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乔文华

作品数：5 被引量：5H指数：1
供职机构：沈阳仪器仪表工艺研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术机械工程电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇力敏器件
  • 2篇扩散硅
  • 1篇电池
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇压差传感器
  • 1篇微压
  • 1篇微压传感器
  • 1篇力传感器
  • 1篇可见光
  • 1篇扩散膜
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇光电池
  • 1篇光敏
  • 1篇光敏元件
  • 1篇光谱
  • 1篇硅光电池
  • 1篇硅

机构

  • 5篇沈阳仪器仪表...

作者

  • 5篇乔文华
  • 3篇李妍君
  • 1篇张纯棣
  • 1篇庞世信
  • 1篇季安
  • 1篇唐慧
  • 1篇张治国

传媒

  • 4篇仪表技术与传...
  • 1篇第四届全国敏...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
EI型扩散硅力敏器件工艺技术研究被引量：1
1995年
本文叙述的EI型扩散硅力敏器件为工业变送器配套使用的微差压传感器,其压力量程为0.6kPa,线性优于0.5％。该器件填补国内空白,器件性能指标达到国际80年代中期同类产品先进水平。
李妍君乔文华吴丁民
关键词：扩散硅力敏器件压差传感器变送器
可见光光敏元件的光谱修正被引量：1
1990年
为了使硅光电池的光谱曲线与人眼的视觉函数相近,必须对光电池的光谱曲线进行修正。本文叙述了使用单层色玻璃对硅光电池光谱曲线进行修正的方法。
季安唐慧乔文华
关键词：可见光光敏元件光谱硅光电池
Ｅ型扩散硅力敏器件的设计与制作
简述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料（１１０）晶面的＜１１１＞晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏器件的制作。最后给出了器件的主要技术指标。
李妍君乔文华
关键词：力传感器扩散膜传感器力敏器件扩散硅
E 型扩散硅力敏器件的研制被引量：1
1997年
本文阐述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料在（１１０）晶面的＜１１１＞晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏器件的制作。最后给出了器件的主要技术指标。
庞世信李妍君乔文华
关键词：硅差压力敏器件传感器
四电极电化学腐蚀在微压传感器制造中的应用被引量：2
2000年
在研究四电极电化学腐蚀工艺过程中 ,考虑了与扩散硅压力传感器芯片平面工艺的兼容性 ,使得该工艺用于微压传感器的制造。微压传感器采用梁膜结构设计 ,膜区厚度为 1 0 μm ,制造出的微压传感器灵敏度为 5 0mV/ 3kPa/ 1mA ,端点法非线性为 0 .5 %。
乔文华张纯棣张治国
关键词：电化学腐蚀微压传感器
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