触时 ,由于载流子种类、载流子浓度、费米能级等的不同 ,导致电荷转移情况也不同 ,使得阵列具有很好的选择性。通过对甲醛、苯、甲苯、二甲苯的测试 ,证明此阵列对四种室内污染气体具有较好的选择性。
- 季振国孙兰侠何振杰范镓王玮方向生陈裕泉
- 关键词：氧化铟锡薄膜溶胶-凝胶法气敏传感器阵列选择性
- 一种检测室内气体污染的气体传感器阵列
- 本发明的检测室内气体污染的气体传感器阵列是由数个铟锡比不同的铟锡氧化物薄膜气体传感器构成，其中铟/锡原子比的范围为0－1.0。由于本发明利用不同铟锡比的铟锡氧化物薄膜构成了一个传感器阵列，每个传感器对气体的响应各不相同，...
- 季振国孙兰侠何振杰
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- 磁场对酞菁薄膜光电导性能的影响
- 采用真空蒸发沉积技术制备了酞菁锌薄膜,并在强磁场中进行了热处理。采用经磁场热处理后的酞菁锌薄膜作为光生载流子材料,a—茶苯腙和双酚A聚碳酸酯(PC)作为传输层材料,制备了单层光电导体原型器件。光电导测试发现经磁场处理后酞...
- 季振国向因何振杰孙兰侠
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- P型透明导电二氧化锡薄膜的制备及性能研究
- 本论文综合介绍了各种SnO_2薄膜的制备工艺，掺杂和未掺杂SnO_2薄膜的基本性质及在各个领域中的应用。利用Sol—Gel法成功制备两p型导电的掺铟SnO_2薄膜。并用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光光谱仪(UV-V...
- 何振杰
- 关键词：宽禁带半导体二氧化锡薄膜晶体结构
- 文献传递
