鲁植全
- 作品数：7 被引量：12H指数：2
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学文化科学电子电信更多>>
- 磁控溅射制备Ge纳米点的研究
- 由于对载流子具有天然的三维限制效应，量子点具有许多新奇的物理特性，使其在微电子、光电子等领域表现出巨大的应用前景。在Si衬底上生长的Ge量子点可能实现与传统Si基电路相兼容，因此已成为当今材料科学界的研究热点之一。目前G...
- 鲁植全
- 关键词：磁控溅射SI衬底拉曼光谱
- 温度对SiO_2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响被引量：2
- 2010年
- 采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品。原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同。当衬底生长温度达到500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口"。在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010cm-2的Ge纳米点。
- 夏中高王茺鲁植全李亮杨宇
- 关键词：磁控溅射SIO2薄膜
- Ge/Si量子点生长的研究进展被引量：1
- 2010年
- 回顾了近年来在Ge/Si量子点生长方面的研究进展。主要讨论了为了提高量子点空间分布有序性、增大量子点的密度、减小量子点的尺寸及改善其分布均匀性而采取的各种方法,如图形衬底辅助生长、表面原子掺杂及利用超薄SiO2层辅助生长等,以及Ge量子点的演变及组分变化。
- 鲁植全王茺杨宇
- 关键词：图形衬底
- 磁控溅射生长Ge/Si纳米岛的AFM和Raman光谱研究
- 采用AFM和Raman光谱对磁控溅射生长的一系列Ge/Si(100)纳米岛样品进行了研究,具体分析了Ge的沉积量、Ge的生长温度及Si缓冲层的生长温度等对Ge岛的影响。结果表明,在我们研究的范围内,随着沉积量增加Ge岛的...
- 鲁植全王茺杨杰张学贵潘红星李亮杨宇
- 关键词：AFMRAMAN光谱
- 文献传递
- 基于物理学科核心素养培育的课堂教学策略——以“平面镜成像”为例被引量：1
- 2021年
- 以初中物理"平面镜成像"的教学为例,说明落实物理学科核心素养的教学策略,即坚持问题导向、注重启发引导;重视实验探究;发挥学生的主体作用;重视物理概念和规律的形成过程;重视情境创设。
- 鲁植全
- 关键词：教学策略平面镜成像
- 温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响被引量：4
- 2010年
- 采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧。
- 张学贵王茺杨杰潘红星鲁植全李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射量子点表面形貌RAMAN光谱
- 离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变被引量：5
- 2011年
- 采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品.利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的演变规律.结果表明:Ge层从二维薄层向三维岛过渡过程中,没有观察到传统的由金字塔形向圆顶形量子点过渡,而是直接呈圆顶形生长;且随着Ge沉积量的增加,量子点密度先增大后减小,Ge的结晶性增强同时Ge/Si互混加剧,量子点中Si的组分增加.
- 张学贵王茺鲁植全杨杰李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射量子点表面形貌RAMAN光谱
