付廷波
- 作品数：8 被引量：55H指数：4
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程机械工程更多>>
- ZrO_2粒径对ZrO_2/ZrW_2O_8复合材料性能的影响被引量：2
- 2007年
- 分别采用Nano-ZrO2和Commercial-ZrO2制备ZrO2/ZrW2O8复合材料,并对所得复合材料的微观结构、烧结质量及其热膨胀性能进行了研究.结果表明,当ZrO2和ZrW2O8的质量比为2∶1时,ZrO2/ZrW2O8复合材料的热膨胀系数极低,接近于零.然而Commercial-ZrO2/ZrW2O8复合材料存在致密度不高,气孔率大的缺点.Nano-ZrO2的采用,可以降低基体的烧结温度,改善复合材料的烧结质量,Nano-ZrO2/ZrW2O8复合材料的相对密度达到94%,比Commercial-ZrO2/ZrW2O8的相对密度75%有明显提高.
- 程晓农付廷波杨新波严学华
- 关键词：复合材料ZRW2O8低膨胀负热膨胀纳米ZRO2
- RF磁控溅射制备Al_2O_3薄膜及其介电性能研究被引量：15
- 2007年
- 以-αAl2O3为靶材,采用射频磁控溅射法制备了非晶Al2O3薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、划痕仪、表面粗糙轮廓仪和阻抗仪研究了不同溅射功率和不同溅射气压对薄膜制备的影响,探索了不同溅射功率下制备的Al2O3薄膜的介电常数和介电损耗与频率的关系。试验结果表明,制备的非晶Al2O3薄膜表面平滑致密;随着工作气压的增加,薄膜沉积速率增加;随着溅射功率的增加,Al2O3薄膜的沉积速率和介电常数逐渐增加、介电损耗逐渐减小;随着频率的增加,Al2O3薄膜的介电常数逐渐减小,高频阶段趋于稳定。
- 刘红飞程晓农徐桂芳张志萍付廷波
- 关键词：AL2O3薄膜沉积速率介电损耗介电常数
- 工艺参数和热处理温度对ZrW_2O_8薄膜制备的影响被引量：3
- 2008年
- 采用WO3和ZrO2复合陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、表面粗糙轮廓仪和扫描电子显微镜(SEM),研究了不同工艺参数和不同退火温度对ZrW2O8薄膜的相组成、沉积速率和表面形貌的影响。采用高温X射线衍射和PowderX软件研究薄膜的负热膨胀特性。实验结果表明:随着溅射功率的增加,薄膜沉积速率增加;而随着工作气压的增加,薄膜沉积速率先增加后减小;磁控溅射沉积制备的ZrW2O8薄膜为非晶态,表面平滑、致密,随着热处理温度的升高,薄膜开始结晶且膜层颗粒增大;在740℃热处理3min后得到膜层颗粒呈短棒状的三方相ZrW2O8薄膜,在1200℃密闭条件下热处理3min淬火后得到膜层颗粒呈球状的立方相ZrW2O8薄膜,且具有良好的负热膨胀特性。
- 刘红飞程晓农张志萍付廷波
- 关键词：钨酸锆磁控溅射负热膨胀
- 负热膨胀材料ZrW_2O_8及其复合材料研究进展被引量：14
- 2007年
- ZrW2O8是一种优良的各向同性负热膨胀材料。本文对ZrW2O8的晶体结构、负热膨胀特性和制备方法作了简要介绍,着重论述了以Cu/ZrW2O8、ZrO2/ZrW2O8和聚酰亚胺(Polyimide)/ZrW2O8为代表的ZrW2O8复合材料的研究现状。
- 杨新波程晓农严学华付廷波
- 关键词：ZRW2O8负热膨胀可控热膨胀零膨胀复合材料
- 燃烧法合成高纯度负热膨胀材料ZrW_2O_8粉体被引量：18
- 2006年
- 采用燃烧法在较低温度下成功合成了各向同性的负热膨胀材料ZrW2O8粉体。用X射线衍射、扫描电镜、红外光谱综合分析和研究了反应过程中炉温、硼酸和尿素含量、W6+与Zr4+的摩尔比对合成ZrW2O8纯度的影响。结果表明:燃烧法可以合成高纯度、粒径为0.5μm的ZrW2O8粉体。燃烧法合成高纯ZrW2O8的最佳条件是:炉温为500℃,硼酸的摩尔分数为10%,(NH2)2CO与(NH4)5H5[H2(WO4)6]·H2O+ZrOCl2·8H2O的质量比为2:1,(NH4)5H5[H2(WO4)6]·H2O与ZrOCl2·8H2O的摩尔比为1:3.2。所合成的ZrW2O8在50～700℃之间的线膨胀系数α=-5.08×10-6/℃,其线膨胀系数与温度的关系符合方程dL/L0=-1.4×10-2-4.5×10-4T(50℃≤T≤700℃)。
- 严学华杨新波程晓农付廷波邱杰刘红飞
- 关键词：钨酸锆负热膨胀材料燃烧合成热膨胀系数
- 磁控溅射法制备ZrW_2O_8薄膜及其性能被引量：3
- 2007年
- 利用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英基片上沉积了非晶态ZrW2O8薄膜,对不同温度下热处理的薄膜进行了XRD分析;用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌,用阻抗分析仪和分光光度计分别研究了薄膜的介电性能和透光性能。结果表明:非晶态薄膜在740℃热处理3 min可以制得具有较好负热膨胀特性的ZrW2O8薄膜,其热膨胀系数为-2.54×10-5/℃;介电常数和介电损耗均随着频率的增加而减小;在可见光范围内薄膜的透光率达75%。
- 付廷波程晓农严学华刘红飞
- 关键词：磁控溅射热膨胀系数介电性能透光率
- 工艺参数和热处理温度对ZrW2O8薄膜制备的影响
- 采用 WO和 ZrO复合陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了 ZrWO薄膜。利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱仪(EDS)研究了不同工艺参数和不同热处理...
- 刘红飞程晓农张志萍付廷波
- 关键词：钨酸锆磁控溅射负热膨胀
- 文献传递
- 负热膨胀ZrW_2O_8薄膜的制备和性能被引量：5
- 2008年
- 用交替射频磁控溅射法在石英基片上沉积并退火制备了ZrW_2O_8薄膜,测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度,研究了薄膜的负热膨胀特性.结果表明:用磁控溅射方法制备的薄膜为非晶态,表面平滑、呈颗粒状,在1200℃热处理3 min后得到立方相ZrW_2O_8薄膜,结晶薄膜的颗粒长大,薄膜与基片之间有良好的结合力.立方相ZrW_2O_8薄膜在15-200℃热膨胀系数为-24.81×10^(-6)K^(-1),200-700℃热膨胀系数为-4.78×10^(-6)K^(-1),平均热膨胀系数为-10.08×10^(-6)K^(-1).
- 刘红飞程晓农张志萍付廷波
- 关键词：无机非金属材料钨酸锆磁控溅射负热膨胀
