任秀娟
- 作品数：15 被引量：8H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与...
- 郭霞关宝璐李川川郝聪霞任秀娟李硕郭帅周弘毅史国柱周治平陈树华
- 文献传递
- 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法
- 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、...
- 关宝璐郭霞张敬兰任秀娟郭帅李硕沈光地
- 文献传递
- 桥式-纳米光栅可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 基于表面纳米光栅的波长可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为空气隙层(12)、砷化镓层(2a)...
- 关宝璐郭霞任秀娟李硕李川川郝聪霞
- 文献传递
- 不同温度下GaAs/GaN键合结构CL谱的比较分析
- 白光发光二极管与其他光源相比具有高亮度、低损耗、长寿命等优点,而其中单芯片白光的研究被广泛关注.目前对制备单芯片白光的各种材料的研究已经取得了一定的进展,本文针对单芯片白光n+GaAs/ p+GaN直接键合结构做了进一步...
- 李川川关宝璐揣东旭郝聪霞任秀娟李硕郭帅郭霞
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到...
- 关宝璐任秀娟郭霞李硕史国柱李川川郝聪霞郭帅周弘毅苏治平陈树华
- 文献传递
- 偏振稳定垂直腔面发射激光器设计及分析
- 垂直腔面发射激光器(VCSEL)有单纵模、低阈值和光束近圆等优点.但随注入电流和工作温度的变化,VCSEL出射光偏振态会在两个正交偏振态上转换,有不可预测性.为实现偏振稳定激射,我们设计了一种表面刻蚀亚波长光栅的VCSE...
- 李硕关宝璐任秀娟郭帅李川川郝聪霞郭霞沈光地
- 双片集成波长可调谐垂直腔面发射激光器的研制
- 垂直腔面发射激光器(VCSELs)是一种新型的半导体激光器,具有出光方向垂直于衬底、能够实现在片测试、易集成、阈值电流低、效率高、发散角小等优点。目前VCSELs主要的研究方向有:波长扩展、波长集成、波长调谐、大规模二维...
- 任秀娟
- 关键词：波长可调谐垂直腔面发射半导体激光器
- 双波长垂直腔面发射激光器及特性研究被引量：1
- 2011年
- 基于光子晶体技术在一维光子晶体带隙内引入缺陷态模式,并对激光器谐振腔内部电磁场分布和共振波长进行调制,从而将单一波长分裂为双波长输出.最终制备出了一种新的具有双波长光谱输出特性的垂直腔面发射激光器,缺陷层为Al0.8Ga0.2As材料,厚度为5λ/4.所得到的双波长输出光谱具有低吸收损耗、输出波长容易控制及同方向垂直输出特性.同时,通过调整一维光子晶体的折射率差和缺陷层厚度可以有效调谐双波长的间距及输出波段.所设计的双波长垂直腔面发射激光器结构同样适合于其他光电子器件,如光开关、光放大器、调制器及光电探测器等.
- 关宝璐郭霞张敬兰任秀娟郭帅李硕揣东旭沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器光子带隙双波长
- 微机械可调谐垂直腔面发射激光器特性研究
- 本文建立了可调谐VCSEL系统模型,并采用Lang—Kobayashi和L.A Coldren理论对微机械可调谐垂直腔面发射激光器特性进行研究和分析。给出了在调谐过程中谐振腔内光了寿命、激光器输出功率等重要参数的变化特性...
- 关宝璐郭霞任秀娟李硕史国柱沈光地
- 关键词：VCSEL波长可调谐
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器制备方法研究
- 单片可调谐垂直腔面发射激光器由于悬臂几何尺寸的限制,使得调谐范围受限,在释放悬臂的过程中,牺牲层厚度、腐蚀选择比等因素会在一定程度上影响悬臂的完整性,针对存在的问题,我们设计了双片集成可调谐VCSEL结构.整个器件主要由...
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