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黄书万

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
相关领域：理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇半导体
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电位器
  • 1篇电性
  • 1篇性能研究
  • 1篇生产工艺
  • 1篇碳膜电位器
  • 1篇结构性能
  • 1篇金刚石
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇光敏
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶薄膜
  • 1篇刚石
  • 1篇半导体材料
  • 1篇SIC材料
  • 1篇AG
  • 1篇CDTE
  • 1篇GETE

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇黄书万
  • 2篇李燕
  • 1篇阮世池
  • 1篇夏都灵

传媒

  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1994
  • 1篇1992
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
小型碳膜电位器失效分析
1998年
甲设备厂历来使用乙元件厂生产的小型碳膜电位器装配整机。有一段时期，整机上的电位器失效较多，严重影响整机质量，乙元件厂被迫停产。两厂引起争议，双方要求查明该批电位器失效的原因，到底是电位器本身质量问题还是整机厂使用不当造成的。为此，我们用扫描电镜对该批...
阮世池黄书万
关键词：碳膜电位器电容器
金刚石(ⅠⅠⅠ)Ⅰ×Ⅰ表面的类石墨和类衬底结构
1992年
本文提出了一个由LEED能带理论计算所确定的金刚石(lll)1×1表面的类石墨一类衬底结构模型,发现最外的碳原子向内弛豫0.05±0.01A,第一双层空间距d_1=0.498±0.006A(收缩3.3％±0.006A),两个双层之间的空间距d_2=1.43±O.01A(收缩7.4％±0.01),第二双层空间距d_3=0.56±O.01A(膨脓8.7％±0.01A)。并用大π键理论说明了金刚石(lll)
夏都灵黄书万兰田
关键词：金刚石
CdTe光敏薄膜的制备及性能研究
1997年
本文采用高温烧结和真空蒸发制备了ＣｄＴｅ光敏薄膜，探讨了制备工艺对ＣｄＴｅ薄膜性能和结构的影响，得到在基片温度为１３０℃左右制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的光敏特性，并得到ＣｄＴｅ材料的禁带宽度为１．６３ｅＶ。利用Ｘ衍射对不同基片温度下制备的ＣｄＴｅ薄膜材料进行了结构分析，发现基片温度为１３０℃左右制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的衍射峰。
李燕黄书万
关键词：化合物半导体
Ａｇ对ＧｅＴｅ非晶薄膜电性能的影响
黄书万李燕
关键词：电性生产工艺
ＳｉＣ材料的结构性能和应用
黄书万
关键词：半导体材料结构性能
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